【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子领域，尤其是涉及一种新型带输入过压保护的防倒流电路。
技术介绍
1、如图1所示，现有防倒流电路是通过n沟道mos管来实现防倒流电路的，需要加入隔离驱动电路和隔离辅助电源。隔离辅助电源为隔离驱动电路提供电能，隔离驱动电路为防倒流的n沟道mos管提供驱动，主控芯片负责给隔离驱动电路提供原边驱动和检测电流方向。
2、初始时接入pv，pv通过n沟道mos管的寄生二极管为后级拓扑提供电能，主控芯片通过电流采样电阻检测到电流为正向时打开n沟道mos管；当pv输入端没接入pv或者接入负载时，主控芯片通过电流采样电阻检测到电流为零或者电流为反向时关闭n沟道mos管，以此达到防倒流效果。
3、现有防倒流电路通过n沟道mos管来实现防倒流电路的，需要加入隔离驱动电路和隔离辅助电源，使整个防倒流电路设计较为复杂，不利于产品增加功能应用，令产品的市场竞争力不足。
4、为此，本专利技术提供一种新型带输入过压保护的防倒流电路。
技术实现思路
1、鉴于现有的技术存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种防倒流电路设计简单且具备多功能应用的防倒流电路如：防倒流功能、过压保护功能和防反接功能。
2、本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：
3、一种新型带输入过压保护的防倒流电路，包括pv输入单元，所述pv输入单元与pv输入过压检测单元电性连接，所述pv输入过压检测单元与受控单元电性连接，所述pv输入单元还与p沟道mos开关管单元电性连
4、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述p沟道mos开关管单元设有p沟道mos管m1，所述p沟道mos管m1的s端点与p沟道mos管m2的s端点电性连接，所述p沟道mos管m1的s端点还与稳压管dz2电性连接，所述稳压管dz2的另一端与p沟道mos管m1的g端点电性连接，所述p沟道mos管m2的s端点还与限流电阻r5电性连接，所述限流电阻r5的另一端与p沟道mos管m2的g端点电性连接。
5、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述pv输入单元设有pv+与pv-两个接入pv的接入点。
6、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述受控单元设有三极管q2，所述三极管q2的集电极与限流电阻r6电性连接，所述三极管q2的基极与限流电阻r3～4电性连接，所述三极管q2的基极还与三极管q1的集电极电性连接，所述三极管q1的基极与限流电阻r1～2电性连接，所述限流电阻r1另一端与二极管d2电性连接，所述二极管d2的另一端接入i/o端点，所述三极管q2的发射极、限流电阻r2的另一端、限流电阻r4的另一端与三极管q1的发射极并联电性连接。
7、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述电流采样单元由采样电阻rs1与所述主控芯片单元电性连接构成，所述采样电阻rs1还与bat-电性连接，所述主控芯片单元一端输出i/o端点。
8、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述pv输入过压检测单元设有稳压管dz1，所述稳压管dz1与二极管d1电性连接。
9、作为本专利技术进一步优选的技术方案，所述拓扑电路另一端与bat+电性连接。
10、如上所述，本专利技术提供的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，具有以下有益效果：
11、1、本专利技术利用上述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，与现有技术相比，一种新型带输入过压保护的防倒流电路的防倒流功能采用这样的电路结构：设置有两个对管p沟道mos管以实现防倒流功能，摒弃了传统利用n沟道mos管、隔离驱动电路和隔离辅助电源作防倒流电路的设计方案，简化了防倒流电路设计，为产品增加功能应用留下充足的空间。
12、2、本专利技术利用上述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，与现有技术相比，一种新型带输入过压保护的防倒流电路的过压保护功能采用这样的电路结构：设置有稳压管dz1，当电压过高时稳压管dz1反向击穿，进而使所述p沟道mos管m1、m2截止，以保护一种新型带输入过压保护的防倒流电路不会被高电压损毁。
13、3、本专利技术利用上述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，与现有技术相比，一种新型带输入过压保护的防倒流电路的防反接功能采用这样的电路结构：设置有二极管d1，所述二极管d1与所述p沟道mos管m1、m2寄生二极管的单向截止性，使所述p沟道mos管m1、m2截止，令主电路具备防反接功能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：包括PV输入单元，所述PV输入单元与PV输入过压检测单元电性连接，所述PV输入过压检测单元与受控单元电性连接，所述PV输入单元还与P沟道MOS开关管单元电性连接，所述P沟道MOS开关管单元与受控单元电性连接，所述受控单元还与电流采样单元电性连接，所述电流采样单元还与主控芯片单元电性连接，所述P沟道MOS开关管单元还与拓扑电路电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述P沟道MOS开关管单元设有P沟道MOS管M1，所述P沟道MOS管M1的S端点与P沟道MOS管M2的S端点电性连接，所述P沟道MOS管M1的S端点还与稳压管DZ2电性连接，所述稳压管DZ2的另一端与P沟道MOS管M1的G端点电性连接，所述P沟道MOS管M2的S端点还与限流电阻R5电性连接，所述限流电阻R5的另一端与P沟道MOS管M2的G端点电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述PV输入单元设有PV+与PV-两个接入PV的接入点。
4.根据权
5.根据权利要求4所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述电流采样单元由采样电阻RS1与所述主控芯片单元电性连接构成，所述采样电阻RS1还与BAT-电性连接，所述主控芯片单元一端输出I/O端点。
6.根据权利要求5所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述PV输入过压检测单元设有稳压管DZ1，所述稳压管DZ1与二极管D1电性连接。
7.根据权利要求6所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述拓扑电路另一端与BAT+电性连接。
...【技术特征摘要】
1.一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：包括pv输入单元，所述pv输入单元与pv输入过压检测单元电性连接，所述pv输入过压检测单元与受控单元电性连接，所述pv输入单元还与p沟道mos开关管单元电性连接，所述p沟道mos开关管单元与受控单元电性连接，所述受控单元还与电流采样单元电性连接，所述电流采样单元还与主控芯片单元电性连接，所述p沟道mos开关管单元还与拓扑电路电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述p沟道mos开关管单元设有p沟道mos管m1，所述p沟道mos管m1的s端点与p沟道mos管m2的s端点电性连接，所述p沟道mos管m1的s端点还与稳压管dz2电性连接，所述稳压管dz2的另一端与p沟道mos管m1的g端点电性连接，所述p沟道mos管m2的s端点还与限流电阻r5电性连接，所述限流电阻r5的另一端与p沟道mos管m2的g端点电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种新型带输入过压保护的防倒流电路，其特征在于：所述pv输入单元设有pv+与pv-两个接入pv的接入点。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴长华，许杰强，郭捷丰，
申请(专利权)人：美世乐广东新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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