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太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

技术编号:40713424 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-22 11:15
本申请实施例涉及太阳能电池领域,提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,方法包括:提供电池片,电池片包括相对的第一表面和第二表面,第一表面具有多条第一栅线,第二表面具有多条第二栅线,第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠;对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理,且向第一栅线和第二栅线之间通入第一反向电流,第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1,第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件至少有利于提高太阳能电池的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件


技术介绍

1、太阳能电池具有较好的光电转换能力,在太阳能电池中,需要在电池片表面形成多条栅线,从而对电池片产生的电流进行收集。

2、激光辅助烧结技术又名激光增强接触优化(laser-enhanced contactoptimization,leco),leco技术的主要工作原理为:采用高强度激光照射电池片激发电荷载流子,同时向栅线施加反向电压,由此产生数安培的局部电流,对应处的栅线发生烧结引发金属浆料与电池片的基底之间互相扩散,从而有利于降低栅线与半导体基底之间的接触电阻。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,至少有利于提高太阳能电池的效率。

2、根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种太阳能电池的制备方法,包括:提供电池片,电池片包括相对的第一表面和第二表面,第一表面具有多条第一栅线,第二表面具有多条第二栅线,第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠;对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理,且向第一栅线和第二栅线之间通入第一反向电流,第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1,第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25,其中,预设功率和预设电流为,当第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影重叠时,对第一栅线两侧的第一表面进行激光处理以及向第一栅线和第二栅线之间通入的反向电流,以使第一栅线与第二栅线的pn结被击穿时对应的激光功率和反向电流。

3、在一些实施例中,在沿第一栅线的延伸方向上,第一栅线两侧的第一表面包括交替设置的激光处理区和非激光处理区;对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理包括:仅对第一栅线两侧的激光处理区进行第一激光处理。

4、在一些实施例中,在沿第一栅线的延伸方向上,非激光处理区的总长度与激光处理区的总长度比值为2:1~4:1。

5、在一些实施例中,在沿第一栅线的延伸方向上,激光处理区的长度范围为1μm~5μm;非激光处理区的长度范围为3μm~7μm。

6、在一些实施例中,对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理的过程中,还包括:对第一栅线进行第一激光处理。

7、在一些实施例中,第一表面包括第一激光区以及第二激光区,第一激光区位于第一栅线在沿垂直于第一栅线延伸方向上的两侧,第二激光区位于第一激光区远离第一栅线的两侧,第二栅线在第一表面的正投影位于第二激光区内;对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理包括:对第一激光区进行第一激光处理;进行第一激光处理之后,还包括:对第二激光区进行第二激光处理,且向第一栅线和第二栅线之间通入第二反向电流,其中,第二激光处理的激光功率大于第一激光处理的激光功率,第二反向电流大于第一反向电流。

8、在一些实施例中,在沿第一栅线的延伸方向上,第一激光区包括交替设置的激光处理区和非激光处理区;对第一激光区进行第一激光处理包括:仅对第一激光区的激光处理区进行第一激光处理;对第二激光区进行第二激光处理包括:对全部的第二激光区进行第二激光处理。

9、在一些实施例中,在沿垂直于第一栅线的延伸方向上,第二激光区的宽度与第二栅线的宽度相等。

10、在一些实施例中,在沿垂直于第一栅线的延伸方向上,第二激光区两侧的第一激光区的宽度相等。

11、根据本申请一些实施例,本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池,采用上述实施例中任一种太阳能电池的制备方法形成。

12、根据本申请一些实施例,本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件,包括:至少一个如上述实施例中提供的太阳能电池;胶膜,胶膜覆盖太阳能电池的表面;盖板,盖板覆盖胶膜远离太阳能电池的表面。

13、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

14、本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法中,对电池片上第一栅线两侧第一表面进行激光处理同时对第一栅线与第二栅线之间通入反向电流。在激光的照射的作用下,电池片中位于第一栅线两侧的区域会产生大量的载流子,同时由于反向电流的作用,可以将载流子中的电子禁锢在电池片与第一栅线接触的表面,电子与第一栅线发生反应,促使第一栅线中的金属离子析出金属胶束,金属胶束在第一栅线与电池片内的半导体材料之间形成导电接触点位,可以降低第一栅线与半导体材料的接触电阻,如此有利于提高太阳能电池的填充因子,从而提高太阳能电池的光电转换效率。此外,由于第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠,则第一栅线与第二栅线之间的电阻,相较于第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影重叠时的电阻更大,如此在进行第一激光处理时可以采用较预设功率更大的激光功率,以及较预设电流更大的反向电流,促进第一栅线的激光烧结,从而有利于第一栅线与电池片内的半导体材料具有更好的欧姆接触,提高太阳能电池的填充因子,进而提高太阳能电池的效率。通过将第一激光处理的激光功率设置为与预设功率的比例为1~1.1,且第一反向电流与预设电流的比例为1~1.25,可以避免第一栅线与第二栅线之间的pn结被击穿的问题,同时有利于第一栅线具有较好的烧结程度,以避免烧结过度或者烧结程度过低导致的太阳能电池效率下降的问题。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述第一栅线两侧的所述第一表面包括交替设置的激光处理区和非激光处理区;

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述非激光处理区的总长度与所述激光处理区的总长度比值为2:1~4:1。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述激光处理区的长度范围为1μm~5μm;所述非激光处理区的长度范围为3μm~7μm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行所述第一激光处理的过程中,还包括:对所述第一栅线进行所述第一激光处理。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一表面包括第一激光区以及第二激光区,所述第一激光区位于所述第一栅线在沿垂直于所述第一栅线延伸方向上的两侧,所述第二激光区位于所述第一激光区远离所述第一栅线的两侧,所述第二栅线在所述第一表面的正投影位于所述第二激光区内;

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述第一激光区包括交替设置的激光处理区和非激光处理区;

8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿垂直于所述第一栅线的延伸方向上,所述第二激光区的宽度与所述第二栅线的宽度相等。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿垂直于所述第一栅线的延伸方向上,所述第二激光区两侧的所述第一激光区的宽度相等。

10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池采用如权利要求1~9中任一项所述的太阳能电池的制备方法形成。

11.一种光伏组件,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述第一栅线两侧的所述第一表面包括交替设置的激光处理区和非激光处理区;

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述非激光处理区的总长度与所述激光处理区的总长度比值为2:1~4:1。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在沿所述第一栅线的延伸方向上,所述激光处理区的长度范围为1μm~5μm;所述非激光处理区的长度范围为3μm~7μm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行所述第一激光处理的过程中,还包括:对所述第一栅线进行所述第一激光处理。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一表面包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:丘才杰赵世杰李文琪邢成鹏张婷婷杨洁郑霈霆
申请(专利权)人:晶科能源海宁有限公司
类型:发明
国别省市:

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