【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电探测，具体涉及一种具有正负双极性响应特性的光电探测器及其制备方法。
技术介绍
1、本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
2、过渡金属二硫族化合物(tmdcs)作为二维(2d)材料的典型代表，以优异的光吸收、高载流子迁移率、宽范围可调带隙、可弯曲折叠等独特的光电性能和力学性能脱颖而出。为充分发挥tmdcs的优势，可将具有不同性质的tmdcs进行物理叠加，形成合适的没有悬挂键的范德华异质结构，突破了严重制约传统半导体发展的晶格常数限制，在一定程度上扩大了自身优势范围。所构建的异质结构被广泛应用于各种器件，如光电探测器、场效应晶体管、可充电电池等。
3、但是，目前光电探测器的应用基本依赖于正响应，即在光照下半导体中产生电子-空穴对，在电场作用下光生载流子分离，导致电流大于暗态电流，实现光响应。正响应光电探测器已表现出超高响应率、大外量子效率(eqe)、低响应时间、高比探测率等优异的光响应特性。负光响应是一种在光照下电流减少为特征的异常现象。负响应光电探测器的实现...
【技术保护点】
1.一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的二硫化铼/二硒化钯范德华异质结；所述光电探测器的源极和漏极设置在二硒化钯长度方向的两端，栅极设置在远离所述二硫化铼/二硒化钯范德华异质结的基底侧一侧；将二硫化铼作为光栅控制层，将二硒化钯作为载流子传输层，通过调节栅极电压实现光电探测器的正响应与负响应转换；当栅极电压不超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现负响应，当栅极电压超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现正响应。
2.如权利要求1中所述的一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，所述基底包括硅衬底和二氧化硅氧化层，...
【技术特征摘要】
1.一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的二硫化铼/二硒化钯范德华异质结；所述光电探测器的源极和漏极设置在二硒化钯长度方向的两端，栅极设置在远离所述二硫化铼/二硒化钯范德华异质结的基底侧一侧；将二硫化铼作为光栅控制层，将二硒化钯作为载流子传输层，通过调节栅极电压实现光电探测器的正响应与负响应转换；当栅极电压不超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现负响应，当栅极电压超过栅极电压阈值时，光电探测器呈现正响应。
2.如权利要求1中所述的一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，所述基底包括硅衬底和二氧化硅氧化层，所述二硫化铼/二硒化钯范德华异质结设置在所述二氧化硅氧化层上。
3.如权利要求2中所述的一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，所述硅衬底采用p型高掺硅衬底。
4.如权利要求1中所述的一种具有正负双极性响应特性的光电探测器，其特征在于，所述二硫化铼采用n型单层或多层结构。
5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李奎龙，杜昶辉，王文佳，李佩佩，高红蕾，
申请(专利权)人：齐鲁工业大学山东省科学院，
类型：发明
国别省市：
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