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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶片加工,涉及一种碲锌镉晶片的抛光方法。
技术介绍
1、碲锌镉(cd1-xznxte,简称czt)是一种新型ii-vi族化合物半导体材料,由高纯cd、zn、te材料经高温化学合成和生长得出。由于其独特的物理特性(较高的电阻率,较大的禁带宽度:能随着掺杂锌含量的变化,禁带宽度从1.4ev至2.26ev,连续变化),在室温下对x及γ射线有很好的探测能力,czt在医学、核探测、安检、核工业、天文探测等辐射探测与成像领域有广泛的应用前景。除此之外在红外探测方面,czt是mct最为适用的外延衬底材料。
2、关于czt晶片的加工,目前研究较少,在将czt晶片加工作为探测器衬底材料时,现有常用的工艺为:先对czt进行进行定向切片、倒角、研磨、抛光、清洗等工序,再进行后端加工。其中,表面平整度是判断衬底性能好坏的关键指标。目前该工艺过程中常见碲锌镉晶片边缘塌边,ttv差的问题,因此,急需开发出一种抛光工艺,缓解晶片塌边现象,提升晶片质量。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述问题,本专利技术的目的在于提供一种可有效缓解晶片塌边现象,提升晶片质量的碲锌镉晶片的抛光工艺。
2、为实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案是:
3、一种碲锌镉晶片的抛光方法,包括以下步骤:
4、(1)将晶棒切成晶片;
5、(2)将步骤(1)切出的晶片的111b面腐蚀出单晶区域,并记录好单晶区域的位置;
6、(3)对步骤(2)腐蚀后的
7、(4)对步骤(3)粗抛后的晶片的111b面进行第一次精抛;
8、(5)按照步骤(2)记录好的单晶区域的位置,使用划片机将步骤(4)第一次精抛后晶片的单晶区域划出;
9、(6)将步骤(5)所得晶片划出来的单晶区域的111b面进行第二次精抛;
10、(7)清洗。
11、优选地,步骤(1)中,将晶片切出,并用倒角机磨成圆片或者方片。将晶片切成统一规格,有益于提高抛光效率,节约成本。
12、优选地,采用混合腐蚀溶液将晶片表面腐蚀出单晶区域;所述混合腐蚀溶液为乳酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液;混合腐蚀溶液中,乳酸、硝酸、氢氟酸的体积比为15~25:1~8:1~8;其中,用于配置的乳酸的质量浓度为85.0~90.0%、硝酸的质量浓度≥90.0%、氢氟酸的质量浓度为40.0~50.0%。
13、优选地,步骤(2)中,腐蚀后通过拍图记录单晶区域的位置。
14、优选地,步骤(3)中,使用双面研磨抛光机进行粗抛。
15、进一步优选地,粗抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000n,粗抛的抛光时间为90~120min。
16、优选地,步骤(4)中,使用单面研磨抛光机进行第一次精抛。
17、进一步优选地,步骤(4)中,第一次精抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000n,第一次精抛的抛光时间为5~10min。
18、优选地,步骤(5)中,划片机的主轴转速26000r~30000r,进刀速度为0.04~0.06mm/s。
19、优选地,步骤(6)中,使用单面研磨抛光机进行第二次精抛。
20、进一步优选地,,步骤(6)中,第二次精抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000n,第二次精抛的抛光时间为1~5min。
21、优选地,步骤(3)粗抛至平整度为3~5μm;步骤(4)第一次精抛至平整度为2~4μm;步骤(6)第二次精抛至平整度为1~3μm。
22、与现有技术相比,本专利技术的有益效果为:
23、本专利技术抛光方法工艺简单,操作方便,制备所得碲锌镉晶片的塌边及ttv问题得到明显改善。
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1.一种碲锌镉晶片的抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,采用混合腐蚀溶液将晶片表面腐蚀出单晶区域;所述混合腐蚀溶液为乳酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液;混合腐蚀溶液中,乳酸、硝酸、氢氟酸的体积比为15~25:1~8:1~8;其中,用于配制的乳酸的质量浓度为85.0~90.0%、硝酸的质量浓度≥90.0%、氢氟酸的质量浓度为40.0~50.0%。
3.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,步骤(3)中,使用双面研磨抛光机进行粗抛。
4.如权利要求3所述的抛光方法,其特征在于,粗抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000N,粗抛的抛光时间为90~120min。
5.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,步骤(4)中,使用单面研磨抛光机进行第一次精抛。
6.如权利要求5所述的抛光方法,其特征在于,步骤(4)中,第一次精抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000N,第一次精抛的抛光时间为5~10min。
7.如权利要求1所述的抛光
8.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,步骤(6)中,使用单面研磨抛光机进行第二次精抛。
9.如权利要求8所述的抛光方法,其特征在于,步骤(6)中,第二次精抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000N,第二次精抛的抛光时间为1~5min。
10.如权利要求1~9任一项所述的抛光方法,其特征在于,步骤(3)粗抛至平整度为3~5μm;步骤(4)第一次精抛至平整度为2~4μm;步骤(6)第二次精抛至平整度为1~3μm。
...【技术特征摘要】
1.一种碲锌镉晶片的抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,采用混合腐蚀溶液将晶片表面腐蚀出单晶区域;所述混合腐蚀溶液为乳酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液;混合腐蚀溶液中,乳酸、硝酸、氢氟酸的体积比为15~25:1~8:1~8;其中,用于配制的乳酸的质量浓度为85.0~90.0%、硝酸的质量浓度≥90.0%、氢氟酸的质量浓度为40.0~50.0%。
3.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,步骤(3)中,使用双面研磨抛光机进行粗抛。
4.如权利要求3所述的抛光方法,其特征在于,粗抛过程中:抛光转速为30~60rpm,抛光压力为500~1000n,粗抛的抛光时间为90~120min。
5.如权利要求1所述的抛光方法,其特征在于,步骤(4)中,使用单面研磨抛光机进行第一次精抛。
6.如权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖和杰,马金峰,刘火阳,周铁军,
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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