System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有专用读写数据路径的低延迟动态随机存取存储器(DRAM)架构制造技术_技高网

具有专用读写数据路径的低延迟动态随机存取存储器(DRAM)架构制造技术

技术编号:40701759 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-22 11:00
公开了存储器设备、模块、控制器、系统和相关联的方法。在一个实施例中,公开了一种动态随机存取存储器(DRAM)设备。DRAM设备包括存储器核心电路系统,该存储器核心电路系统包括被组织成存储体组的DRAM存储单元的阵列。每个存储体组包括多个存储体,其中多个存储体中的每个存储体包括多个可寻址列的DRAM存储单元。DRAM设备包括信号接口电路系统,该信号接口电路系统具有专用写入数据路径电路系统和专用读取数据路径电路系统。用于第一存储器事务的选择器电路系统选择性地将多个可寻址列的DRAM存储单元中的至少一个可寻址列耦合到专用读取数据路径电路系统或专用写入数据路径电路系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文中公开内容涉及存储器系统、存储器控制器、存储器设备和相关联的方法。


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种动态随机存取存储器(DRAM)设备,包括:

2.根据权利要求1所述的DRAM设备,还包括:

3.根据权利要求2所述的DRAM设备,其中:

4.根据权利要求3所述的DRAM设备,其中所述命令/地址路径电路系统包括:

5.根据权利要求1所述的DRAM设备,其中:

6.根据权利要求1所述的DRAM设备,其中:

7.根据权利要求1所述的DRAM设备,还包括:

8.一种在集成电路(IC)动态随机存取存储器(DRAM)设备中操作的方法,所述IC DRAM设备包括存储器核心电路系统,所述存储器核心电路系统至少被组织成存储单元的第一存储体组和存储单元的第二存储体组,所述方法包括:

9.根据权利要求8所述的方法,其中:

10.根据权利要求8所述的方法,其中:

11.根据权利要求8所述的方法,其中:

12.根据权利要求8所述的方法,其中:

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述C/A信息的所述接收还包括:

14.一种集成电路(IC)动态随机存取存储器(DRAM)设备,包括:

15.根据权利要求14所述的IC DRAM设备,其中:

16.根据权利要求14所述的IC DRAM设备,其中:

17.根据权利要求14所述的IC DRAM设备,还包括:

18.根据权利要求17所述的IC DRAM设备,其中:

19.根据权利要求18所述的IC DRAM设备,其中所述命令/地址路径电路系统包括:

20.根据权利要求18所述的IC DRAM设备,其中:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种动态随机存取存储器(dram)设备,包括:

2.根据权利要求1所述的dram设备,还包括:

3.根据权利要求2所述的dram设备,其中:

4.根据权利要求3所述的dram设备,其中所述命令/地址路径电路系统包括:

5.根据权利要求1所述的dram设备,其中:

6.根据权利要求1所述的dram设备,其中:

7.根据权利要求1所述的dram设备,还包括:

8.一种在集成电路(ic)动态随机存取存储器(dram)设备中操作的方法,所述ic dram设备包括存储器核心电路系统,所述存储器核心电路系统至少被组织成存储单元的第一存储体组和存储单元的第二存储体组,所述方法包括:

9.根据权利要求8所述的方法,其中:

10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·豪克内斯C·海伍德T·帕尔奇T·沃吉尔桑
申请(专利权)人:拉姆伯斯公司
类型:发明
国别省市:

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