一种被动式动态偏置测试电路制造技术

本发明专利技术提供一种被动式动态偏置测试电路，所述测试电路由一个高压直流电源HV、一个高压电容C1、第一控制开关S1、第二控制开关S2、保险管F1～F6及被测器件DUT1～DUT6组成。通过控制一组开关的高速切换，产生高压脉冲；每两只被测器件串联组成一个测试对，然后再多对并联，实现对多只器件同时测试；另外，所有被测器件的控制极直接短路，即始终处于关断状态(被动接受电压应力)，避免了主动式动态偏置技术需要对控制极施加控制电压，所带来的对测试结果的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体，特别是碳化硅场效应晶体管器件的动态偏置测试电路和控制方法。

技术介绍

1、高温反偏(htrb)是功率半导体器件最为常规的一项可靠性试验，该试验主要用于考察芯片钝化工艺、边缘密封工艺的成熟度以及芯片在高温下长期工作的可靠性。htrb引发的器件失效，通常与制造过程中引入的离子污染物有关，这些污染物可以在温度和电场的影响下发生迁移，从而增加表面电荷，导致漏电流不断增大直至引发器件击穿。此外，器件封装工艺如引线键合、芯片焊接等也会对芯片钝化完整性产生重大影响，导致器件在htrb试验中发生失效。

2、近年来，由于新能源汽车、光伏发电等新兴市场的驱动，宽禁带半导体器件，特别是碳化硅(sic)器件取得了长足发展，其更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，相较于传统的硅(si)器件优势明显。

3、然而与si器件不同，sic器件属于化合物半导体，除了si元素还有c元素，其生产制造工艺相较si器件要更加复杂且难以控制。目前市场上的sic器件由于制造工艺还不完全成熟，相较常规的si器件存在更多的微本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种被动式动态偏置测试电路，其特征在于，所述测试电路由一个高压直流电源HV、一个高压电容C1、第一控制开关S1、第二控制开关S2、保险管F1～F6及被测器件DUT1～DUT6组成。

2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路中，高压直流电源HV的正、负极并联一个高压电容C1，第一控制开关S1的一端与高压电容C1的正极相连，另一端与第二控制开关S2的一端相连，第二控制开关S2的另一端与高压电容C1的负极相连；第一保险管F1的一端与高压电容C1的正极相连，另一端与第一被测件DUT1的漏极相连，第一被测件DUT1的栅极与源极短路后，其源极同时与第二保险管F2的一...

【技术特征摘要】

1.一种被动式动态偏置测试电路，其特征在于，所述测试电路由一个高压直流电源hv、一个高压电容c1、第一控制开关s1、第二控制开关s2、保险管f1～f6及被测器件dut1～dut6组成。

2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路中，高压直流电源hv的正、负极并联一个高压电容c1，第一控制开关s1的一端与高压电容c1的正极相连，另一端与第二控制开关s2的一端相连，第二控制开关s2的另一端与高压电容c1的负极相连；第一保险管f1的一端与高压电容c1的正极相连，另一端与第一被测件dut1的漏极相连，第一被测件dut1的栅极与源极短路后，其源极同时与第二保险管f2的一端、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑾，金昊，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：