【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及电子电路、电力变换装置及逆变器。
技术介绍
1、在功率电子学的领域,使用mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)、igbt(insulated gate bipolar transistor)等的半导体开关元件。
2、在开关元件的接通时,在从栅极电压开始上升到漏极电流开始流动的期间存在延迟(开关延迟)。为了使开关延迟变短,进行将在漏极-源极间的电压开始变化为止的期间中供给的驱动电流增大的处理。但是,如果在漏极-源极间的电压开始变化后驱动电流也保持为较大,则因为漏极-源极间的电压的急剧的时间变化,成为发生噪声的原因。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够在抑制噪声的发生的同时使开关延迟变短的电子电路。
2、本技术方案的电子电路具备:电流输出电路,向开关元件输出驱动电流;第1检测电路,检测开关元件的输出端子间的电压变化的开始定时;以及控制电路,根据指示开
...【技术保护点】
1.一种电子电路,其中,具备:
2.如权利要求1所述的电子电路,其中,
3.如权利要求1所述的电子电路,其中,
4.如权利要求3所述的电子电路,其中,
5.如权利要求2所述的电子电路,其中,
6.如权利要求5所述的电子电路,其中,
7.如权利要求6所述的电子电路,其中,
8.如权利要求1所述的电子电路,其中,
9.如权利要求8所述的电子电路,其中,
10.如权利要求8所述的电子电路,其中,
11.如权利要求10所述的电子电路,其中,
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...【技术特征摘要】
1.一种电子电路,其中,具备:
2.如权利要求1所述的电子电路,其中,
3.如权利要求1所述的电子电路,其中,
4.如权利要求3所述的电子电路,其中,
5.如权利要求2所述的电子电路,其中,
6.如权利要求5所述的电子电路,其中,
7.如权利要求6所述的电子电路,其中,
8.如权利要求1所述的电子电...
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