【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片封装，尤其涉及一种芯片封装焊接真空炉及其传输方法。
技术介绍
1、在半导体芯片封装时需要在真空环境下进行，一般可采用真空炉形式得以实现。现有技术中的真空炉设置多个预热区、一个真空区和多个冷却区，其中，预热区采用氮气保护，并不是完全低氧环境；焊接区为真空环境。芯片焊接完之后，焊接区和冷却区之间连接的门打开，芯片从焊接区进入到冷却区，同时，焊接区和预热区之间连接的门打开，将预热的芯片送入到焊接区进行焊接，这样，在完成一个焊接过程并进行下一个焊接过程中，焊接区的前后门要同时打开，冷却区和预热区会破坏焊接区的真空环境的保持；有的现有技术中设置多个真空腔，芯片依次经过第一腔、第二腔、第三腔，但是依旧会存在堆积不连续的问题，这样不能保证焊接过程是连续的，加工效率低。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种芯片真空热压炉，用以解决现有技术中芯片封装焊接真空炉内工件的堆叠碰撞，不能保证高效率的连续作业的问题。
2、一种芯片封装焊接真空炉，包括第一真空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第五真空腔；所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔沿作业流程方向依次设置；
3、所述的芯片封装焊接真空炉的传输方法，包括：
4、s0，设置第一真空腔的传输速度为v1，设置第二真空腔的传输速度为v2，设置第三真空腔的传输速度为v3，设置第四真空腔传输速度为v4,设置第五真空腔传输速度为v5；
5、s2，关闭
6、s3，关闭所述第一和第五真空腔，将所述第一和第五真空腔抽真空达到预定真空度或进行惰性气体或还原性气体的注入，然后在所述第二真空腔达到预定真空值或进行惰性气体或还原性气体的注入后开启第二真空腔，工件由传输速度v2第一真空腔进入到第二真空腔内，工件由传输速度v3第二真空腔进入到第三真空腔内，工件由传输速度v4第三真空腔进入到第四真空腔内；
7、s4，关闭第二真空腔、第三真空腔和第四真空腔，并开启第一和第五真空腔，下一工件进入第一真空腔内；
8、s5、重复步骤s3和s4，且工件沿作业流程依次经过经过第二真空腔、第三真空腔和第四真空腔，最终由传输速度v5从第五真空腔移出。
9、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，
10、所述v1=a*v2,v2=b*v3,v3=c*v4,v4=d*v5，
11、其中a<1,b<1,c<1,d<1。
12、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，所述a=b=c=d或部分相等或都不相等。
13、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，所述第二真空腔为预热区，用于在工件预热阶段提供真空环境、惰性气体环境或还原性气体环境；
14、所述第三真空腔为焊接区，用于在工件焊接阶段提供真空环境、惰性气体环境或还原性气体环境；
15、所述第四真空腔为冷却区，用于在工件冷却阶段提供真空环境、惰性气体环境或还原性气体环境；其中，
16、所述预热区、所述焊接区和所述冷却区沿作业流程方向依次设置。
17、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，还包括多个治具框和多个阻挡机构，多个所述阻挡机构设置在所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔的出口端附近，所述治具框用于承载所述工件。
18、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，所述阻挡机构用于对所述治具框进行阻挡。
19、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，还包括：第一抽真空装置，所述第一抽真空装置分别一一对应与所述预热区、所述焊接区和所述冷却区连通，分别用于将所述预热区、所述焊接区和所述冷却区抽真空。
20、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，所述第一真空腔为入口待转区，所述入口待转区设于所述预热区的入口端；
21、所述第五真空腔为出口待转区，所述出口待转区设于所述冷却区的出口端。
22、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，还包括：第二抽真空装置，所述第二抽真空装置与所述第一真空腔和第五真空腔连通，用于将所述第一真空腔和第五真空腔抽真空。
23、根据本专利技术的芯片封装焊接真空炉，在步骤s2之前还包括：
24、s1、关闭第一真空腔和第五真空腔，并保持第一真空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第五真空腔内部的真空状态、惰性气体状态或者还原性气体状态。
25、本专利技术通过控制真空腔的速度达到最优的传输速度，防止工件的堆叠碰撞，保证了高效率的连续作业。阻挡机构的动作保证了各个真空腔的安全。
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1.一种芯片封装焊接真空炉，其特征在于，包括第一真空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第五真空腔；所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔沿作业流程方向依次设置；所述第一真空腔和所述第五真空腔为独立真空腔；
2.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，所述A=B=C=D或部分相等或都不相等。
4.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，所述第二真空腔为预热区，用于在工件预热阶段提供真空环境、惰性气体环境或还原性气体环境；
5.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，还包括多个治具框和多个阻挡机构，多个所述阻挡机构设置在所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔的出口端附近，所述治具框用于承载所述工件。
6.根据权利要求5所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，所述阻挡机构用于对所述治具框进行阻挡。
7.根据权利要求4所述的芯片封装焊接真空炉
8.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，
9.根据权利要求1至8任意一项所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，还包括：第二抽真空装置，所述第二抽真空装置与所述第一真空腔和第五真空腔连通，用于将所述第一真空腔和第五真空腔抽真空。
10.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，在步骤S2之前还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装焊接真空炉，其特征在于，包括第一真空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第五真空腔；所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔沿作业流程方向依次设置；所述第一真空腔和所述第五真空腔为独立真空腔；
2.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，所述a=b=c=d或部分相等或都不相等。
4.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，所述第二真空腔为预热区，用于在工件预热阶段提供真空环境、惰性气体环境或还原性气体环境；
5.根据权利要求1所述的芯片封装焊接真空炉，其特征在于，还包括多个治具框和多个阻挡机构，多个所述阻挡机构设置在所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张延中，赵永先，邓燕，文爱新，
申请(专利权)人：泰姆瑞北京精密技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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