System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用技术_技高网

一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用技术

技术编号:40780052 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-25 20:24
本发明专利技术公开了一种基于UiO66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用;所述杂化膜的基质中掺杂有碳化后的UiO‑66;进一步的,碳化后的UiO‑66的表面还经过了β‑CD的修饰。该杂化膜断面致密均匀,且在强酸强氧化条件下具备良好的化学稳定性。且碳化的UiO‑66在经β‑CD的修饰后掺杂至基质中,会由于与基质间存在的相互作用,使杂化膜的吸水率和拉伸强度相较于膜大幅提升,溶胀率明显下降。另外,使用杂化膜组装的全钒液流电池具有更高的VE和EE。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于uio66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用,属于杂化膜。


技术介绍

1、为克服可再生能源使用的间歇性和不可控性,开发先进的大规模储能技术刻不容缓。全钒液流电池(vfb)因其快速的响应速度、灵活的设计以及较长的循环寿命在储能领域备受瞩目。质子交换膜(pems)是vfb的主要组成部分之一,在传导质子形成内部电路的同时起到阻挡活性离子的作用,直接决定了电池的性能。理想的pems应具有低活性离子渗透性、高质子导电性以及良好的化学稳定性。目前最常用的pem是全氟磺酸nafion膜,但离子选择性差、成本高等缺点极大地限制了其进一步发展。因此,有必要开发新的低成本替代膜材料。

2、具有较小水通道的质子导电磺化聚醚醚酮(speek)膜是最具发展前景的质子交换膜材料。speek虽可降低膜成本,但在强氧化和酸性介质中易降解的特性,导致其在vfb中循环稳定性较差。具有规整可调孔道且比表面积大的金属有机骨架(mofs)材料已被用于对speek膜的改性,而mofs在酸性环境中的稳定性制约了其实际应用。


技术实现思路

1、为解决现有技术的不足,本专利技术提供一种基于uio66改性的杂化膜、制备方法和液流电池中的应用,该杂化膜在强酸强氧化条件下具备良好的化学稳定性。

2、本专利技术所采用的技术方案为:

3、一种基于uio66改性的杂化膜,所述杂化膜的主要包括有聚合物基质,其中掺杂有碳化后的uio-66。

4、所述的聚合物基质是speek。

5、优选地,所述的碳化后的uio-66的表面还经过了β-cd的修饰。

6、上述的基于uio66改性的杂化膜的制备方法,包括如下步骤:

7、s1:制备uio-66并将uio-66碳化;

8、s2:将碳化后的uio-66与speek混合制得铸膜液,并采用流延法制膜。

9、优选地,在步骤s1之后,进行步骤s2之前,还包括了对碳化后的uio-66进行表面β-cd的修饰步骤。

10、优选地,步骤s1中,uio-66通过水热合成法制备得到,具体方法是:将zrcl4、对苯二甲酸、乙酸溶解于dmf中,混合均匀后水热处理;结束后冷却,经离心、洗涤、干燥,得uio-66;

11、其中,zrcl4、对苯二甲酸、乙酸的比例为:(180-200)mg:(120-140)mg:(8-12)g。

12、优选地,步骤s1中,uio-66碳化的具体方法是:将uio-66置于管式炉内,氩气气氛下,梯度式升温、保温直至温度达到550-650℃,然后退火4-6h后冷却。

13、优选地,对碳化后的uio-66进行表面β-cd修饰的具体方法是:将碳化后的uio-66溶于dmf中,再加入β-cd,搅拌后过滤,滤渣烘干即可;

14、其中,β-cd与碳化后的uio-66的质量比为1:(0.8-1.2)。

15、优选地,步骤s2中,铸膜液的制备方法是:将碳化后的uio-66、speek分散于dmf中,超声后球磨即可;

16、其中碳化后的uio-66的加入量为speek加入量的1-4%。

17、优选地,步骤s2中,流延法制膜的具体方法为:在刮膜机上刮膜后,于55-75℃下预成型5-7h,随后于真空、90-110℃下干燥11-14h,冷却后将膜剥离。

18、任一上述的基于uio66改性的杂化膜在全钒液流电池中的应用。

19、本专利技术的有益效果在于:

20、(1)该杂化膜断面致密均匀,且在强酸强氧化条件下具备良好的化学稳定性。

21、(2)β-cuio-66与speek间存在的相互作用,使speek/β-cuio-66杂化膜的吸水率和拉伸强度相较于speek膜大幅提升,溶胀率明显下降,且不同β-cuio-66含量的膜性能均优于对应掺杂比的speek/cuio-66杂化膜。

22、(3)使用s/β-cuio-66-3%杂化膜组装的全钒液流电池具有比speek膜和s/cuio-66-3%杂化膜更高的ve和ee。

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【技术保护点】

1.一种基于UiO66改性的杂化膜,其特征在于,所述杂化膜的主要包括有聚合物基质,其中掺杂有碳化后的UiO-66。

2.根据权利要求1所述的基于UiO66改性的杂化膜,其特征在于,所述的碳化后的UiO-66的表面还经过了β-CD的修饰;聚合物基质是SPEEK。

3.权利要求1所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,在步骤S1之后,进行步骤S2之前,还包括了对碳化后的UiO-66进行表面β-CD的修饰步骤。

5.根据权利要求3所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,UiO-66通过水热合成法制备得到,具体方法是:将ZrCl4、对苯二甲酸、乙酸溶解于DMF中,混合均匀后水热处理;结束后冷却,经离心、洗涤、干燥,得UiO-66;

6.根据权利要求3所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,UiO-66碳化的具体方法是:将UiO-66置于管式炉内,氩气气氛下,梯度式升温、保温直至温度达到550-650℃,然后退火4-6h后冷却。

7.根据权利要求4所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,对碳化后的UiO-66进行表面β-CD修饰的具体方法是:将碳化后的UiO-66溶于DMF中,再加入β-CD,搅拌后过滤,滤渣烘干即可;

8.根据权利要求1所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,

9.根据权利要求1所述的基于UiO66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,

10.权利要求1-2任一所述的基于UiO66改性的杂化膜在全钒液流电池中的应用。

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【技术特征摘要】

1.一种基于uio66改性的杂化膜,其特征在于,所述杂化膜的主要包括有聚合物基质,其中掺杂有碳化后的uio-66。

2.根据权利要求1所述的基于uio66改性的杂化膜,其特征在于,所述的碳化后的uio-66的表面还经过了β-cd的修饰;聚合物基质是speek。

3.权利要求1所述的基于uio66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的基于uio66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,在步骤s1之后,进行步骤s2之前,还包括了对碳化后的uio-66进行表面β-cd的修饰步骤。

5.根据权利要求3所述的基于uio66改性的杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤s1中,uio-66通过水热合成法制备得到,具体方法是:将zrcl4、对苯二甲酸、乙酸溶解于dmf中,混合均匀后水热处理;结束后冷却,经离心、...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐至黄康
申请(专利权)人:南京工业大学
类型:发明
国别省市:

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