N-TOPCON电池硼扩散方法、制备方法及电池、电池组件技术

本发明专利技术公开了一种N‑TOPCon电池硼扩散方法、制备方法及电池、电池组件，属于TOPCON电池及组件技术领域，清洗后的硅片，采用PECVD工艺在正面沉积POLY层，并通入BH<subgt;3</subgt;，硼离子捕获电子形成硼单质，均匀分布在POLY层中，然后再对正面进行选择性制绒。本发明专利技术有益效果是：对清洗后的硅片进行正面POLY层沉积同时沉积硼单质，BH<subgt;3</subgt;在射频能量的引发下形成高能电子及硼离子，硼离子捕获电子形成硼单质，均匀的分布在POLY层中，形成掺杂；避免了高温环境激发放大硅基体内缺陷的情况，同时采用低温工艺，更节省能源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及topcon电池及组件，具体而言，涉及一种n-topcon电池硼扩散方法、制备方法及电池、电池组件。

技术介绍

1、topcon电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的高效太阳能电池技术，其电池结构为n型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低了表面复合和金属接触复合。

2、在硼扩散工序中，目前普遍采用的是bcl3热分解生成硼单质，在浓度差异的情况下从cz-si表面向cz-si内部扩散的方式。该方式存在的问题点如下：

3、(1)硼扩散不同于磷扩散，硼在硅中的固溶度远远低于磷在硅中的固溶度，导致硼在硅中扩散时需要的腔室温度及扩散时间远远大于磷在硅中扩散时需要的腔室温度及扩散时间，硅片长时间暴露在高温环境下，更容易诱导内部缺陷放大，形成缺陷中心，导致复合变大，短路电流及开路电压严重偏低。

4、(2)bcl3热分解生产中间产物b2o3，在正常工艺温度下，b2o3处于液态，不仅会腐蚀炉管、气管等石英器件，同时还会腐蚀硅片表面，导致硅片表面掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.N-TOPCon电池硼扩散方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的N-TOPCon电池硼扩散方法，其特征在于，正面沉积POLY层时，沉积温度控制在500～620℃，压力控制在150～350mttor，沉积厚度控制在200～300nm，硼的掺杂浓度为1E18～1E19cm-3。

3.根据权利要求1所述的N-TOPCon电池硼扩散方法，其特征在于，选择性制绒采用在栅线印刷区域保留硅片的平整，在光吸收区域形成绒面。

4.根据权利要求3所述的N-TOPCon电池硼扩散方法，其特征在于，采用激光选择性制绒，其中激光脉冲重复频率为50～200kHz，...

【技术特征摘要】

1.n-topcon电池硼扩散方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的n-topcon电池硼扩散方法，其特征在于，正面沉积poly层时，沉积温度控制在500～620℃，压力控制在150～350mttor，沉积厚度控制在200～300nm，硼的掺杂浓度为1e18～1e19cm-3。

3.根据权利要求1所述的n-topcon电池硼扩散方法，其特征在于，选择性制绒采用在栅线印刷区域保留硅片的平整，在光吸收区域形成绒面。

4.根据权利要求3所述的n-topcon电池硼扩散方法，其特征在于，采用激光选择性制绒，其中激光脉冲重复频率为50～200khz，激光波长为1064nm，激光的脉冲宽度为20～200ns。

5.根据权利要求1所述的n-topcon电池硼扩散方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭高攀，李会滨，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：