【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于综合电子系统电磁兼容测试，具体涉及一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法。
技术介绍
1、随着电子系统内电气设备、互联线缆的增多，电磁干扰现象越来越严重。电磁兼容测试中辐射发射测试是最难通过的一项，引起设备电磁兼容问题的原因各不相同，系统内的零部件、电路板、模块、装置等之间也会互相产生干扰，而其又属于多学科交叉的系统问题，不仅需了解电路、信号、天线、射频等方面的知识，还需具备丰富的实测及排查问题的经验。目前业内电子产品高集成、小型化的产品在面对如狭小空间内部电磁耦合严重、向外辐射超标、设备电磁抗绕度差等问题多采取断电隔离、近场扫描、基于灵敏度和贡献度分析等方法寻找辐射源，但以上方法很难精准高效的定位辐射源、耦合途径、甚至外部干扰等，需要对各个器件重复试验，会有对关键部位的遗漏、降低效率和准确率不高的缺点。
2、当产品电磁兼容测试出现问题后现有情况更多是基于经验“缝缝补补”，对机箱贴铜箔屏蔽等，但效果并不理想。因为缺少规范化定位问题解决问题的方法，使电磁兼容测试费时费力，反复多次迭代，甚至容易出现过度防护的问题。综合电子系统内部器件种类多，模块布局布线复杂，多数电磁兼容复杂辐射问题并不只有一两个关键部位有辐射泄露，而是涉及多个部位都是薄弱环节，每一个部位贡献叠加起来导致超限，因此从整个产品中快速、精准的识别薄弱、痛点环节是电磁兼容测试及优化的关键所在。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种高集成综合电子系统的复杂辐
2、为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
3、一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，包括以下步骤：
4、将综合电子系统按照标准进行布置并测试，观测其re102测试曲线是否超过规定限值；
5、若re102测试曲线超过规定限值，则判断是高频超标还是低频超标；
6、若为低频超标，将超标频率与低频超标诱因部件的工作频率及倍频进行对比，添加简易滤波措施验证；
7、若为高频超标，则对高频超标诱因部件进行远场微波暗室测试和近场扫描测试完成电磁辐射问题的定位。
8、优选地，所述低频超标诱因部件为开关电源。
9、优选地，所述高频超标诱因部件包括：机箱缝隙、连接器的屏蔽和线缆。
10、优选地，所述对高频超标诱因部件进行远场微波暗室测试和近场扫描测试完成电磁辐射问题的定位，具体包括以下步骤：
11、s401：对综合电子系统在微波暗室内进行远场辐射测试，通过对线缆、机箱控制变量测试，记录测试的频率和峰值；根据与re102测试曲线峰值辐射量级的差值对比，判断电磁辐射超标时耦合途径的权重；
12、s402：根据耦合途径的权重由高到低再进一步定位；
13、s403：使用频谱仪连接近场探头，进行近场辐射源定位；
14、s404：远场微波暗室测试结合近场扫描测试结果，排查出电磁辐射超标的辐射源及耦和途径，完成电磁辐射问题的定位。
15、优选地，所述s402中，若线缆权重高则基于控制变量法单独露出每一根线缆并用铜网包裹其余部位并测试，记录单独露出每一根线缆的频率和峰值，与re102测试曲线做差值判断是否泄露。
16、优选地，对每一根有泄漏的线缆通过增加电感、电容、磁环等滤波器件、或者包裹铜箔、接地等方法对耦合途径进行优化，若优化测试辐射减小则进一步验证问题定位的准确性。
17、优选地，所述s402中，若机箱缝隙权重高则基于控制变量法单独露出每一个连接器和机箱壳体并用铜网包裹其余部位并测试，记录单独露出每一个连接器和机箱壳体的频率和峰值，与re102测试曲线做差值判断是否泄露。
18、优选地，对每一个有泄漏的连接器和机箱壳体用包裹铜箔、接地等方法对耦合途径进行优化，若优化测试辐射减小则进一步验证问题定位的准确性。
19、优选地，所述s403中，对综合电子系统机箱进行开盖处理，扫描产品内部各个器件，电磁辐射幅值最高的芯片结合辐射频点和芯片工作频率确定辐射源。
20、优选地，所述若re102测试曲线超过规定限值，则频率为1mhz以上为高频超标；频率为1mhz以下判断为低频超标。
21、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
22、本专利技术所公开的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，在先验信息的基础上通过微波暗室结合近场测试的方法可以更快速精准的进行问题定位，从而针对性的对产品的辐射源、耦合途径处理优化，能够起到事半功倍的优化效果。本专利技术在解决综合电子系统类产品辐射超标情况，通过上述方法有条理且精细的判断干扰源是来自芯片、电源管理组件等部位，同时快速定位泄露途径是连接器、线缆、还是机壳屏蔽等因素，克服传统电磁兼容优化盲目的加滤波器、到处贴铜箔等浪费时间和经济成本且效果欠佳的情况，进而在节约时间和经济成本的情况下提高产品的电磁兼容性能。
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1.一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述低频超标诱因部件为开关电源。
3.根据权利要求1所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述高频超标诱因部件包括：机箱缝隙、连接器的屏蔽和线缆。
4.根据权利要求3所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述对高频超标诱因部件进行远场微波暗室测试和近场扫描测试完成电磁辐射问题的定位，具体包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述S402中，若线缆权重高则基于控制变量法单独露出每一根线缆并用铜网包裹其余部位并测试，记录单独露出每一根线缆的频率和峰值，与RE102测试曲线做差值判断是否泄露。
6.根据权利要求5所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，对每一根有泄漏的线缆通过增加电感、电容、磁环等滤波器件、或者包裹铜箔、接地等方法对耦合
7.根据权利要求4所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述S402中，若机箱缝隙权重高则基于控制变量法单独露出每一个连接器和机箱壳体并用铜网包裹其余部位并测试，记录单独露出每一个连接器和机箱壳体的频率和峰值，与RE102测试曲线做差值判断是否泄露。
8.根据权利要求7所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，对每一个有泄漏的连接器和机箱壳体用包裹铜箔、接地等方法对耦合途径进行优化，若优化测试辐射减小则进一步验证问题定位的准确性。
9.根据权利要求4所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述S403中，对综合电子系统机箱进行开盖处理，扫描产品内部各个器件，电磁辐射幅值最高的芯片结合辐射频点和芯片工作频率确定辐射源。
10.根据权利要求1所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述若RE102测试曲线超过规定限值，则频率为1MHz以上为高频超标；频率为1MHz以下判断为低频超标。
...【技术特征摘要】
1.一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述低频超标诱因部件为开关电源。
3.根据权利要求1所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述高频超标诱因部件包括：机箱缝隙、连接器的屏蔽和线缆。
4.根据权利要求3所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述对高频超标诱因部件进行远场微波暗室测试和近场扫描测试完成电磁辐射问题的定位，具体包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，所述s402中，若线缆权重高则基于控制变量法单独露出每一根线缆并用铜网包裹其余部位并测试，记录单独露出每一根线缆的频率和峰值，与re102测试曲线做差值判断是否泄露。
6.根据权利要求5所述的一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，对每一根有泄漏的线缆通过增加电感、电容、磁环等滤波器件、或者包裹铜箔、接地等方法对耦合途...
【专利技术属性】
技术研发人员：王玥，张小龙，阎彬，唐艺菁，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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