电极位置校准装置、离子注入设备制造方法及图纸

本技术提供一种电极位置校准装置、离子注入设备，电极位置校准装置应用于离子注入设备，离子注入设备具有离子注入腔室，离子注入腔室内设置有电极，电极位置校准装置包括：第一校准件，设置于离子注入腔室的入口部；第一校准件具有向离子注入腔室内部延伸的第一通孔；第二校准件，穿设于第一通孔内；限位件，设置于第二校准件；其中，电极包括第二通孔，第二校准件用于穿过第二通孔，以对电极的位置进行校准；限位件用于限制第二校准件在第一通孔的轴线方向移动。本申请可以在前后方向限定电极的位置，增加了在前后方向对电极的位置校准的功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体而言涉及一种电极位置校准装置、离子注入设备。

技术介绍

1、离子注入是集成电路制造中的一种非常重要的掺杂技术，它以离子加速的方式将掺杂元素注入半导体晶片内部，改变半导体晶片内部导电特性并最终形成所需的器件结构。

2、pm电极(也称为“挡板电极”或“反射电极”)在离子注入机中是一个关键部件，其可以控制注入离子的能量和注入角度。为保证离子注入的精度和效果，通常需要对pm电极进行位置校准。

3、现有技术中，通过十字架结构的校准装置来校准pm电极的位置，十字架结构中的竖杆卡设于离子注入腔室入口的上下两端，十字架结构中的横杆通过竖杆实现上下方向和左右方向(分别可以看作x轴方向和y轴方向)的位置固定，横杆的一端穿过pm电极中间的通孔，从而限定了pm电极上下方向和左右方向的位置。但是，这种十字架结构中，横杆仍能前后方向(可以看作z轴方向)移动，因此无法限定pm电极前后的位置，进而在离子束引出时容易导致较高的抑制电流。

4、鉴于上述技术问题的存在，本技术提供一种新的电极位置校准装置、离子注入设备，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、针对目前存在的问题，本技术提供了一种电极位置校准装置，所述电极位置校准装置应用于离子注入设备，所述离子注入设备具有离子注入腔室，所述离子注入腔室内设置有电极，所述电极位置校准装置包括：第一校准件，设置于所述离子注入腔室的入口部；所述第一校准件具有向所述离子注入腔室内部延伸的第一通孔；第二校准件，穿设于所述第一通孔内；限位件，设置于所述第二校准件；其中，所述电极包括第二通孔，所述第二校准件用于穿过所述第二通孔，以对所述电极的位置进行校准；所述限位件用于限制所述第二校准件在所述第一通孔的轴线方向移动。

3、在本申请的一个实施例中，所述限位件包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件和所述第二限位件分别位于所述第一通孔的两侧。

4、在本申请的一个实施例中，所述限位件为圆环形，所述限位件固定套设于所述第二校准件，且所述限位件的外径大于所述第一通孔的孔径，所述限位件的内径小于所述第一通孔的孔径。

5、在本申请的一个实施例中，所述第一校准件包括：圆环部、连接部和通孔部，所述第一通孔设置于所述通孔部，所述通孔部位于所述圆环部的中心，所述通孔部通过所述连接部与所述圆环部连接。

6、在本申请的一个实施例中，所述入口部设置有固定槽，所述圆环部设置有与所述固定槽相匹配的固定部，所述第一校准件通过所述固定部和所述固定槽固定设置于所述入口部。

7、在本申请的一个实施例中，所述固定部的数量为多个，多个所述固定部在所述圆环部的圆周上均匀或不均匀分布。

8、在本申请的一个实施例中，至少一个所述固定部为弹簧螺丝，所述固定槽中设置有与所述弹簧螺丝配合的内螺纹。

9、在本申请的一个实施例中，所述第二校准件为圆柱形或棱柱形。

10、根据本申请又一方面，提供了一种离子注入设备，包括上述中任一项所述的电极位置校准装置。

11、根据本申请实施例的电极位置校准装置、离子注入设备，通过限位件限制第二校准件在第一通孔的轴线方向移动，从而可以在前后方向限定电极的位置，增加了在前后方向对电极的位置校准的功能，在离子束引出时可以降低抑制电流。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电极位置校准装置，其特征在于，所述电极位置校准装置应用于离子注入设备，所述离子注入设备具有离子注入腔室，所述离子注入腔室内设置有电极，所述电极位置校准装置包括：

2.如权利要求1所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述限位件包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件和所述第二限位件分别位于所述第一通孔的两侧。

3.如权利要求1或2所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述限位件为圆环形，所述限位件固定套设于所述第二校准件，且所述限位件的外径大于所述第一通孔的孔径，所述限位件的内径小于所述第一通孔的孔径。

4.如权利要求1所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述第一校准件包括：

5.如权利要求4所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述入口部设置有固定槽，所述圆环部设置有与所述固定槽相匹配的固定部，所述第一校准件通过所述固定部和所述固定槽固定设置于所述入口部。

6.如权利要求5所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述固定部的数量为多个，多个所述固定部在所述圆环部的圆周上均匀或不均匀分布。

7.如权利要求6所述的电极位置校准装置，其特征在于，至少一个所述固定部为弹簧螺丝，所述固定槽中设置有与所述弹簧螺丝配合的内螺纹。

8.如权利要求1所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述第二校准件为圆柱形或棱柱形。

9.一种离子注入设备，其特征在于，包括如权利要求1～8中任一项所述的电极位置校准装置。

...

【技术特征摘要】

1.一种电极位置校准装置，其特征在于，所述电极位置校准装置应用于离子注入设备，所述离子注入设备具有离子注入腔室，所述离子注入腔室内设置有电极，所述电极位置校准装置包括：

2.如权利要求1所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述限位件包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件和所述第二限位件分别位于所述第一通孔的两侧。

3.如权利要求1或2所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述限位件为圆环形，所述限位件固定套设于所述第二校准件，且所述限位件的外径大于所述第一通孔的孔径，所述限位件的内径小于所述第一通孔的孔径。

4.如权利要求1所述的电极位置校准装置，其特征在于，所述第一校准件包括：

5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭风波，胡海鸿，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：