【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频器件，具体来说，涉及基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器。
技术介绍
1、随着无线通信和雷达系统的工作频率、带宽、频段不断增加，高性能、小型化的滤波网络越发重要，对其开展研究具有重要的实际意义。
2、基片集成波导(siw)滤波网络因其在重量、体积、加工成本等方面优于传统金属波导滤波网络，并且在毫米波频段可以有效解决微带滤波网络导体损耗和辐射损耗大的问题，从而在微波高频段应用广泛。然而，在5g大规模多输入多输出(massive mimo)阵列架构中，siw滤波网络的物理尺寸仍然偏大，不符合系统小型化、集成化设计要求。此外，在毫米波较高频段如v波段、w波段，siw滤波网络如果使用传统印制电路板(pcb)工艺加工，则精度有限(通常为0.02mm)且一致性难以保证，这些加工误差甚至损毁会严重影响滤波网络的幅相特性。
3、针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、针对相关技术中的问题，本专利技术提出基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，通过采用基于gaas工艺的片上集成波导与微带传输结构的带通滤波器，实现灵活的拓扑网络，超紧凑的结构以及高阶带通滤波响应，实现在毫米波尤其是w波段具有低损耗、宽频段、高选择性与高阻带抑制特性的带通滤波器，从而可以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
2、为此，本专利技术采用的具体技术方案如下：
3、基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波
4、进一步的，gaas衬底的厚度为100um，gaas衬底的底部电镀金。
5、进一步的，两组波导八分之一模谐振器之间纵向设置有若干金属化通孔。两个波导八分之一模谐振器通过开窗的金属化通孔实现电感性耦合特性。
6、进一步的，90度转接线包括与波导八分之一模谐振器连接的滤波器输入输出馈线，滤波器输入输出馈线的另一端连接有滤波器馈线转角，滤波器馈线转角的另一端连接有滤波器馈线，且滤波器馈线的另一端与过渡阻抗变换线的一端连接。
7、进一步的，四分之一波长短路谐振器的一端为开路连接端，四分之一波长短路谐振器的另一端为短路连接端。短路连接端的四分之一波长短路谐振器与波导八分之一模谐振器呈现电感性耦合特性，两组开路连接端的四分之一波长短路谐振器之间呈现出电容性耦合特性。
8、本专利技术的有益效果为：本专利技术考虑到毫米波频段的精度和集成化需求，采用基于gaas工艺的毫米波单片集成电路(mmic)技术制备siw滤波网络，不仅拥有较高的集成度和成熟的工艺，还表现出高速、低介质损耗和高可靠性等优势，具有紧凑的尺寸、较低的插入损耗，较宽的工作带宽，陡峭的选择性和良好的带外抑制特性。
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1.基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，包括GaAs衬底(12)，所述GaAs衬底(12)的上层设置有微带线结构，所述微带线结构的表面设置有折叠微带线结构；
2.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述GaAs衬底(12)的厚度为100um。
3.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述GaAs衬底(12)的底部电镀金。
4.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，两组所述波导八分之一模谐振器(6)之间纵向设置有若干金属化通孔(8)。
5.根据权利要求4所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，两个所述波导八分之一模谐振器(6)通过开窗的所述金属化通孔(8)实现电感性耦合特性。
6.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述90度转接线包括与所述波导八分之一模谐振器(6)连接的滤波器输入输出馈线
7.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述四分之一波长短路谐振器(7)的一端为开路连接端(9)，所述四分之一波长短路谐振器(7)的另一端为短路连接端(10)。
8.根据权利要求7所述的基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，短路连接端的所述四分之一波长短路谐振器(7)与所述波导八分之一模谐振器(6)呈现电感性耦合特性，两组开路连接端的所述四分之一波长短路谐振器(7)之间呈现出电容性耦合特性。
...【技术特征摘要】
1.基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，包括gaas衬底(12)，所述gaas衬底(12)的上层设置有微带线结构，所述微带线结构的表面设置有折叠微带线结构；
2.根据权利要求1所述的基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述gaas衬底(12)的厚度为100um。
3.根据权利要求1所述的基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，所述gaas衬底(12)的底部电镀金。
4.根据权利要求1所述的基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，两组所述波导八分之一模谐振器(6)之间纵向设置有若干金属化通孔(8)。
5.根据权利要求4所述的基于gaas工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，两个所述波导八分之一模谐振器(6)通过开窗的所述金属化通孔(8)实现电感性耦合特性。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李垚，王翔，朱斌，
申请(专利权)人：南京思维芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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