一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料其制备方法技术

本发明专利技术中，合成了一种强缺电子结构单元，二噻吩并稠合的喹喔啉酰亚胺(DTQI),含有吸电子的喹喔啉和酰亚胺单元，并将其引入聚合物主链。由于DTQI的高电子亲和力，两种基于DTQI的受体‑受体(全受体，A‑A)型聚合物PDTQI和P(DTQI‑BTI)显示出深HOMO/LUMO能级，从而在有机薄膜晶体管中对于A‑A型均聚物PDTQI和A‑A型共聚物P(DTQI‑BTI)产生电子迁移率为0.012cm2V‑1s‑1和0.25cm2V‑1s‑1的单极n型传输特性。这些结果表明DTQI是构建n型聚合物半导体的一种有前途的构件，并且可以扩展到其他新型缺电子构件的设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于噻吩喹喔啉结构的有机聚合物受体材料及其制备方法与应用，属于有机半导体领域。

技术介绍

1、n型有机半导体是有机光电设备中一类非常重要的活性材料，例如有机薄膜晶体管(otfts)、有机光伏电池(opv)、钙钛矿太阳能电池(pvscs)和有机热电(otes)，在过去的几十年中，人们付出了巨大的努力来开发p型(空穴传输)和双极性(空穴和电子传输)半导体聚合物，然而，n型(电子传输)聚合物半导体的发展滞后，因此设计和合成n型聚合物半导体是十分必要和迫切的。

2、为了在聚合物半导体中实现单极n型电子传输，最高占据分子轨道(homo)和最低未占据分子轨道(lumo)能级应该足够低，设计n型聚合物半导体的有效策略之一是在主链中引入强缺电子构建模块，如酰亚胺、酰胺、氰基或b←n基团，其中，酰亚胺功能化已成为构建n型有机半导体的广泛研究的受体构建模块之一，由于酰亚胺基团的强吸电子特性和n-烷基侧链带来的良好溶解性，n型有机半导体表现出令人感兴趣的光电性质，作为酰亚胺结构单元的典型代表，萘二酰亚胺(ndi)、苝二酰亚胺(pdi)、萘二噻吩二酰亚胺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于：包括式I或式II所示结构：

2.根据权利要求1所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于，所述一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料包括如下式III、式IV、式V、式VI、式VII、式VIII、式IX、式X所示结构中的任意一种；

3.根据权利要求2所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于，所述π-共轭结构基团为式B基团中的任意一个

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法，其特征在于，所述一种基...

【技术特征摘要】

1.一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于：包括式i或式ii所示结构：

2.根据权利要求1所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于，所述一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料包括如下式iii、式iv、式v、式vi、式vii、式viii、式ix、式x所示结构中的任意一种；

3.根据权利要求2所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于，所述π-共轭结构基团为式b基团中的任意一个

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法，其特征在于，所述一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法如下；

5.根据权利要求4所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法，其特征在于：制备反应在保护性气体保护下进行，且所述保护性气体为氩气、氮气或氦气；

6.根据权利要求5所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法，其特征在于：相对于1mmol溴化单体，所述溶剂的用量为10-50ml；

7.根据权利要求5所述的一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：史永强，涂丽君，王欣，
申请(专利权)人：安徽师范大学，
类型：发明
国别省市：