双极化微带天线制造技术

技术编号:4077876 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种双极化微带天线包含:基板,包含第一表面及第二表面,其中第二表面接地;第一馈入点,位于第一表面;第二馈入点,位于第一表面;二辐射单元,平行第一表面,每一辐射单元包含第一侧边、第二侧边及缺口,其中缺口位于第一侧边及第二侧边之间;第一馈入线,电连接于辐射单元的第一侧边之间;第二馈入线,电连接于辐射单元的第二侧边之间;第三馈入线,电连接于第一馈入点与第一馈入线之间;及第四馈入线,电连接于第二馈入点与第二馈入线之间。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本创作有关一种微带天线,特别是一种双极化微带天线
技术介绍
随着无线通讯技术的发展,无线通讯网路成为通用的信息传输媒介,使通讯装置 脱离实体线路的束缚,而具有移动的便利性。然,有限的通讯范围亦限制了使用者的活动范 围,使用者必须处于通讯范围内,方可进行通讯传输。近年来发展的微波存取全球互通技术 (World Interoperability for MicrowaveAccess,以下简称 WiMAX),具有可视距离范围内 传输数据的特性,可满足使用者随时随地上网的需求,解除使用者活动范围的限制。然而,在使用者与日遽增的情形下,如何增加有限频谱的使用效率为当今重要课 题之一。无线电波可以垂直极化及水平极化传播,在无障碍环境中,此二极化波可为二互不 干扰的通讯载波,然现实环境并非完美,二极化波间仍会相互影响。因此,如何提高二极化 波的隔离度为天线设计上的重要课题。
技术实现思路
有鉴于此,本创作的主要目的在于提出一种双极化微带天线,可有效提高垂直极 化波与水平极化波的隔离度。一种双极化微带天线包含基板,包含第一表面及第二表面,其中第二表面接地; 第一馈入点,位于第一表面;第二馈入点,位于第一表面;二辐射单元,平行第一表面,每一 辐射单元包含第一侧边、第二侧边及缺口,其中缺口位于第一侧边及第二侧边之间;第一馈 入线,电连接于二辐射单元的第一侧边之间;第二馈入线,电连接于二辐射单元的第二侧边 之间;第三馈入线,电连接于第一馈入点与第一馈入线之间;及第四馈入线,电连接于第二 馈入点与第二馈入线之间。一种双极化微带天线包含基板,包含第一表面及第二表面,其中第二表面接地; 第一馈入点,位于第一表面;第二馈入点,位于第一表面;辐射单元,平行第一表面,包含第 一侧边、第二侧边及缺口,其中缺口位于第一侧边及第二侧边之间;第一馈入线,电连接于 第一馈入点与第一侧边之间;及第二馈入线,电连接于第二馈入点与第二侧边之间。有关本创作的较佳实施例及其功效,兹配合附图说明如后。附图说明图1为本创作的第一实施例俯视图。图2为本创作的第一实施例及第二实施例侧视图。图3为本创作的第二实施例俯视图。图4为本创作的第三实施例俯视图。图5为本创作的第三实施例侧视图。图6为本创作的第三实施例第一馈入点的反射损失图。3图7为本创作的第三实施例第二馈入点的反射损失图。图8为本创作的第三实施例的第一馈入点与第二馈入点的隔离度量测结果。图9为本创作的第三实施例第一馈入点的增益图。图10为本创作的第三实施例第二馈入点的增益图。图11为本创作的第三实施例第一馈入点的H-Plane场型图。图12为本创作的第三实施例第二馈入点的H-Plane场型图。符号说明10:基板12 第二表面30 第二馈入点41 第一侧边43:缺口45 介质空间47 辐射单元49 辐射单元52 第二馈入线54:第四馈入线56:第六馈入线具体实施方式以下举出具体实施例以详细说明本创作的内容,并以附图作为辅助说明。说明中 提及的符号参照图标符号。请参照图1所示,为本创作的第一实施例俯视图。本实施例提出的双极化微带天 线包含基板10、第一馈入点20、第二馈入点30、辐射单元40、第一馈入线51及第二馈入线 52。基板10具有相对的第一表面11及第二表面12,其中第二表面12接地,可使辐射 单元40往正Z轴方向辐射,可增加讯号指向性并提升增益。第一馈入点20位于第一表面 11 ;第二馈入点30位于第一表面11。辐射单元40包含第一侧边41、第二侧边42及缺口 43,其中缺口 43位于第一侧边41及第二侧边42之间。第一馈入线51电连接于第一馈入 点20与第一侧边41的间;第二馈入线52电连接于第二馈入点30与第二侧边42之间。因 此,可自第一馈入点20及第二馈入点30输入激发讯号于辐射单元40激发出极化波。于此,辐射单元40实质可为经截去缺口 43的矩形金属片,藉由截去部分辐射单元 40,改变双极化的激发电流于辐射单元40表面的流动方向,可产生较高的隔离度。缺口 43 可为矩形。辐射单元40更可包含至少一槽孔44,设置于第一馈入线51与辐射单元40间的 连接处,或第二馈入线52与辐射单元40间的连接处,用以匹配微带天线的阻抗。请参照图2所示,为本创作的第一实施例侧视图。辐射单元40平行第一表面11, 其间产生的介质空间45可隔离辐射单元40与基板10。于此,第一馈入线51及第二馈入线 52位于第一表面11上,然其分别有一部份垂直基板10以连接至辐射单元40。在此,辐射 单元40与第一表面11的间隔距离较佳地可为5mm,但本创作非以此为限。11 第一表面 20 第一馈入点 40 辐射单元 42 第二侧边 44 槽孔 46 辐射单元 48 辐射单元 51 第一馈入线 53 第三馈入线 55 第五馈入线4请参照图3,为本创作的第二实施例俯视图。为了提高天线讯号强度,可以将二个 辐射单元40组合为数组天线。本实施例提出的双极化微带天线包含基板10、第一馈入点 20、第二馈入点30、二辐射单元40、第一馈入线51、第二馈入线52、第三馈入线53及第四馈 入线54。基板10包含第一表面11及第二表面12,其中第二表面12接地。第一馈入点20 位于第一表面11,第二馈入点20位于第一表面11。每一辐射单元40包含第一侧边41、第 二侧边42及缺口 43,其中缺口 43位于第一侧边41及第二侧边42之间。第一馈入线51电 连接于二辐射单元40的第一侧边41之间;第二馈入线52电连接于二辐射单元40的第二 侧边42之间。第三馈入线53电连接于第一馈入点20与第一馈入线51之间;第四馈入线 54电连接于第二馈入点30与第二馈入线52之间。于此,辐射单元40实质可为经截去缺口 43的矩形金属片,藉由截去部分辐射单元 40,改变双极化的激发电流于辐射单元40表面的流动方向,可产生较高的隔离度。缺口 43 可为矩形。辐射单元40更可包含至少一槽孔44,设置于第一馈入线51与辐射单元40间的 连接处,或第二馈入线52与辐射单元40间的连接处,用以匹配微带天线的阻抗。前述说明的辐射单元40及其缺口 43仅为举例,本创作非以此为限,辐射单元40 及其缺口 43可为其它合适的形状,且两者的形状可为不相同。请参照图2所示,亦可为本创作的第二实施例侧视图。在本实施例中,二辐射单元 40相邻且位于同平面,并平行于第一表面11,其中,辐射单元40与第一表面11间产生的介 质空间45可隔离辐射单元40与基板10。于此,第一馈入线51、第二馈入线52、第三馈入线 53及第四馈入线54位于第一表面11上,然其分别有一部份垂直基板10以连接至辐射单元40。在此,辐射单元40与第一表面11的间隔距离较佳地可为5mm,但本创作非以此为限。请参照图4所示,为本创作的第三实施例俯视图。本实施例为本创作的较佳实施 例,以四个辐射单元40组合为数组天线,可提升天线讯号强度,并拥有较佳的指向性。本实 施例提出的双极化微带天线包含基板10、第一馈入点20、第二馈入点30、四辐射单元46 49、第一馈入线51、第二馈入线52、第三馈入线53、第四馈入线54、第五馈入线55及第六馈 入线56。基板10包含第一表面11及第二表面12,其中第二表面1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极化微带天线,其特征在于,包含:一基板,包含一第一表面及一第二表面,其中该第二表面接地;一第一馈入点,位于该第一表面;一第二馈入点,位于该第一表面;二辐射单元,平行该第一表面,每一该些辐射单元包含一第一侧边、一第二侧边及一缺口,其中该缺口位于该第一侧边及该第二侧边之间;一第一馈入线,电连接于该些辐射单元的该第一侧边之间;一第二馈入线,电连接于该些辐射单元的该第二侧边之间;一第三馈入线,电连接于该第一馈入点与该第一馈入线之间;及一第四馈入线,电连接于该第二馈入点与该第二馈入线之间。

【技术特征摘要】
一种双极化微带天线,其特征在于,包含一基板,包含一第一表面及一第二表面,其中该第二表面接地;一第一馈入点,位于该第一表面;一第二馈入点,位于该第一表面;二辐射单元,平行该第一表面,每一该些辐射单元包含一第一侧边、一第二侧边及一缺口,其中该缺口位于该第一侧边及该第二侧边之间;一第一馈入线,电连接于该些辐射单元的该第一侧边之间;一第二馈入线,电连接于该些辐射单元的该第二侧边之间;一第三馈入线,电连接于该第一馈入点与该第一馈入线之间;及一第四馈入线,电连接于该第二馈入点与该第二馈入线之间。2.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,每一该些辐射单元更包含至少一槽孔, 用以匹配该微带天线的阻抗。3.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王洋凯黄永豪陈华明林忆芳陈建宏
申请(专利权)人:长盛科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利