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本申请涉及硅棒缺陷检测技术领域且公开了一种硅棒电性能检测方法及检测系统，所述硅棒电性能检测方法，包括：沿硅棒的轴向间隔设置多个电性能测试区；在每个所述电性能测试区的表面刻印出刻印图案；检测每个所述刻印图案位置对应的电阻率和少子寿命；确定每个...
该专利属于杭州中为光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中为光电技术有限公司授权不得商用。

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