【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、具有mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)等半导体芯片的半导体装置在电力变换等用途中被使用。例如，在上述的半导体装置是纵向型的mosfet的情况下，在半导体芯片的上表面设置的源极电极及栅极电极分别与在半导体芯片之上设置的连接器连接。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的课题是提供可靠性高的半导体装置。
2、实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，具有第1面、第2面、设置于第1面的第1电极、设置于第2面的第2电极和设置于第2面的第3电极；第1导电部件，包含第1部分及第2部分，且第1部分与第1电极电连接，从第1部分朝向半导体芯片的方向沿第1方向，从第2部分朝向第1部分的方向沿与第1方向交叉的第2方向；导电性的第1连接部件，设置于第1导电部件与第1电极之间；第2导电部件，包含第3部分及第4部分，从第3部分朝向第4部分的方向沿与第1方向交叉的第3方向；导电性的第2连接部件，设置于第2电极与第3部分之间；第3导电部件，包含第5部分、中间部分及第6部分，从第5部分朝向第6部分的方向沿与第1方向交叉的第4方向，在第4方向上中间部分设置于第5部分与第6部分之间，在第1方向上第5部分设置于半导体芯片与中间部分之间，中间部分具有贯通孔；以及导电性的第3连接部件，设置于第3电极与第5部分之间。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.一种半导体装置，其中，具备：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.如权利要求1或5所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.如权利要求1所述的半导...
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