【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有不同蒲松比的可挠基板结构的电子装置。
技术介绍
1、近年来，电子装置已发展出具有可弯曲、可折叠或可拉伸的特性，使其得以应用在不同种类的物件上。然而，随着物件的外观设计需求不断的改变，物件的表面会包括具有不同高斯曲率的多个曲面，使得现有的电子装置不易设置在物件的曲面上，由其当电子装置贴附于物件的表面上时容易产生皱折。或者，即使可拉伸的电子装置能够设置于物件的曲面，其内部的元件容易受到损坏，以致于降低电子装置的可靠度或寿命。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一些实施例，提供一种电子装置，其包括覆盖层以及可挠基板结构。覆盖层包括第一区域以及第二区域。可挠基板结构设置于覆盖层下并包括对应第一区域的第一部分以及对应第二区域的第二部分。覆盖层的第一区域的高斯曲率不同于覆盖层的第二区域的高斯曲率，且可挠基板结构的第一部分的蒲松比不同于可挠基板结构的第二部分的蒲松比。
【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于0，且所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比小于0。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，且所述第一基板的材料不同于所述第二基板的材料。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述第一基板的蒲松比大于所述第二基板的蒲松比。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板的所述蒲松比大于0，且所述第二基板的所述蒲松比小于0。
7.如权利要
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述第一基板具有多个第一开口，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，所述第二基板具有多个第二开口，且所述多个第一开口的分布密度小于所述多个第二开口的分布密度。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率大于0，所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率小于0，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述第一基板具有多个第一开口，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，所述第二基板具有多个第二开口，且所述多个第一开口的其中一个的面积小于所述多个第二开口的其中一个的面积。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二部分位于所述可挠基板结构的角落处。
11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二部分位于所述可挠基板结构的中央处。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于0，且所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比小于0。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，且所述第一基板的材料不同于所述第二基板的材料。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述第一基板的蒲松比大于所述第二基板的蒲松比。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板的所述蒲松比大于0，且所述第二基板的所述蒲松比小于0。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述可挠基板结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴湲琳，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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