【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基底处理设备和一种基底处理方法，并且更具体地，涉及一种能够防止抽吸孔由于基底浮动和印刷时所产生的气流而被堵塞的基底处理设备和基底处理方法。
技术介绍
1、通常，在现有的用于在使用浮台等使基底浮动以保护基底的下表面的同时将处理液喷射到基底的上表面上来执行印刷工艺的基底处理设备中，可以在浮台中提供连接到气体供应管线的多个排放孔以及连接到气体抽吸管线的多个抽吸孔，并且可以通过调节排放孔的气体排放压力和抽吸孔的气体抽吸压力而使基底浮动到特定高度。
2、然而，排放孔的气体排放压力和抽吸孔的气体抽吸压力可以取决于周围环境或基底的类型等而非常微妙地改变，并且因而基底浮动到的高度可以由于气体排放压力或气体抽吸压力的改变而部分地改变。
3、在现有的设备中，在各种情况下可能很容易发生各种类型的基底变形(例如由外力引起的基底的翘曲)，并且这种基底变形可能会改变处理液的射距并导致从正确位置喷射出的处理液的液滴的冲击点误差，从而导致印刷缺陷。
4、此外，当在印刷工艺期间以细颗粒形式产生的处理液的雾气与气流一起被抽吸到抽吸孔中并粘附到抽吸孔或堵塞抽吸孔时，气体抽吸压力可能改变，基底浮动到的高度可能由于气体抽吸压力的变化而部分地改变，并且从而可能发生冲击点误差和有缺陷的印刷。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基底处理设备和基底处理设备方法，所述基底处理设备和所述基底处理设备方法能够通过在基底浮动和移动的同时使用气流阻挡构件阻挡气流或烟气气体流入基底与浮
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：基底台，用于支撑基底；以及处理液喷射装置，安装在所述基底台上方以将处理液喷射到所述基底上，其中，所述基底台包括：浮板，用于使所述基底的至少一部分浮动；以及气流阻挡构件，用于阻挡所述基底与所述浮板之间的间隙的至少一部分以阻挡气流流入所述间隙中。
3、所述气流阻挡构件可以包括气流阻挡叶片，所述气流阻挡叶片各自在上端处具有斜面以产生斜向上的气流，并且所述气流阻挡叶片各自具有比浮动的所述基底的上表面高度低的上端高度。
4、所述气流阻挡叶片的所述上端高度可以使用高度调节器来调节。
5、所述基底台还可以包括：气体供应管线，连接到提供在所述浮板中的一个或多个排放孔以将气体供应到所述一个或多个排放孔；以及气体抽吸管线，连接到提供在所述浮板中的一个或多个抽吸孔以通过所述一个或多个抽吸孔抽吸气体。
6、所述基底台还可以包括：左吸附垫，提供在所述浮板的上表面的左侧上，并且具有比所述浮板高的至少一部分以通过一个或多个真空吸附孔吸附所述基底的下表面的左侧；以及右吸附垫，提供在所述浮板的所述上表面的右侧上，并且具有比所述浮板要高的至少一部分以通过一个或多个真空吸附孔吸附所述基底的所述下表面的右侧。
7、所述左吸附垫的所述真空吸附孔和所述右吸附垫的所述真空吸附孔连接到所述气体抽吸管线。
8、所述基底台还可以包括：升降销，可升降地安装在所述浮板中以支撑所述基底；以及升降销升降装置，用于使所述升降销升降。
9、所述基底台还可以包括：基体板，与所述浮板间隔开以形成气流引导空间；气体供应管，安装在所述气流引导空间的一部分中并连接到所述气体供应管线；以及气体抽吸管，安装在所述气流引导空间的另一部分中并连接到所述气体抽吸管线。
10、所述基底台还可以包括气流引导构件，所述气流引导构件用于阻挡所述气流引导空间的至少一部分以调节气所述流引导空间的开口率以便防止紊流的产生。
11、所述气流引导构件可以包括气流引导叶片，所述气流引导叶片各自具有被倒圆的上端或者具有以流线形形状提供的至少一部分以防止紊流的产生。
12、所述气流引导叶片的上端高度可以使用高度调节器来调节。
13、可以基于所述基底台或所述气流的传送速度使用叶片升降装置来使所述气流引导叶片升降。
14、所述基底处理设备还可以包括第一移动装置，所述第一移动装置用于使所述基底台在第一方向上从备用位置移动到处理液喷射位置。
15、所述第一移动装置可以包括：线性电机，用于使所述基底台沿着传送轨道移动；以及空气轴承，安装在所述基底台下面以利用空气的压力支撑所述基底台。
16、所述基底处理设备还可以包括第二移动装置，所述第二移动装置用于使所述处理液喷射装置在第二方向上移动。
17、根据本专利技术的另一方面，提供了一种基底处理方法，所述基底处理方法包括以下步骤：(a)通过使升降销从基底台的浮板上升而接收来自基底传送装置的基底；(b)在使所述升降销下降的同时通过使用气体供应管线和气体抽吸管线使所述基底从所述浮板浮动到特定高度，并且通过使用气流阻挡构件阻挡气流流入所述基底与所述基底台之间的间隙中；(c)通过使用第一移动装置使所述基底台在第一方向上从备用位置移动到处理液喷射位置；以及(d)在通过使用第二移动装置使处理液喷射装置在第二方向上移动的同时在所述处理液喷射位置处将处理液喷射到所述基底上。
18、在步骤(b)中，可以使用左吸附垫和右吸附垫来吸附所述基底的下表面的两个边缘。
19、在步骤(c)或步骤(d)中，可以使用气流引导构件来防止当所述基底台在所述第一方向上移动时所产生的紊流。
20、在步骤(c)或步骤(d)中，可以通过使用线性电机和空气轴承来使所述基底台在所述第一方向上移动。
21、根据本专利技术的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：基底台，用于支撑基底；第一移动装置，用于使所述基底台在第一方向上从备用位置移动到处理液喷射位置；处理液喷射装置，安装在所述基底台上方以将处理液喷射到所述基底上；以及第二移动装置，用于使所述处理液喷射装置在第二方向上移动，其中，所述基底台包括：浮板，用于使所述基底的至少一部分浮动；气流阻挡构件，用于阻挡所述基底与所述浮板之间的间隙的至少一部分以当所述浮板在所述第一方向上移动时阻挡气流流入所述间隙中；气体供应管线，连接到提供在所述浮板中的一个或多个排放孔以将气体供应到所述一个或多个排放孔；气体抽吸管线，连接到提供在所述浮板中的一个或多个抽吸孔以通过所述一个或多个抽吸孔抽吸气体；左吸附垫，提供在所述浮板的上表面的左侧上，并且具有比所述浮板高的至少一部分以通过一个或多个真空吸附孔吸附所述基底的下表面的左侧；右吸附垫，提供在所述浮板的所述上表面的右侧上，并且具有比所述浮板高的至少一部分以通过一个或多个真空吸附孔来吸附所述基底的所述下表面的右侧；基体板，与所述浮板间隔开以形成气流引导空间；以及气流引导构件，用于阻挡所述气流引导空间的至少一部分以调节所述气流引导空间的开口率以便防止紊流的产生。
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1.一种基底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述气流阻挡构件包括气流阻挡叶片，所述气流阻挡叶片各自在上端处具有斜面以产生斜向上的气流，并且所述气流阻挡叶片各自具有比浮动的所述基底的上表面高度低的上端高度。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述气流阻挡叶片的所述上端高度使用高度调节器来调节。
4.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
5.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
6.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，所述左吸附垫的所述真空吸附孔和所述右吸附垫的所述真空吸附孔连接到所述气体抽吸管线。
7.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
8.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
9.根据权利要求8所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括气流引导构件，所述气流引导构件用于阻挡所述气流引导空间的至少一部分以调节所述气流引导空间的开口率以便防止紊流的产生。p>
10.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述气流引导构件包括气流引导叶片，所述气流引导叶片各自具有被倒圆的上端或者具有以流线形形状提供的至少一部分以防止紊流的产生。
11.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述气流引导叶片的上端高度使用高度调节器来调节。
12.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，基于所述基底台或所述气流的传送速度使用叶片升降装置来使所述气流引导叶片升降。
13.根据权利要求1所述的基底处理设备，还包括第一移动装置，所述第一移动装置用于使所述基底台在第一方向上从备用位置移动到处理液喷射位置。
14.根据权利要求13所述的基底处理设备，其中，所述第一移动装置包括：
15.根据权利要求13所述的基底处理设备，还包括第二移动装置，所述第二移动装置用于使所述处理液喷射装置在第二方向上移动。
16.一种基底处理方法，包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的基底处理方法，其中，在步骤(b)中，使用左吸附垫和右吸附垫来吸附所述基底的下表面的两个边缘。
18.根据权利要求16所述的基底处理方法，其中，在步骤(c)或步骤(d)中，使用气流引导构件来防止当所述基底台在所述第一方向上移动时所产生的紊流。
19.根据权利要求16所述的基底处理方法，其中，在步骤(c)或步骤(d)中，通过使用线性电机和空气轴承来使所述基底台在所述第一方向上移动。
20.一种基底处理设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述气流阻挡构件包括气流阻挡叶片，所述气流阻挡叶片各自在上端处具有斜面以产生斜向上的气流，并且所述气流阻挡叶片各自具有比浮动的所述基底的上表面高度低的上端高度。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述气流阻挡叶片的所述上端高度使用高度调节器来调节。
4.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
5.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
6.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，所述左吸附垫的所述真空吸附孔和所述右吸附垫的所述真空吸附孔连接到所述气体抽吸管线。
7.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
8.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括：
9.根据权利要求8所述的基底处理设备，其中，所述基底台还包括气流引导构件，所述气流引导构件用于阻挡所述气流引导空间的至少一部分以调节所述气流引导空间的开口率以便防止紊流的产生。
10.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述气流引导构件包括气流引导叶片，所述气流引导叶片各自具有被倒圆的上端或者具有以流线形形状提供的至少一部分以防止紊...
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