【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种带有安装定位区的抗碎型CIGS薄膜太阳能电池片。
技术介绍
CIGS是薄膜太阳能电池CuInXGa(l-X)Se2的简写。其半导体层由铜、铟、镓、硒等 金属和非金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料构成,对可见光的吸收系数为所有薄 膜电池材料中最高的。CIGS薄膜太阳电池也是目前世界上技术最先进、工业化生产最成熟 的第三代光伏产品。近年来,由于CIGS薄膜太阳能电池成本优势明显、转换效率还有提高的空间、以 及晶体硅电池产业面临的产能过剩的局面和国际油价的进一步波动,都使得CIGS薄膜太 阳能电池在2008年受到各大风险投资商的青睐,进入2009年,CIGS薄膜太阳能电池产业 在金融危机的背景下,更是成为难得的投资热点,据美国技术调查公司iSuppli预测,2010 年全球在太阳能电池产品上的投资将赶上在芯片制造上的投资,这也为CIGS薄膜太阳能 电池在未来的投资构成了良好的背景。CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强,光电转换效 率目前是各种薄膜太阳电池之首,接近于目前市场主流产品晶体硅太阳电池转换效率,成 本却是其1/3。正是因为其性能优异被国 ...
【技术保护点】
带有安装定位区的CIGS薄膜太阳能电池片,其特征是:所述电池片(10)为矩形,矩形的四个角部为直角或倒圆角或倒角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:承铁冶,唐建伟,
申请(专利权)人:江苏新广联科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]
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