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用于NFC设备的控制方法、NFC设备技术

技术编号:40750307 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-25 20:06
本公开涉及近场通信技术领域,公开了一种用于NFC设备的控制方法、NFC设备,NFC设备处于卡模拟模式,控制方法包括:在确定NFC设备进入到读卡器的射频场后,判断NFC设备是否被读卡器检测到;在确定NFC设备未被读卡器检测到时,调整NFC设备的至少一项目标参数,其中,NFC设备的目标参数是能够引起读卡器的射频场发生变化的参数;在确定NFC设备被读卡器检测到时,保持NFC设备的当前的各项目标参数。上述方法可以使读卡器不必始终保持低功耗卡检测模式下较小的射频场来检测NFC设备,而是能够基于变化后的射频场重新检测NFC设备,进而提高NFC设备被低功耗卡检测模式下的读卡器检测到的概率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及近场通信,例如涉及一种用于nfc设备的控制方法、nfc设备。


技术介绍

1、近场通信(near field communication,nfc)是一种短距离无线通信技术,具有nfc功能的nfc设备广泛应用于各种应用场景。nfc设备在处于卡模拟模式时,nfc设备可以模拟成为一张非接触卡,读卡器可以从nfc设备中采集数据,然后将数据传送到应用系统进行处理。

2、读卡器可以向外发射射频场,基于射频场检测是否有向其靠近的nfc设备。在相关技术中,为了降低功耗,读卡器可以在低功耗卡检测(low power card detection,lpcd)模式下运行,在低功耗卡检测模式下,读卡器发射的射频场的场强较小,从而实现降低功耗的效果。

3、然而在一些情况下,读卡器依靠场强较小的射频场通常难以及时准确地检测到向其靠近的nfc设备。可见,相关技术存在nfc设备被低功耗卡检测模式下的读卡器检测到的概率较低的问题。

4、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。

2、本公开实施例提供了一种用于nfc设备的控制方法、nfc设备,可以提高nfc设备被低功耗卡检测模式下的读卡器检测到的概率。

3、根据本公开的第一方面,提供了一种用于nfc设备的控制方法,nfc设备处于卡模拟模式,用于nfc设备的控制方法包括:

4、在确定nfc设备进入到读卡器的射频场后,判断nfc设备是否被读卡器检测到;

5、在确定nfc设备未被读卡器检测到时,调整nfc设备的至少一项目标参数,其中,nfc设备的目标参数是能够引起读卡器的射频场发生变化的参数;

6、在确定nfc设备被读卡器检测到时,保持nfc设备的当前的各项目标参数。

7、在一些实施例中,nfc设备的至少一项目标参数包括发射管子数;调整nfc设备的至少一项目标参数,包括:调整nfc设备的发射管子数。

8、在一些实施例中,nfc设备的至少一项目标参数包括发射电压的电压值;调整nfc设备的至少一项目标参数,包括:调整nfc设备的发射电压的电压值。

9、在一些实施例中,nfc设备的至少一项目标参数包括发射管子数和发射电压的电压值;调整nfc设备的至少一项目标参数,包括:逐步调整nfc设备的发射管子数;在调整nfc设备的发射管子数的过程中,确定nfc设备被读卡器检测到时,停止调整nfc设备的发射管子数;在nfc设备的发射管子数已被调整到数量阈值、并且确定nfc设备仍未被读卡器检测到时,调整nfc设备的发射电压的电压值。

10、在一些实施例中,调整nfc设备的发射电压的电压值,包括:逐步调整nfc设备的发射电压的电压值;在调整nfc设备的发射管子数的过程中,确定nfc设备被读卡器检测到时,停止调整nfc设备的发射电压的电压值。

11、在一些实施例中,nfc设备的至少一项目标参数包括发射管子数和发射电压的电压值;调整nfc设备的至少一项目标参数,包括:逐步调整nfc设备的发射管子数和发射电压的电压值;在调整nfc设备的发射管子数和发射电压的电压值的过程中,确定nfc设备被读卡器检测到时,停止调整nfc设备的发射管子数和发射电压的电压值。

12、在一些实施例中,在调整nfc设备的至少一项目标参数之后,还包括:在nfc设备的各项目标参数均已被调整到相应的参数阈值、并且确定nfc设备仍未被读卡器检测到时,主动发射射频场。

13、在一些实施例中,主动发射的射频场的场持续时间,大于所述读卡器所发射的射频场对应的发场时间间隔;所述主动发射的射频场,包括:按照包含场持续时间的发场参数主动发射射频场。

14、在一些实施例中,在按照包含场持续时间的发场参数主动发射射频场之前,还包括:确定读卡器所发射的射频场对应的发场时间间隔;基于发场时间间隔,确定出大于发场时间间隔的场持续时间。

15、在一些实施例中,主动发射的射频场的场强对应的电压值,不超过nfc设备的功耗要求对应的电压阈值;主动发射的射频场,包括:按照包含场强对应的电压值的发场参数主动发射射频场。

16、在一些实施例中,主动发射的射频场的场持续时间,大于读卡器所发射的射频场对应的发场时间间隔;主动发射的射频场的场强对应的电压值,不超过nfc设备的功耗要求对应的电压阈值;主动发射的射频场,包括:按照包含场持续时间和场强对应的电压值的发场参数主动发射射频场。

17、在一些实施例中,主动发射的射频场的场持续时间的取值范围为10毫秒至500毫秒。

18、在一些实施例中,主动发射的射频场的场强对应的电压值的取值范围为500毫伏至3伏。

19、根据本公开的第二方面,提供一种nfc设备,nfc设备包括nfc模块,nfc模块被配置为本公开第一方面提供的用于nfc设备的控制方法。

20、本公开实施例提供的用于nfc设备的控制方法、nfc设备,可以实现以下技术效果:

21、对于处于低功耗卡检测模式下读卡器,在nfc设备进入到读卡器的射频场后,如果nfc设备未被读卡器检测到,nfc设备通过主动调整自身的目标参数来引起读卡器的射频场发生变化,使得读卡器不必始终保持低功耗卡检测模式下较小的射频场来检测nfc设备,而是能够基于变化后的射频场重新检测nfc设备,这有助于读卡器更容易检测到nfc设备,进而提高nfc设备被低功耗卡检测模式下的读卡器检测到的概率。

22、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本公开。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于NFC设备的控制方法,所述NFC设备处于卡模拟模式,其特征在于,所述控制方法包括:

2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述NFC设备的至少一项目标参数包括发射管子数;所述调整所述NFC设备的至少一项目标参数,包括:调整所述NFC设备的发射管子数。

3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述NFC设备的至少一项目标参数包括发射电压的电压值;所述调整所述NFC设备的至少一项目标参数,包括:调整所述NFC设备的发射电压的电压值。

4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述NFC设备的至少一项目标参数包括发射管子数和发射电压的电压值;所述调整所述NFC设备的至少一项目标参数,包括:

5.根据权利要求4所述的控制方法,其特征在于,所述调整所述NFC设备的发射电压的电压值,包括:

6.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述NFC设备的至少一项目标参数包括发射管子数和发射电压的电压值;所述调整所述NFC设备的至少一项目标参数,包括:

7.根据权利要求1至6任一项所述的控制方法,其特征在于,在所述调整所述NFC设备的至少一项目标参数之后,还包括:

8.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,主动发射的射频场的场持续时间,大于所述读卡器所发射的射频场对应的发场时间间隔;

9.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,主动发射的射频场的场强对应的电压值,不超过所述NFC设备的功耗要求对应的电压阈值;

10.一种NFC设备,其特征在于,所述NFC设备包括NFC模块,所述NFC模块被配置为执行如权利要求1至9任一项所述的用于NFC设备的控制方法。

...

【技术特征摘要】

1.一种用于nfc设备的控制方法,所述nfc设备处于卡模拟模式,其特征在于,所述控制方法包括:

2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述nfc设备的至少一项目标参数包括发射管子数;所述调整所述nfc设备的至少一项目标参数,包括:调整所述nfc设备的发射管子数。

3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述nfc设备的至少一项目标参数包括发射电压的电压值;所述调整所述nfc设备的至少一项目标参数,包括:调整所述nfc设备的发射电压的电压值。

4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述nfc设备的至少一项目标参数包括发射管子数和发射电压的电压值;所述调整所述nfc设备的至少一项目标参数,包括:

5.根据权利要求4所述的控制方法,其特征在于,所述调整所述nfc设备的发射电压的电...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄金煌
申请(专利权)人:北京紫光青藤微系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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