【技术实现步骤摘要】
本技术属于电气电子设备、通讯设备及其他机械制造等部件连接领域，具体涉及一种原位沉积连接件。
技术介绍
1、传统的两个连接块之间的连接层，是采用高温加热的方式，通过微纳米au及其合金、ag及其合金、cu及其合金等颗粒(颗粒组成的浆料或薄膜)的颈连扩散，或者是通过sn及其合金等组成的软钎料的熔化扩散来实现的。但是软钎料形成的连接层的熔点和热导率太低，连接层无法满足高温服役工作的需求，连接层传热效率也低。微纳米au及其合金、ag及其合金、cu及其合金等颗粒的颈连扩散形成的连接层，虽然能满足高温服役工作的需求，但是连接层孔隙率过高，导致连接层的热导率远远达不到au及其合金、ag及其合金、cu及其合金的理论热导率，连接件的传热效率有所损失。而且，传统的连接层的实现是需要高温加热的，某些连接块无法承受高温氧化或者热变形，同时加热势必也不节能。
2、因此，寻求低温连接从而实现高温服役工作是发展的一个趋势。
3、化学镀可以在低温下形成沉积层，但是化学镀的应用通常是在一个物体表面形成沉积层，以实现防腐、防氧或过渡层的目的，而还未发现有在两个物体之间的缝隙直接沉积金属层，以实现两个物体在原位直接连接起来的应用。无此应用的原因可能是两个物体直接相对的面如果是平齐的(即两面之间的边缘位置和中部位置距离相等)，由于缝隙中部位置的镀液的流速比缝隙边缘位置的流速慢，而镀液流速越快，表示在被镀物体表面形成沉积层的速度越快，也即同样的时间，缝隙的边缘位置的沉积层厚度会大于缝隙的中部位置的沉积层厚度，如果缝隙的边缘位置被填满而形成围墙，势必
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术的不足之处而提供了一种原位沉积连接件，其包括：第一连接块和第二连接块；所述第一连接块与所述第二连接块相对的面为第一连接面；所述第二连接块与所述第一连接块相对的面为第二连接面；所述第一连接面的中部位置与所述第二连接面之间形成第一缝隙；所述第一连接面的边缘位置与所述第二连接面之间形成第二缝隙；所述第一缝隙和所述第二缝隙内具有连接层；其中，所述第一缝隙的距离小于所述第二缝隙的距离。
2、可选的，所述第一连接面上设置有第一凸起部；所述第一凸起部与所述第二连接面之间形成所述第一缝隙。
3、可选的，所述第一连接面和所述第二连接面上分别设置有第一凸起部；所述第一连接面上的所述第一凸起部与所述第二连接面上的所述第一凸起部之间形成所述第一缝隙。
4、可选的，所述第一连接面的第一凸起部的数量为1个。
5、可选的，所述第一凸起部的中线穿过所述第一连接面的中线。
6、可选的，所述第一凸起部的底端起于所述第一连接面的边缘，所述第一凸起部的顶端止于所述第一连接面的中心。
7、可选的，所述第一凸起部的纵截面为等腰弧形面、等腰三角形或等腰梯形。
8、可选的，所述第一凸起部的纵截面为等腰弧形面；所述等腰弧形面的切线与所述第一连接面的夹角θ的正切值的范围为4×10-4～2×10-2。
9、可选的，所述第一凸起部的纵截面为等腰三角形或等腰梯形；所述的等腰三角形和等腰梯形的底角θ的正切值的范围为2×10-4～1×10-2。
10、可选的，所述第一凸起部的纵截面为等腰梯形；所述等腰梯形的上底边的长度不超过2mm。
11、可选的，所述第一凸起部的顶端与所述第一凸起部的底端的距离为s1，所述s1满足1μm-40μm；所述第一凸起部的顶端与所述第二连接面之间的距离为s2；所述s2满足2μm-10μm；所述第二缝隙内的连接层的厚度为3μm-50μm。
12、可选的，所述连接层的材质为au及其合金、ag及其合金、cu及其合金或sn及其合金。
13、本技术提供的一种原位沉积连接件与现有技术相比，其有益效果在于：
14、本技术通过将第一缝隙的距离设置小于第二缝隙的距离，避免由于第一连接块的中部位置和边缘位置平齐，第二缝隙(缝隙的边缘位置)被沉积层填满而形成围墙，导致镀液无法继续流向第一缝隙(缝隙的中部位置)，而无法继续在第一缝隙形成沉积层，从而导致第一缝隙的空隙率过高甚至形成空腔，无法实现将两个连接块良好连接起来从而形成良好的连接件的问题。
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1.一种原位沉积连接件，其特征在于，包括：第一连接块和第二连接块；所述第一连接块与所述第二连接块相对的面为第一连接面；所述第二连接块与所述第一连接块相对的面为第二连接面；所述第一连接面的中部位置与所述第二连接面之间形成第一缝隙；所述第一连接面的边缘位置与所述第二连接面之间形成第二缝隙；所述第一缝隙和所述第二缝隙内具有连接层；其中，所述第一缝隙的距离小于所述第二缝隙的距离。
2.根据权利要求1所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面上设置有第一凸起部；所述第一凸起部与所述第二连接面之间形成所述第一缝隙。
3.根据权利要求1所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面和所述第二连接面上分别设置有第一凸起部；所述第一连接面上的所述第一凸起部与所述第二连接面上的所述第一凸起部之间形成所述第一缝隙。
4.根据权利要求2或3所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面的第一凸起部的数量为1个。
5.根据权利要求4所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的中线穿过所述第一连接面的中线。
6.根据权利要求4所述的
7.根据权利要求4所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的纵截面为等腰弧形面、等腰三角形或等腰梯形。
8.根据权利要求7所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的纵截面为等腰弧形面；所述等腰弧形面的切线与所述第一连接面的夹角θ的正切值的范围为4×10-4～2×10-2。
9.根据权利要求7所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的纵截面为等腰三角形或等腰梯形；所述的等腰三角形和等腰梯形的底角θ的正切值的范围为2×10-4～1×10-2。
10.根据权利要求7所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的纵截面为等腰梯形；所述等腰梯形的上底边的长度不超过2mm。
11.根据权利要求4所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的顶端与所述第一凸起部的底端的距离为S1，所述S1满足1μm-40μm；所述第一凸起部的顶端与所述第二连接面之间的距离为S2；所述S2满足2μm-10μm；所述第二缝隙内的连接层的厚度为3μm-50μm。
12.根据权利要求1所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述连接层的材质为Au及其合金、Ag及其合金、Cu及其合金或Sn及其合金。
...【技术特征摘要】
1.一种原位沉积连接件，其特征在于，包括：第一连接块和第二连接块；所述第一连接块与所述第二连接块相对的面为第一连接面；所述第二连接块与所述第一连接块相对的面为第二连接面；所述第一连接面的中部位置与所述第二连接面之间形成第一缝隙；所述第一连接面的边缘位置与所述第二连接面之间形成第二缝隙；所述第一缝隙和所述第二缝隙内具有连接层；其中，所述第一缝隙的距离小于所述第二缝隙的距离。
2.根据权利要求1所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面上设置有第一凸起部；所述第一凸起部与所述第二连接面之间形成所述第一缝隙。
3.根据权利要求1所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面和所述第二连接面上分别设置有第一凸起部；所述第一连接面上的所述第一凸起部与所述第二连接面上的所述第一凸起部之间形成所述第一缝隙。
4.根据权利要求2或3所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一连接面的第一凸起部的数量为1个。
5.根据权利要求4所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的中线穿过所述第一连接面的中线。
6.根据权利要求4所述的原位沉积连接件，其特征在于，所述第一凸起部的底端起于所述第一连接面的边缘，所述第一凸起部的顶端止于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡航伟，杜昆，
申请(专利权)人：广州汉源微电子封装材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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