【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、具有gan等氮化物半导体的异质结的氮化物半导体装置相比于使用了si的半导体装置，能够实现高耐压、低电阻、高速动作。
2、关于驱动这种高速开关元件的电路，为了抑制布线的寄生电感的影响等，期望的是与输出级元件形成于相同的芯片内。另一方面，在将输出级元件与驱动电路形成于同一芯片的情况下，若不能调整输出级元件的接通时间、关断时间，则难以进行实际的应用。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：第一晶体管，包含连接于漏极电极焊盘的第一漏极电极和连接于源极电极焊盘的第一源极电极；第一驱动电路，包含第二晶体管，该第二晶体管连接在第一电极焊盘与第二电极焊盘之间，所述第一电极焊盘与所述第一源极电极焊盘连接并被输入成为基准的第一电压，所述第二电极焊盘被输入比所述第一电压高的第二电压，所述第二晶体管具有电连接于所述第二电极焊盘的第二漏极电极和与所述第一晶体管的第一栅极电极连接的第二源极电极；以及第二驱动电路，包含第三晶体管，该第三晶体管连接在所述第二晶体管与所述第一电极之间，具有连接于所述第一栅极电极的第三漏极电极和连接于所述源极电极焊盘的第三源极电极。所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管形成于包含gan的第一基板。所述第一驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行充电。所述第二驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行放电。
2、根据本实施方式，能够提供可适当地调整输出级元件的开关速度的半导体装置。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
10.一种半导体装置，其中，具备：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉山亨，吉川典朗，栗山保彦，吉冈启，小林仁，洪洪，矶部康裕，大野哲也，关口秀树，小野村正明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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