【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高纯砷的蒸馏装置。
技术介绍
1、高纯砷是合成砷化镓、砷化铟、硒化砷等ⅲ—v族化合物半导体材料主要原料，也用于制备as2se3(红外线透射玻璃、激光印刷机等)等，同时也用于硅、锗单晶掺杂剂。高纯砷广泛应用于集成电路、光伏太阳能发电技术、红外成像等领域。近年来随着高新技术产业的发展，高纯砷的应用领域日益广泛。
2、高纯砷是指杂质总量<10ppm的金属砷，随着纯度的不断提高，它的性能也越来越好，按照纯度的不同，高纯砷可分为5n、6n、7n等。
3、现有技术多用蒸馏法制备高纯砷，例如申请号为2021210164323的专利公开了一种砷的蒸馏装置，在底座上设有安装蒸馏瓶的蒸馏瓶安装槽，在蒸馏瓶安装槽的下方底座内设有对蒸馏瓶加热的加热器，实现了高纯砷的制备；但是底部加热的方式使得蒸馏过程中原料受热不均匀，从而使得杂质随高纯砷一起蒸出，影响高纯砷的产品质量。
技术实现思路
1、本技术解决现有技术的不足而提供一种能实现均匀加热的高纯砷的蒸馏装置。
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【技术保护点】
1.一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：包括蒸馏管(1)和加热装置，所述蒸馏管(1)底部封闭顶部开口；所述加热装置内设置有底部封闭顶部开口的加热腔(9)，所述加热腔(9)的内径与蒸馏管(1)和外径相匹配，所述蒸馏管(1)竖直插装在加热腔(9)内；所述加热装置内、在加热腔(9)外侧同轴套装有加热筒(6)，所述加热筒(6)内沿蒸馏管（1）的长度方向均匀布置有多个发热区（4），所述发热区（4）呈环状。
2.如权利要求1所述的一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：所述加热腔(9)壁内、沿蒸馏管（1）的长度方向均匀布置有多个热偶套管(5)，所述热偶套管(5)呈环状。>
3.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：包括蒸馏管(1)和加热装置，所述蒸馏管(1)底部封闭顶部开口；所述加热装置内设置有底部封闭顶部开口的加热腔(9)，所述加热腔(9)的内径与蒸馏管(1)和外径相匹配，所述蒸馏管(1)竖直插装在加热腔(9)内；所述加热装置内、在加热腔(9)外侧同轴套装有加热筒(6)，所述加热筒(6)内沿蒸馏管（1）的长度方向均匀布置有多个发热区（4），所述发热区（4）呈环状。
2.如权利要求1所述的一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：所述加热腔(9)壁内、沿蒸馏管（1）的长度方向均匀布置有多个热偶套管(5)，所述热偶套管(5)呈环状。
3.如权利要求1所述的一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：每圈发热区(4)和每圈热偶套管(5)均分别与主控制器电连接。
4.如权利要求1所述的一种高纯砷的蒸馏装置，其特征在于：所述加热筒(6)外、与加热腔(9)同轴设置有保温层(8)；所述保温层(8)阻止发热层内的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵科湘，陈飞，
申请(专利权)人：浙江能鹏半导体材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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