【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅棒检测，具体设计一种硅棒电性能检测方法及检测系统。
技术介绍
1、硅棒的pn型、电阻率和少子寿命等参数是硅棒重要的电性能检测指标，直接影响了太阳能电池的发电效率。目前硅棒的pn型、电阻率和少子寿命检测只针对短硅棒检测，即长硅棒裁断后的端面平整的短硅棒。具体地，将检测仪器的检测探头与短硅棒的端面相接触，采集端面多点数据，以获得短硅棒的pn型、电阻率和少子寿命，用于指导后续划线评级。然而当将长硅棒裁断为短棒时检测时，检测到不合格的短硅棒需要再次切除，增加了切除次数，降低生产效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种硅棒电性能检测方法及检测系统。
2、本申请的硅棒电性能检测方法包括：
3、沿硅棒的轴向间隔设置多个电性能测试区；
4、在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案；
5、检测每个所述刻印图案位置对应的电阻率和少子寿命；
6、确定每个所述电性能测试区的电阻率和少子寿命；
7、通过所述刻印图案检测一次所述硅棒的pn型。
8、在一些实施例中，所述在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案，包括：
9、在每个所述电性能测试区的表面，沿所述硅棒的周向间隔刻印多个刻印图案；
10、所述确定每个所述电性能测试区的电阻率和少子寿命，包括：
11、将同一所述电性能测试区上的所有所述刻印图案位
12、将同一所述电性能测试区上的所有所述刻印图案位置对应的少子寿命的平均值作为该电性能测试区的少子寿命。
13、在一些实施例中，所述电性能测试区的数量为m1个，每个所述电性能测试区的刻印图案均为n1个；
14、所述电性能测试区的电阻率为：
15、
16、rj为第j个所述电性能测试区的电阻率，ri为每个所述电性能测试区第i个刻印图案位置对应的电阻率，1≤i≤n1,1≤j≤m1；
17、所述电性能测试区的少子寿命为：
18、
19、tj为第j个所述电性能测试区的少子寿命，ti为每个所述电性能测试区第i个刻印图案位置对应的少子寿命，1≤i≤n1,1≤j≤m1。
20、在一些实施例中，所述刻印图案刻印在所述硅棒上相邻两个晶线之间的区域。
21、在一些实施例中，所述刻印图案的外周轮廓呈矩形且所述矩形的长边与所述硅棒的轴向垂直设置。
22、在一些实施例中，所述刻印图案的长度为a,所述刻印图案的宽度为b,其中10mm≤a≤100mm,20mm≤b≤60mm。
23、本申请实施例的硅棒电性能检测系统，所述硅棒电性能检测系统实施上述任一实施例中所述的硅棒电性能检测方法包括：
24、机架；
25、支撑旋转装置，所述支撑旋转装置设在所述机架上用于支撑和旋转硅棒；
26、三轴直线运动模组，所述三轴直线运动模组设在所述机架上，所述三轴直线运动模组上设有安装架以带动所述安装架在x轴、y轴和z轴三个方向上运动；
27、检测装置，所述检测装置设在所述安装架上，所述检测装置包括激光刻印装置、pn型电阻率检测仪和少子寿命检测仪，所述激光刻印装置用于在所述硅棒的表面刻印出刻印图案，所述pn型电阻率检测仪通过所述硅棒上的刻印图案部位检测所述硅棒的pn型和电阻率，所述少子寿命检测仪通过所述硅棒上的刻印图案部位检测所述硅棒的少子寿命。
28、在一些实施例中，本申请实施例的硅棒电性能检测系统还包括：
29、控制模块，所述控制模块包括运动控制模块和检测控制模块，所述运动控制模块分别与所述支撑旋转装置和所述三轴直线运动模组相连，所述检测控制模块与所述检测装置相连，所述检测控制模块用于接收、处理和分析所述硅棒的pn型、电阻率和少子寿命信息。
30、在一些实施例中，所述检测装置还包括刻印识别装置，所述刻印识别装置用于检测所述硅棒上刻印图案的质量，以通过所述刻印图案检测所述硅棒的电性能信息。
31、在一些实施例中，本申请实施例的硅棒电性能检测系统还包括上下料装置，所述上下料装置包括上下料机械手、硅棒转运车和转运停靠装置，所述硅棒转运车用于将所述硅棒运输至所述转运停靠装置位置处，所述上下料机械手用于抓取所述硅棒进行上料或下料。
32、本申请实施例的硅棒电性能检测方法通过沿着硅棒的轴线方向在硅棒的表面刻印出若干个刻印图案，用作硅棒电性能检测的检测位置，可以避免将长硅棒分段裁切成短硅棒后再对短硅棒的裁切端面进行电性能的检测，也就是说，通过检测硅棒外圆面即获得电性能数据，不需要将长硅棒等到切成短棒才能检测，使得检测工序前置，可以集中对硅棒的电性能指标进行检测，减少了生产加工资源的浪费，提高了检测效率，进而提高了生产效率。
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1.一种硅棒电性能检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案，包括：
3.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述电性能测试区的数量为m1个，每个所述电性能测试区的刻印图案均为n1个；
4.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案刻印在所述硅棒上相邻两个晶线之间的区域。
5.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的外周轮廓呈矩形且所述矩形的长边与所述硅棒的轴向垂直设置。
6.根据权利要求5所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的长度为a,所述刻印图案的宽度为b,其中10mm≤a≤100mm,20mm≤b≤60mm。
7.一种硅棒电性能检测系统，所述硅棒电性能检测系统实施权利要求1-6中任一项所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的硅棒电性能检测系统，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求7所
10.根据权利要求7所述的硅棒电性能检测系统，其特征在于，还包括上下料装置，所述上下料装置包括上下料机械手、硅棒转运车和转运停靠装置，所述硅棒转运车用于将所述硅棒运输至所述转运停靠装置位置处，所述上下料机械手用于抓取所述硅棒进行上料或下料。
...【技术特征摘要】
1.一种硅棒电性能检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案，包括：
3.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述电性能测试区的数量为m1个，每个所述电性能测试区的刻印图案均为n1个；
4.根据权利要求2所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案刻印在所述硅棒上相邻两个晶线之间的区域。
5.根据权利要求1所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的外周轮廓呈矩形且所述矩形的长边与所述硅棒的轴向垂直设置。
6.根据权利要求5所述的硅棒电性能检测方法，其特征在于，所述刻印图案的长度为a,所述刻印图案的宽度为b,其中10mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李宏，张遵浩，景健，曹震，刘祖耀，张杭军，
申请(专利权)人：杭州中为光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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