【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡及其制备方法。
技术介绍
1、在单晶硅晶圆衬底的后段制程过程中的研磨、抛光工序中，临时粘结液体蜡是单晶硅晶圆加工的核心材料，对硅晶圆加工质量和保护作用至关重要。
2、随着半导体材料技术的发展，对硅晶圆的规格和质量也提出更高的要求，大尺寸单晶硅晶圆在市场的需求比例将日益加大。加工效率和产品质量要求进一步提升，作为半导体产业核心材料之一的硅晶圆，其性能的优劣，直接影响着半导体产业的发展水平。
3、目前单晶硅的研磨-抛光工艺主要包括双面研磨、单面氧化硅化学机械抛光工序。其中化学机械抛光工序需要对单晶硅晶圆进行贴蜡作业，保证单晶硅晶圆加工过程中的平整性，由于单晶硅圆在化学机械抛光中加工温度和化学腐蚀性增加，热应力增强，常规的液体蜡受热变形，硅晶圆受力不均，液体蜡边缘被腐蚀，容易产硅晶圆抛光后厚薄不均、和出现滑片、破片和崩边等技术问题，严重影响硅晶圆加工质量和加工效率。
4、并且随着单晶硅晶圆尺寸增大，常规液体蜡流动性差，抗腐蚀能力...
【技术保护点】
1.一种用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
6.根据权利要求5述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的...
【技术特征摘要】
1.一种用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于大尺寸单晶硅晶圆的抗腐蚀液体蜡...
【专利技术属性】
技术研发人员：李传强，侯军，褚雨露，单晓倩，
申请(专利权)人：江苏奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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