System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种去频闪电路及照明电路制造技术_技高网

一种去频闪电路及照明电路制造技术

技术编号:40712029 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-22 11:14
本发明专利技术提出一种LED去频闪电路,包括,钳位电路与第一电容,串联连接在LED负载的负极与地电位之间;调整管,第一端连接LED负载负极,其第二端连接至低电位,其控制端连接所述第一电容和所述钳位电路的公共连接端;其中,所述钳位电路接收参考电压,在所述钳位电路两端的电压大于等于第一电压时,将所述钳位电路两端的电压钳位在第一电压,所述第一电压与所述参考电压正相关。本发明专利技术通过设置合适的参考电压可以LED负载的输出效率和去频闪需求方面进行折中选择。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及照明领域,特别涉及一种去频闪电路及照明电路


技术介绍

1、在照明电路中,在交流市电和led负载之间,需要使用整流电路和led驱动电路,将交流电转化成直流电,并保证流过led负载的电流恒定,以保证led照明的亮度恒定。然而,led驱动过程中,往往会将输入的交流市电中含有的正弦纹波带入直流输出,led上会带有纹波产生人眼可感知到的频闪对人眼造成伤害。

2、现有技术中常用图1中所示的去频闪电路来滤除led负载电流上的纹波,led负载电流纹波为接近正弦的谐波,通过该去频闪电路把电流纹波转为接近正弦的电压纹波。图1所示的去频闪电路连接在led负载的负极,接收驱动电路输出的恒流电流i0,电流i0经滤波电容c0滤波后得到led负载电流iled。图1所示的去频闪电路包括第一开关管q1、齐纳二极管d1、第一电阻r1和第一电容c1,第一电阻r1和齐纳二极管d1串联连接后连接第一电容c1,第一电阻r1、齐纳二极管d1和第一电容c1所在的串联电路与第一开关管q1并联连接,第一开关管q1控制端连接第一电容c1高电位端;其中,第一开关管q1两端的电压为vds_q1,齐纳二极管d1的两端电压为vd1,反向击穿电压为vz,正向导通电压为0.7v,第一电容c1高电位端电压为vc1;图1所示的去频闪电路的波形图如图2所示,结合图1和图2对该现有的去频闪电路进行简单介绍,每个工频周期包括以下几个阶段:

3、1、当vds_q1>vc1+vd1,齐纳二极管d1击穿,第一开关管q1两端的电压vds通过第一电阻r1、齐纳二极管d1对第一电容c1充电,第一电容电压vc1上升;期间第一开关管q1处于饱和区,流过第一开关管q1的电流变大,参见图2的①时间段;

4、2、当vc1-0.7v<vds_q1<vc1+vd1时,第一开关管q1两端的电压vds停止给第一电容c1充电,第一电容电压vc1维持不变,第一开关管q1两端的电压vds继续下降;期间第一开关管q1处于饱和区,流过第一开关管q1的电流恒定,参见图2的②时间段;

5、3、当vds_q1<vc1-0.7时,第一电容c1通过齐纳二极管d1、第一电阻r1、第一开关管q1放电,第一电容电压vc1下降;期间第一开关管q1可能处于线性区,流过第一开关管q1的电流下降,参见图2的③时间段;

6、4、当vds_q1进一步上升,与第2阶段一样,参见图2的④时间段。

7、每个工频周期都通过以上4个阶段,最终第一电容c1电压vc1逐渐趋于平稳,如图2所示。稳态的去频闪效果与齐纳二极管击穿电压vz息息相关,vz越高,第一电容c1的上拉电流越小,相当于第一电容电压vc1往下移,第一开关管q1的线性区工作时间越短,去频闪越好,损耗越大;反之,去频闪越差,损耗越小。

8、现有的去频闪电路均为无源器件,参数固定,无法适应不同的应用场合。例如:前级输出纹波电压小于齐纳二极管的击穿电压vz和第一电容电压c1之和vz+vc,无法维持去频闪正常工作;齐纳二极管击穿电压vz越高,损耗越大,去频闪越好,而前级带载有变时,现有方案有局限性。在bcd工艺下,齐纳二极管击穿电压最低为5v,对于应用有局限性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种去频闪电路及照明电路,解决了现有技术中去频闪电路参数固定,无法适应多种场合、应用范围窄的问题。

2、本专利技术一种led去频闪电路,包括,

3、钳位电路与第一电容,串联连接在led负载的负极与地电位之间;

4、第一开关管,第一端连接led负载负极,其第二端连接至低电位,其控制端连接所述第一电容和所述钳位电路的公共连接端;

5、其中,所述钳位电路接收参考电压,在所述钳位电路两端的电压大于等于第一电压时,将所述钳位电路两端的电压钳位在第一电压,所述第一电压与所述参考电压正相关。

6、可选的,设置所述参考电压与led负载电流成反比,所述参考电压和所述led负载电流的比例系数可调节。

7、可选的,所述钳位电路包括第二开关管,所述第二开关管的第一端连接所述led负载的负极,其第二端连接所述第一电容的高电位端,所述参考电压用以控制所述第二开关管的开关状态。

8、可选的,电压获取电路,获取所述第二开关管两端的电压得到所述第一检测电压;

9、误差放大器,将所述参考电压与所述第一检测电压进行运算放大以驱动所述第二开关管。

10、可选的,所述第二开关管为pmos管,设置所述第二开关管的驱动电压为所述参考电压。

11、可选的,还包括第一电阻,所述第一电阻和所述钳位电路串联连接。

12、可选的,所述钳位电路还包括单向导通装置,其正极连接所述第一电容高电位端,其负极连接led负载的负极。

13、可选的,所述单向导通装置包括所述第二开关管的体二极管。

14、可选的,所述单向导通装置包括第一二极管,所述第一二极管的正极连接led负载的负极,所述第一二极管的负极连接所述钳位电路和所述第一电容的公共连接端。

15、本专利技术还提供一种照明电路,包括,

16、整流电路,将交流输入电源进行整流得到整流电压;

17、驱动电路,接收整流电压,用于对led负载进行驱动,输出第一电流;

18、滤波电容,并联连接在所述驱动电路的两端;

19、led负载以及以上任意一种所述的led去频闪电路,led负载的正极连接所述滤波电容的高电位端,led负载的负极连接所述led去频闪电路。

20、与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:本专利技术通过调节外围参考电压,达到效率与去频闪需求的两方面取舍的平衡;在调光应用中,可通过降低参考电压,使得满载时略微或者无去频闪效果,提高效率;轻载时,纹波变小,提高参考电压又能满足去频闪需求。通过设置参考电压与负载电流成反比的关系,满载时,参考电压最小,去频闪差但效率好;轻载时,提高参考电压,去频闪效果更优。

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【技术保护点】

1.一种LED去频闪电路,包括,

2.根据权利要求1所述的LED去频闪电路,其特征在于:设置所述参考电压与LED负载电流成反比,所述参考电压和所述LED负载电流的比例系数可调节。

3.根据权利要求1或2任意一种所述的LED去频闪电路,其特征在于:所述钳位电路包括第二开关管,所述第二开关管的第一端连接所述LED负载的负极,其第二端连接所述第一电容的高电位端,所述参考电压用以控制所述第二开关管的开关状态。

4.根据权利要求3所述的LED去频闪电路,其特征在于:

5.根据权利要求3所述的LED去频闪电路,其特征在于:所述第二开关管为PMOS管,设置所述第二开关管的驱动电压为所述参考电压。

6.根据权利要求3所述的LED去频闪电路,其特征在于:还包括第一电阻,所述第一电阻和所述钳位电路串联连接。

7.根据权利要求3所述的LED去频闪电路,其特征在于:所述钳位电路还包括单向导通装置,其正极连接所述第一电容高电位端,其负极连接LED负载的负极。

8.根据权利要求7所述的LED去频闪电路,其特征在于:所述单向导通装置包括所述第二开关管的体二极管。

9.根据权利要求7所述的LED去频闪电路,其特征在于:所述单向导通装置包括第一二极管,所述第一二极管的正极连接LED负载的负极,所述第一二极管的负极连接所述钳位电路和所述第一电容的公共连接端。

10.一种照明电路,包括,

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【技术特征摘要】

1.一种led去频闪电路,包括,

2.根据权利要求1所述的led去频闪电路,其特征在于:设置所述参考电压与led负载电流成反比,所述参考电压和所述led负载电流的比例系数可调节。

3.根据权利要求1或2任意一种所述的led去频闪电路,其特征在于:所述钳位电路包括第二开关管,所述第二开关管的第一端连接所述led负载的负极,其第二端连接所述第一电容的高电位端,所述参考电压用以控制所述第二开关管的开关状态。

4.根据权利要求3所述的led去频闪电路,其特征在于:

5.根据权利要求3所述的led去频闪电路,其特征在于:所述第二开关管为pmos管,设置所述第二开关管的驱动电压为所述参考电压。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚清龙刘国强
申请(专利权)人:杰华特微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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