【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，更具体地，涉及包括彼此交叠的位线的半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、半导体器件由于其尺寸小、多功能特性和/或制造成本低而被广泛地用在电子行业中。半导体器件可以被分类为以下中的任何一种：用于存储逻辑数据的半导体存储器件、用于处理逻辑数据的半导体逻辑器件、以及具有半导体存储器件的功能和半导体逻辑器件的功能两者的混合半导体器件。
2、由于一直要求高速度和/或低功率电子装置，因此也一直要求在其中使用的高速度和/或低电压半导体器件，并且已经需要高度集成的半导体器件来满足这些需求。然而，随着半导体器件的集成密度增加，半导体器件的电气特性和生产产量可能会劣化或降低。因此，已经不同地研究了用于提高半导体器件的电气特性和生产产量的技术。
技术实现思路
1、一个方面是提供一种具有提高的电气特性和可靠性的半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。
2、根据一个或更多个实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：栅极堆...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一位线的水平高度低于所述第二位线的水平高度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述旁路结构的所述第二部分在所述垂直方向上与所述第一位线交叠。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述旁路结构的所述第一部分的至少一部分的水平高度位于与所述第一位线的水平高度相同的水平高度处。
7...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一位线的水平高度低于所述第二位线的水平高度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述旁路结构的所述第二部分在所述垂直方向上与所述第一位线交叠。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述旁路结构的所述第一部分的至少一部分的水平高度位于与所述第一位线的水平高度相同的水平高度处。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述旁路结构的所述第二部分的水平高度高于所述第一位线的水平高度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第三位线的水平高度位于与所述第二位线的水平高度相同的水平高度处。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，李在薰，曹升铉，沈载株，李东植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。