【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于在处理空间形成等离子体的等离子体生成模组、其工作方法以及包括其的等离子体处理装置。
技术介绍
1、半导体制造工艺是通过在基板(晶圆)上进行数十至数百步骤的处理工艺制造出最终产品的工艺，每个工艺都可以通过执行相应工艺的制造设备来执行。另一方面，为了提升半导体芯片的性能，介绍了各种制造工艺，尤其为了制造三维形式的封装件，介绍了多个基板彼此键合的混合键合(hybrid bonding)技术。
2、在基板的键合之前，可以执行适合键合基板的表面的处理的工艺。为了基板的键合，可以执行对基板的表面进行亲水性处理的工艺，可通过等离子体处理，将基板表面形成为亲水性。
3、等离子体处理方法主要有使用离子(ion)的方式和使用自由基(radical)方式。使用离子的方式有利于去除处理腔室内部被污染的铜(cu)，但由于会溅射(sputtering)在基板上面导出的铜(cu)成分，反而会对处理腔室造成污染。相反，使用自由基的方式可以使基板上的铜(cu)的污染最小化，但清洗处理腔室内部的污染物的效果较差。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的实施例提供一种可以有效地执行对基板进行表面处理以及处理腔室的清洗的等离子体生成模组、其工作方法以及包括其的等离子体处理装置。
2、根据本专利技术的用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体的等离子体生成模组包括：电源，供应用于形成所述等离子体的功率；电极部件，与所述电源电连接；支承部件，支承所述电极部件的下部；
3、可以是，根据本专利技术的实施例，所述转换模组包括：转换块，形成为能够与所述电极部件以及所述离子阻挡部件接触；以及升降驱动部件，使所述转换块上升或者下降。
4、可以是，根据本专利技术的实施例，所述转换块下降而与所述电极部件和所述离子阻挡部件接触，从而所述电极部件和所述离子阻挡部件电连接，若所述转换块上升而从所述电极部件和所述离子阻挡部件分离，则所述电极部件和所述离子阻挡部件电分离。
5、可以是，根据本专利技术的实施例，若所述电极部件和所述离子阻挡部件通过所述转换模组电连接，则在所述下处理空间形成等离子体。
6、可以是，根据本专利技术的实施例，在所述下处理空间中通过所述离子成分以及所述自由基成分对形成所述处理空间的所述处理腔室的内部执行清洗处理。
7、可以是，根据本专利技术的实施例，若所述电极部件和所述离子阻挡部件通过所述转换模组电分离，则在所述上处理空间形成等离子体。
8、可以是，根据本专利技术的实施例，在所述上处理空间中所述自由基成分通过所述离子阻挡部件的贯通孔被提供到所述下处理空间，通过所述自由基成分执行基板的表面处理。
9、根据本专利技术的实施例，所述基板的表面处理是以使形成有金属焊盘的所述基板的表面具有亲水性，从而能够将形成有金属焊盘的其它基板键合到所述基板的方式进行处理的工艺。
10、根据本专利技术的用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体的等离子体生成模组的工作方法，其中，所述等离子体生成模组包括：电源，供应用于形成所述等离子体的功率；电极部件，与所述电源电连接；支承部件，支承所述电极部件的下部；离子阻挡部件，与所述支承部件的下部结合而将所述处理空间划分为上处理空间以及下处理空间，并在所述上处理空间中阻挡离子成分，并且形成使自由基成分选择性地向所述下处理空间穿过的贯通孔形成；以及转换模组，构成为将所述电极部件和所述离子阻挡部件彼此电连接或电分离，所述等离子体生成模组的工作方法包括：基板表面处理步骤，在所述转换模组使所述电极部件和所述离子阻挡部件电分离的状态下，利用所述自由基成分对基板执行表面处理；以及腔室清洗步骤，在所述转换模组使所述电极部件和所述离子阻挡部件电连接的状态下，利用所述离子成分以及所述自由基成分清洗形成所述处理空间的处理腔室。
11、可以是，根据本专利技术的实施例，所述转换模组使形成为能够与所述电极部件以及所述离子阻挡部件接触的转换块上升或者下降，从而使所述电极部件和所述离子阻挡部件电连接或电分离。
12、可以是，根据本专利技术的实施例，所述基板表面处理步骤包括：电压施加步骤，所述转换模组使所述电极部件和所述离子阻挡部件电分离的状态下，向所述电极部件施加电压；以及上等离子体形成步骤，向所述上处理空间提供处理气体，从而在所述上处理空间形成等离子体。
13、可以是，根据本专利技术的实施例，在所述上处理空间中所述自由基成分通过所述离子阻挡部件的贯通孔被提供到所述下处理空间，通过所述自由基成分执行基板的表面处理。
14、根据本专利技术的实施例，所述基板的表面处理是以使通过形成有金属焊盘的所述基板的表面具有亲水性，从而能够将形成有金属焊盘的其它基板键合到所述基板的方式进行处理的工艺。
15、可以是，根据本专利技术的实施例，所述腔室清洗步骤包括：电压施加步骤，在所述转换模组使所述电极部件和所述离子阻挡部件电连接的状态下，向所述电极部件施加电压；以及下等离子体形成步骤，向所述上处理空间提供处理气体，所述处理气体穿过所述离子阻挡部件向所述下处理空间流动，从而在所述下处理空间形成等离子体。
16、可以是，根据本专利技术的实施例，若所述基板投入到所述处理腔室，则执行所述基板表面处理步骤，若所述基板表面处理步骤结束并且所述基板从所述处理腔室排出，则执行所述腔室清洗步骤，若所述腔室清洗步骤结束，则下一个基板投入到所述处理腔室而执行所述基板表面处理步骤。
17、根据本专利技术的等离子体处理装置包括：处理腔室，形成基板的处理空间；卡盘，位于所述处理空间的下方并支承所述基板；以及等离子体生成模组，位于所述处理空间的上方并在所述处理空间形成等离子体，所述等离子体生成模组包括：电源，供应用于形成所述等离子体的功率；电极部件，与所述电源电连接；支承部件，支承所述电极部件的下部；离子阻挡部件，与所述支承部件的下部结合而将所述处理空间划分为上处理空间以及下处理空间，并在所述上处理空间中阻挡离子成分，并且形成有使自由基成分选择性地向所述下处理空间穿过的贯通孔；以及转换模组，构成为将所述电极部件和所述离子阻挡部件彼此电连接或电分离。
18、可以是，根据本专利技术的实施例，所述转换模组包括：转换块，形成为能够与所述电极部件以及所述离子阻挡部件接触；以及升降驱动部件，使所述转换块上升或者下降。
19、可以是，根据本专利技术的实施例，所述转换块下降而与所述电极部件和所述离子阻挡部件接触，从而所述电极部件和所述离子阻挡部件电连接，若所述转换块上升而从所述电极部件和所述离子阻挡部件分离，则所述电极部件和所述离子阻挡部件电分离。
20、可以是，根据本专利技术的实施例，若通过所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体生成模组，用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体，其中，
2.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
3.根据权利要求2所述的等离子体生成模组，其中，
4.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
5.根据权利要求4所述的等离子体生成模组，其中，
6.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
7.根据权利要求6所述的等离子体生成模组，其中，
8.根据权利要求7所述的等离子体生成模组，其中，
9.一种等离子体生成模组的工作方法，用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体，其中，
10.根据权利要求9所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，
11.根据权利要求9所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，
12.根据权利要求11所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，
13.根据权利要求12所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，
14.根据权利要求9所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，<...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体生成模组，用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体，其中，
2.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
3.根据权利要求2所述的等离子体生成模组，其中，
4.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
5.根据权利要求4所述的等离子体生成模组，其中，
6.根据权利要求1所述的等离子体生成模组，其中，
7.根据权利要求6所述的等离子体生成模组，其中，
8.根据权利要求7所述的等离子体生成模组，其中，
9.一种等离子体生成模组的工作方法，用于在等离子体处理装置中的处理空间形成等离子体，其中，
10.根据权利要求9所述的等离子体生成模组的工作方法，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金经晩，郑然赫，洪荣杓，李济熙，刘永俊，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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