一种占空比降频跟随驱动电路制造技术

2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：

3、一种占空比降频跟随驱动电路，包括boost功率模块、占空比降频跟随模块和冷却模块；所述占空比降频跟随模块的第一输入端用作外接第一pwm驱动信号，所述占空比降频跟随模块的第一输入端、第二输入端以及所述boost功率模块的输入端电连接，所述占空比降频跟随模块的输出端和所述冷却模块的输入端电连接；

4、所述boost功率模块根据外接的所述第一pwm驱动信号进行工作；

5、所述占空比降频跟随模块用于对外接的所述第一pwm驱动信号进行降频处理并保持占空比不变，生成第二pwm驱动信号；

6、所述冷却模块根据接收的所述第二pwm驱动信号进行工作。

7、进一步的，所述占空比降频跟随模块包括充放电选择单元、充放电单元和降频单元；所述充放电选择单元的第一输入端用作所述占空比降频跟随模块的第一输入端，所述充放电单元的输入端用作所述占空比降频跟随模块的第二输入端，所述降频单元的输出端用作所述占空比降频跟随模块的输出端；

8、所述充放电选择单元的第二输入端和所述降频单元的第一ct端电连接，所述充放电选择单元的控制端和所述充放电单元的控制端电连接，所述充放电单元的sw_on端和所述降频单元的sw_on端电连接，所述充放电单元的th端和所述降频单元的th端电连接，所述充放电单元的tl端和所述降频单元的tl端电连接，所述充放电选择单元的电源端和所述降频单元的第二ct端接5v电源，所述充放电单元的gnd端和所述降频单元的gnd端接地；

9、所述充放电选择单元接收所述第一pwm驱动信号和ct信号，生成充电信号和放电信号；当所述ct信号为高电平时，控制所述充放电单元为充电模式，当所述ct信号为低电平时，控制所述充放电单元为放电模式；

10、所述充放电单元用于接收所述第一pwm驱动信号和所述ct信号，当为充电模式且所述ct信号为高电平时，生成积分充电信号，当为放电模式且所述ct信号为低电平时，生成积分放电信号；

11、所述降频单元用于接收所述积分充电信号或所述积分放电信号，生成所述第二pwm驱动信号和所述ct信号；当接收到所述积分充电信号时，所述第二pwm驱动信号为高电平，且当所述积分充电信号上升至所述降频单元的内置th监控值时，所述第二pwm驱动信号翻转为低电平；当接收到所述积分放电信号时，所述第二pwm驱动信号为低电平，且当所述积分放电信号下降至所述降频单元的内置tl监控值时，所述第二pwm驱动信号翻转为高电平；所述ct信号的电平和所述第二pwm驱动信号的电平相同。

12、进一步的，所述降频单元包括ne555芯片u1、电容cb1、电容cb2和电阻r1；所述ne555芯片u1的7引脚用作所述降频单元的第一ct端和sw_on端，所述电阻r1的一端用作所述降频单元的第二ct端，所述ne555芯片u1的6引脚用作所述降频单元的th端，所述ne555芯片u1的2引脚用作所述降频单元的tl端，所述ne555芯片u1的3引脚用作所述降频单元的输出端，所述ne555芯片u1的1引脚用作所述降频单元的gnd端；

13、所述ne555芯片u1的7引脚和所述电阻r1的另一端电连接，所述ne555芯片u1的4引脚、所述ne555芯片u1的4引脚和所述电容cb1的一端均外接5v电源，所述电容cb1的另一端接地，所述ne555芯片u1的5引脚和所述电容cb3的一端电连接，所述电容cb3的另一端接地。

14、进一步的，所述充放电单元包括电阻r9、电阻r10、电阻r11、电容cb2、二极管db2、二极管db3和mos二极管q3；所述电阻r9的一端用作所述充放电单元的控制端，所述电阻r9的另一端用作所述充放电单元的th端，所述二极管db3的阳极用作所述充放电单元的输入端，所述电阻r10的一端用作所述充放电单元的tl端，所述mos二极管q3的栅极用作所述充放电单元的sw_on端，所述mos二极管q3的源极用作所述充放电单元的gnd端；

15、所述电阻r9的另一端和所述二极管db2的阴极电连接，所述二极管db2的阳极、所述电容cb2的一端均和所述电阻r10的一端电连接，所述电阻r10的另一端和所述二极管db3的阴极电连接，所述电容cb2的另一端和所述mos二极管q3的漏极电连接，所述mos二极管q3的栅极和所述电阻r11的一端电连接，所述mos二极管q3的源极和所述电阻r11的另一端电连接；

16、当所述ct信号为高电平，所述mos二极管q3导通；当所述ct信号为低电平，所述mos二极管q3截止。

17、进一步的，所述电阻r9和所述电阻r10的阻值相等，所述第二pwm驱动信号的频率f、所述电阻r9、所述电阻r10和所述电容cb2的数值之间的关系为：t＝0.693*r9(或r10)*cb2，f＝1/t，其中t为第二pwm驱动信号输出周期。

18、进一步的，所述充放电选择单元包括电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、三极管qm1和三极管qm2；所述电阻r2的一端用作所述充放电选择单元的电源端，所述电阻r5的一端用作所述充放电选择单元的第一输入端，所述三极管qm2的发射极用作所述充放电选择单元的第二输入端，所述三极管qm3的集电极用作所述充放电选择单元的控制端；

19、所述电阻r2的另一端、所述电阻r3的一端均和所述三极管qm1的集电极电连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：包括Boost功率模块、占空比降频跟随模块和冷却模块；所述占空比降频跟随模块的第一输入端用作外接第一PWM驱动信号，所述占空比降频跟随模块的第一输入端、第二输入端以及所述Boost功率模块的输入端电连接，所述占空比降频跟随模块的输出端和所述冷却模块的输入端电连接；

2.根据权利要求1所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述占空比降频跟随模块包括充放电选择单元、充放电单元和降频单元；所述充放电选择单元的第一输入端用作所述占空比降频跟随模块的第一输入端，所述充放电单元的输入端用作所述占空比降频跟随模块的第二输入端，所述降频单元的输出端用作所述占空比降频跟随模块的输出端；

3.根据权利要求2所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述降频单元包括NE555芯片U1、电容CB1、电容CB2和电阻R1；所述NE555芯片U1的7引脚用作所述降频单元的第一Ct端和SW_ON端，所述电阻R1的一端用作所述降频单元的第二Ct端，所述NE555芯片U1的6引脚用作所述降频单元的TH端，所述NE555芯片U1的2引脚用作所述降频单元的TL端，所述NE555芯片U1的3引脚用作所述降频单元的输出端，所述NE555芯片U1的1引脚用作所述降频单元的GND端；

4.根据权利要求2所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述充放电单元包括电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容CB2、二极管DB2、二极管DB3和MOS二极管Q3；所述电阻R9的一端用作所述充放电单元的控制端，所述电阻R9的另一端用作所述充放电单元的TH端，所述二极管DB3的阳极用作所述充放电单元的输入端，所述电阻R10的一端用作所述充放电单元的TL端，所述MOS二极管Q3的栅极用作所述充放电单元的SW_ON端，所述MOS二极管Q3的源极用作所述充放电单元的GND端；

5.根据权利要求4所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述电阻R9和所述电阻R10的阻值相等，所述第二PWM驱动信号的频率f、所述电阻R9、所述电阻R10和所述电容CB2的数值之间的关系为：T＝0.693*R9*CB2或T＝0.693*R10*CB2，f＝1/T，其中T为第二PWM驱动信号输出周期。

6.根据权利要求2所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述充放电选择单元包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管QM1和三极管QM2；所述电阻R2的一端用作所述充放电选择单元的电源端，所述电阻R5的一端用作所述充放电选择单元的第一输入端，所述三极管QM2的发射极用作所述充放电选择单元的第二输入端，所述三极管QM3的集电极用作所述充放电选择单元的控制端；

7.根据权利要求1所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述Boost功率模块包括电阻R7、电阻R8和MOS二极管Q2；所述MOS二极管Q2的漏极用作驱动后续电路，所述电阻R7的一端用作所述Boost功率模块的输入端；

8.根据权利要求1所述的一种占空比降频跟随驱动电路，其特征在于：所述冷却模块包括电阻R12、电阻R13、MOS二极管Q1、二极管DB1和负载T1；所述电阻R12的一端用作所述冷却模块的输入端；所述电阻R12的另一端、所述电阻R13的一端均和所述MOS二极管Q1的栅极电连接，所述MOS二极管Q1的源极和所述电阻R13的另一端接地，所述MOS二极管Q1的漏极、所述二极管DB1的阳极均和所述负载T1的一端电连接，所述二极管DB1的阴极和所述负载T1的另一端接12V电源。