【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。
技术介绍
1、由于电子工业的快速发展和用户需求，电子设备尺寸上变得越来越小，功能越来越多，且容量越来越大。因此，需要包括多个半导体芯片的半导体封装。例如，正在使用将各种半导体芯片并排安装在衬底上的方法、在一个封装衬底上堆叠半导体芯片或封装的方法、在封装衬底上安装其上安装有多个半导体芯片的中介层的方法等。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种半导体封装和制造该半导体封装的方法。
2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种半导体封装，包括：第一重分布结构，包括第一重分布图案和第一重分布绝缘层；第一半导体芯片，在第一重分布结构上并包括第一半导体衬底和延伸穿过第一半导体衬底的第一贯通电极；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括与第一半导体芯片竖直重叠的中心部分和从第一半导体芯片的侧壁水平偏移的外部部分；芯片间连接凸块，在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间；模制层，与第一重分布结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片和芯片间连接凸块接触；第二重分布结构，在第二半导体芯片和模制层上并包括第二重分布图案和第二重分布绝缘层；第一竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二重分布结构；以及第二竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二半导体芯片的外部部分。
3、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体封装，包括：第一重分布结构，包括第一重分布图案和第一重分布绝缘层；第一半导体芯片，在第
4、根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种半导体封装，包括：第一重分布结构，包括第一重分布图案和第一重分布绝缘层；第一半导体芯片，在第一重分布结构上并包括第一半导体衬底和延伸穿过第一半导体衬底的第一贯通电极；第一导电连接柱，在第一半导体芯片与第一重分布结构之间并包括铜；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括与第一半导体芯片竖直重叠的中心部分和从第一半导体芯片的侧壁水平偏移的外部部分；芯片间连接凸块，在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间并包括焊料；第二导电连接柱，在芯片间连接凸块与第二半导体芯片之间并包括铜；模制层，与第一重分布结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一导电连接柱、第二导电连接柱和芯片间连接凸块接触；第二重分布结构，在第二半导体芯片和模制层上并包括第二重分布图案和第二重分布绝缘层；上半导体芯片，在第二重分布结构上；第一竖直连接布线，在第一重分布结构的第一接合焊盘与第二重分布结构的第二接合焊盘之间延伸穿过模制层；以及第二竖直连接布线，在第一重分布结构的第三接合焊盘与第二半导体芯片的第四接合焊盘之间延伸穿过模制层，其中，第一竖直连接布线与第二接合焊盘之间的接触面积大于第一竖直连接布线与第一接合焊盘之间的接触面积，并且第二竖直连接布线与第四焊盘之间的接触面积大于第二竖直连接布线与第三焊盘之间的接触面积。
5、根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：在承载衬底上形成包括第二重分布图案的第二重分布结构；在第二重分布结构上安装第二半导体芯片，该第二半导体芯片包括第二半导体衬底和第二半导体衬底的有源表面上的第二有源层；通过执行布线接合工艺，形成从第二重分布结构的接合焊盘沿竖直方向延伸的第一竖直连接布线和从第二半导体芯片的接合焊盘沿竖直方向延伸的第二竖直连接布线；使用芯片间连接凸块将第一半导体芯片安装在第二半导体芯片上，其中，第一半导体芯片包括第一半导体衬底、第一半导体衬底的有源表面上的第一有源层、以及延伸穿过第一半导体衬底的第一贯通电极；在第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一竖直连接布线和第二竖直连接布线上形成模制层；对模制层进行抛光以暴露第一竖直连接布线和第二竖直连接布线；在第一半导体芯片和模制层上形成包括第一重分布图案的第一重分布结构，第一重分布图案电连接到第一竖直连接布线和第二竖直连接布线；以及将承载衬底与第二重分布结构分离。
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1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片在第一水平方向上具有第一水平宽度，
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一竖直连接布线包括：第一端部，连接到所述第一重分布结构的第一接合焊盘；以及第二端部，连接到所述第二重分布结构的第二接合焊盘，并且
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二竖直连接布线包括：第一端部，连接到所述第一重分布结构的第三接合焊盘；以及第二端部，连接到所述第二半导体芯片的第四接合焊盘，并且
5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第一导电连接柱，所述第一导电连接柱从所述第一半导体芯片的第一下连接焊盘延伸到所述第一重分布结构的第一重分布焊盘，
6.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第二导电连接柱，所述第二导电连接柱连接到所述第二半导体芯片的第二下连接焊盘，
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体衬底包括面向所述第一重分布结构的有源表面和与所述有源表面相对的无源表面，并且
8.根据权利要求7所
9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括在所述第二半导体芯片与所述第二重分布结构之间的连接凸块，
11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括在所述第二重分布结构上的上半导体器件。
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个包括逻辑芯片，并且
13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一竖直连接布线和所述第二竖直连接布线中的每一个包括铜、金或银。
14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一重分布图案包括在所述第一重分布绝缘层中沿竖直方向延伸的第一重分布过孔，
15.一种半导体封装，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第一导电连接柱和所述第二导电连接柱中的每一个包括铜，并且
17.所述权利要求15所述的半导体封装体，其中，所述模制层的一部分在所述第一半导体芯片与所述第一重分布结构之间，并且接触所述第一导电连接柱的侧壁，并且
18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第一竖直连接导体和所述第二竖直连接导体中的每一个包括通过布线接合工艺形成的竖直连接布线。
19.一种半导体封装，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中，所述第一半导体衬底包括面向所述第一重分布结构的有源表面和与所述有源表面相对的无源表面，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片在第一水平方向上具有第一水平宽度，
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一竖直连接布线包括：第一端部，连接到所述第一重分布结构的第一接合焊盘；以及第二端部，连接到所述第二重分布结构的第二接合焊盘，并且
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二竖直连接布线包括：第一端部，连接到所述第一重分布结构的第三接合焊盘；以及第二端部，连接到所述第二半导体芯片的第四接合焊盘，并且
5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第一导电连接柱，所述第一导电连接柱从所述第一半导体芯片的第一下连接焊盘延伸到所述第一重分布结构的第一重分布焊盘，
6.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第二导电连接柱，所述第二导电连接柱连接到所述第二半导体芯片的第二下连接焊盘，
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体衬底包括面向所述第一重分布结构的有源表面和与所述有源表面相对的无源表面，并且
8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片包括：
9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括在所述第二半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜芸炳，秦正起，姜吉万，崔朱逸，韩东彻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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