【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件测试领域，特别涉及一种gan hemts器件结温测试装置及方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，gan高电子迁移率器件（high electron mobilitytransistors，hemts）由于具有优异的功率和频率特性，在射频微波领域具有明显优势，逐渐用于大功率微波雷达、电子对抗武器中。对着电子装置对功率密度需求的显示提高，部分gan hemts器件的功率已经超过1kw，对这类大功率gan hemts器件进行结温测试时，存在环境温度不稳定导致结温测试结果不准确的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种实现温度可控和稳定的gan hemts器件结温测试装置及方法。
2、第一方面，本申请提供了一种gan hemts器件结温测试装置，包括：
3、样品台，所述样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件；
4、测温模块，位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，用于测量所述本体表面的实际温度；
5、冷却设备，分别与所述分液管道、测温模块连接，用于根据所述实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；
6、反射率热成像设备，用于与所述待测器件连接，以获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。
7、在其中一个实施例中，所述分液管道包括第一级管道和多
8、在其中一个实施例中，多个所述第二级管道沿第一方向间隔设置在所述第一级管道上，多个所述第二级管道内冷却液沿第二方向流动，所述第一方向和所述第二方向垂直。
9、在其中一个实施例中，多个所述第二级管道的内径尺寸的量级为微米级。
10、在其中一个实施例中，所述冷却设备包括：
11、输液管道，和所述分液管道的入口连接；
12、回液管道，和所述分液管道的出口连接；
13、流量泵，设置在所述输液管道上；
14、流量控制器，分别和所述测温模块、所述流量泵连接，用于根据所述实际温度和所述预设温度范围输出驱动信号至所述流量泵，以及控制所述流量泵根据所述驱动信号调节流过所述输液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内。
15、在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括：
16、冷却液存储组件，分别和所述输液管道、回液管道连接，用于储存冷却液。
17、在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括流量指示器，设置在所述回液管道上，用于监测所述回液管道的实际流量，并将所述实际流量发送至所述流量控制器；
18、所述流量控制器还用于基于所述实际流量判断所述输液管道和所述回液管道是否出现异常。
19、在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括冷凝器，设置在所述回液管道上。
20、在其中一个实施例中，所述测温模块包括嵌入式热电偶。
21、第二方面，本申请还提供了一种gan hemts器件结温测试方法，应用于如上述任一实施例提供的gan hemts器件结温测试装置，其中，所述方法包括：
22、将待测器件置于样品台本体表面；
23、获取所述样品台本体表面的实际温度；
24、基于所述实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；
25、获取所述待测器件表面对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。
26、上述gan hemts器件结温测试装置及方法中，gan hemts器件结温测试装置包括样品台、测温模块、冷却设备和反射率成像设备。其中，样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件，测温模块位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，冷却设备分别与所述分液管道、测温模块连接，反射率热成像设备与所述待测器件连接，获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。通过测温模块实时获取样品台本体表面的实际温度，并通过冷却设备根据实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，使样品台本体表面的温度维持在预设温度范围内，也即在实际温度高于预设温度范围的上限时，通过增大分液管道的冷却液的流量，增强样品台的散热能力；在实际温度低于预设温度范围的下限时，通过减小分液管道的冷却液的流量，降低样品台的散热能力，使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免采用反射率热成像设备进行结温测试时，由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。
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1.一种GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述分液管道包括第一级管道和多个第二级管道，所述第一级管道与所述冷却设备连接，多个所述第二级管道分别所述第一级管道连通；其中，所述第二级管道相对所述第一级管道靠近所述待测器件设置。
3.根据权利要求2所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道沿第一方向间隔设置在所述第一级管道上，多个所述第二级管道内冷却液沿第二方向流动，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道的内径尺寸的量级为微米级。
5.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备包括：
6.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括：
7.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括流量指
8.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括冷凝器，设置在所述回液管道上。
9.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述测温模块包括嵌入式热电偶。
10.一种GaN HEMTs器件结温测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9任一项所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其中，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种gan hemts器件结温测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的gan hemts器件结温测试装置，其特征在于，所述分液管道包括第一级管道和多个第二级管道，所述第一级管道与所述冷却设备连接，多个所述第二级管道分别所述第一级管道连通；其中，所述第二级管道相对所述第一级管道靠近所述待测器件设置。
3.根据权利要求2所述的gan hemts器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道沿第一方向间隔设置在所述第一级管道上，多个所述第二级管道内冷却液沿第二方向流动，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的gan hemts器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道的内径尺寸的量级为微米级。
5.根据权利要求1所述的gan hemts器件结温测试装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宏跃，柳月波，陈义强，何小琦，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：
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