【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅棒检测，具体设计一种硅棒电性能检测方法及检测系统。
技术介绍
1、硅棒的pn型、电阻率和少子寿命等参数是硅棒重要的电性能检测指标，直接影响了太阳能电池的发电效率。目前硅棒的pn型、电阻率和少子寿命检测只针对短硅棒检测，即长硅棒裁断后的端面平整的短硅棒。具体地，将检测仪器的检测探头与短硅棒的端面相接触，采集端面多点数据，以获得短硅棒的pn型、电阻率和少子寿命，用于指导后续划线评级。然而当将长硅棒裁断为短棒时检测时，检测到不合格的短硅棒需要再次切除，增加了切除次数，降低生产效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种硅棒电性能检测方法及检测系统。
2、本申请的硅棒电性能检测方法包括：
3、沿硅棒的轴向间隔设置多个电性能测试区；
4、在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案；
5、检测每个所述刻印图案位置对应的电阻率和少子寿命；
6、确定每个所述电性...
【技术保护点】
1.一种硅棒电性能检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案，包括：
3.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述电性能测试区的数量为m1个，每个所述电性能测试区的刻印图案均为n1个；
4.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案刻印在所述硅棒上相邻两个晶线之间的区域。
5.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的外周轮廓呈矩形且所述矩形的长边与所述硅棒的轴向垂直设置
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【技术特征摘要】
1.一种硅棒电性能检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案，包括：
3.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述电性能测试区的数量为m1个，每个所述电性能测试区的刻印图案均为n1个；
4.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案刻印在所述硅棒上相邻两个晶线之间的区域。
5.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的外周轮廓呈矩形且所述矩形的长边与所述硅棒的轴向垂直设置。
6.根据权利要求5所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的长度为a,所述刻印图案的宽度为b,其中10mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李宏，张遵浩，景健，曹震，刘祖耀，张杭军，
申请(专利权)人：杭州中为光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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