【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制备，具体涉及一种led芯片制造方法。
技术介绍
1、目前，led作为第四代照明由于其功耗低、体积小、可靠性高、寿命高等优点，被广泛应用在车灯、显示、背光乃至光通信等领域。随着led应用领域的不断发展，led芯片的可靠性和散热性需要达到更高的标准。其中电极结构膜层的包覆性直接影响了led芯片的导电性和可靠性。
2、常见电极制备多采用cr/al/ti/ni/pt/au等金属叠加制作而成，通过电子束蒸镀制作电极结构，其中底层一般使用粘附性较好的cr、ti等金属，保证电极与基板的粘附性，第二层采用反射率较高的al、ag等反射率较高的金属，提高芯片亮度；中间层采用ti、ni、pt等用作缓冲层，增加电极的耐温性；最外层一般使用au作为金属保护层。电极包覆性是指金属层中上层金属要完全包覆住下层金属，当包覆性不好时，底层al较活泼，受热已发生迁移，造成au&al互溶从而导致电极结构出现孔洞，断裂等异常，从而导致漏电，死灯等老化失效现象。如公开号为：cn116960238a公开的名称为：led芯片的制备方法及led芯片的专利申请，提出了通过调整蒸镀时镀锅相对于水平面的角度，改善包覆性的问题，但是亦不能从根本上解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种led芯片制造方法。
2、本专利技术为解决其技术问题所采用的技术方案为：一种led芯片制造方法，包括以下步骤：
3、步骤一：晶圆制备；>
4、步骤二：制作电极图形；
5、步骤三：清洗；
6、步骤四：蒸镀；
7、步骤五：剥离去胶。
8、所述晶圆包括电流阻挡层及电流扩散层。所述步骤二中制作电极图形依次经过涂胶-曝光-烘烤-显影工序得到。
9、所述涂胶工序中涂胶的胶体厚度为电极厚度的1.5倍-2倍。这样更有利于控制电极的包覆性。
10、所述曝光工序中使用步进式曝光机进行曝光作业，曝光量的取值范围为：160mj/㎝2-320mj/㎝2。
11、所述烘烤工序中将曝光后的半成品芯片置于热盘上进行烘烤作业，烘烤的温度范围为105℃-115℃。如果烘烤温度较低则无法完全消除驻波图形，这将影响分辨率。而烘烤温度过高则会产生过度烘烤，造成光刻胶的聚合作用，影响显影过程，进而导致图形转移失败。
12、所述显影工序中将烘烤后的圆晶置于显影液中。
13、所述步骤三中包括等离子去胶清洗及晶圆水洗；
14、所述等离子去胶清洗中通过等离子设备对晶圆表面进行残胶去除，避免晶圆表面有残胶影响后续电极蒸镀时电极的粘附性；
15、所述晶圆水洗中使用diw水对晶圆表面进行清洗，去除晶圆表面的杂质。
16、所述蒸镀中采用电极蒸镀，蒸镀的角度范围为95°-105°。现有电极蒸发角度通常设置为90°，而本申请将角度设置为100°±5°，通过调整电极入射蒸发角度，从而得到比较好的电极包覆性。
17、所述蒸镀电极层结构为cr-al-ti-ni-pt-ni-pt-au。
18、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
19、本专利技术提供一种led芯片制造方法，前期在涂胶工序中，控制涂胶的胶体厚度以便于控制后续电极的包覆性，随后在进行蒸镀过程中，调节蒸镀电极的入射蒸发角度，从而得到比较好的电极包覆性。除此以外，本申请对蒸镀电极的层结构进行了改进，多管齐下，更有利于提高金属各层之间的包覆性。
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1.一种LED芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述晶圆包括电流阻挡层及电流扩散层。
3.根据权利要求1或2所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述步骤二中制作电极图形依次经过涂胶-曝光-烘烤-显影工序得到。
4.根据权利要求3所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述涂胶工序中涂胶的胶体厚度为电极厚度的1.5倍-2倍。
5.根据权利要求3所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述曝光工序中使用步进式曝光机进行曝光作业，曝光量的取值范围为：160mj/㎝2-320mj/㎝2。
6.根据权利要求3所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述烘烤工序中将曝光后的半成品芯片置于热盘上进行烘烤作业，烘烤的温度范围为105℃-115℃。
7.根据权利要求3所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述步骤三中包括等离子去胶清洗及晶圆水洗；
8.根据权利要求3所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述蒸镀中采用电极蒸镀，蒸
9.根据权利要求8所述的一种LED芯片制造方法，其特征在于，所述蒸镀电极层结构为Cr-Al-Ti-Ni-Pt-Ni-Pt-Au。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种led芯片制造方法，其特征在于，所述晶圆包括电流阻挡层及电流扩散层。
3.根据权利要求1或2所述的一种led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤二中制作电极图形依次经过涂胶-曝光-烘烤-显影工序得到。
4.根据权利要求3所述的一种led芯片制造方法，其特征在于，所述涂胶工序中涂胶的胶体厚度为电极厚度的1.5倍-2倍。
5.根据权利要求3所述的一种led芯片制造方法，其特征在于，所述曝光工序中使用步进式曝光机进行曝光作业，曝光量的取值范围为：160mj...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱帅，章焱，
申请(专利权)人：湖南蓝芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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