【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
2、topcon（tunnel oxide passivated contact）电池或者结合topcon技术的ibc所组成的tbc（topcon-bc）电池需要在硅表面制备钝化接触结构，例如，超薄的隧穿氧化层和高掺杂的多晶硅层，利用隧穿氧化层的化学钝化和多晶硅层的场钝化作用可以显著降低硅表面的少子复合速率，同时高掺杂的多晶硅层可以显著改善多子的导电性能，有利于提高电池的开路电压和填充系数。
3、化学气相沉积法（chemical vapor deposition，cvd）是制备隧穿氧化层和多晶硅层的主要技术，例如，低压化学气相沉积（lpcvd）具有成本低、产量高，制备的薄膜性能较高的优点，目前得到了广泛的应用。然而在制备背面钝化接触结构的过程中可能存在一些问题从而影响电池效率。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
2、根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底；位于所述基底上的掺杂半导体层，所述掺杂半导体层具有边缘区；所述掺杂半导体层的边缘区具有贯穿所述掺杂半导体层厚度的第一孔洞
3、在一些实施例中，所述掺杂半导体层内掺杂有p型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于50μm。
4、在一些实施例中，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于10μm。
5、在一些实施例中，所述掺杂半导体层内掺杂有n型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于300μm。
6、在一些实施例中，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于30μm。
7、在一些实施例中，所述基底内具有凹槽，所述凹槽与所述第一孔洞相贯通，所述凹槽的深度小于4μm。
8、在一些实施例中，部分所述电极位于所述第一孔洞内与所述基底电接触。
9、在一些实施例中，所述凹槽的内壁面具有绒面结构。
10、在一些实施例中，还包括：介质层，所述介质层位于所述基底与所述掺杂半导体层之间，所述介质层内具有与所述第一孔洞对应的第二孔洞，所述第二孔洞的底部暴露所述基底的表面。
11、在一些实施例中，所述基底具有交替排布的p区以及n区，所述p区与所述n区之间具有间隔区，所述掺杂半导体层包括位于所述p区的第一掺杂半导体层以及位于所述n区的第二掺杂半导体层，所述电极包括第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第一掺杂半导体层电接触，所述第二电极与所述第二掺杂半导体层电接触，所述钝化层还覆盖所述间隔区的基底表面；所述第一掺杂半导体层具有第一边缘区，所述第一边缘区具有第一子孔洞，和/或，所述第二掺杂半导体层具有第二边缘区，所述第二边缘区具有第二子孔洞。
12、在一些实施例中，所述第一边缘区具有第一子孔洞，所述第二边缘区具有第二子孔洞，所述第一子孔洞的一维尺寸小于所述第二子孔洞的一维尺寸。
13、在一些实施例中，沿第三方向，所述第一孔洞的个数与所述边缘区的长度的比值小于20%*um-1。
14、在一些实施例中，所述掺杂半导体层具有边界，靠近所述边界的第一孔洞的数量大于远离所述边界的所述第一孔洞的数量。
15、在一些实施例中，所述掺杂半导体层包括掺杂非晶硅层、掺杂多晶硅层、掺杂微晶硅层、掺杂碳化硅层或者掺杂晶硅层的至少一种。
16、根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个如上述实施例中任一项所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
17、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
18、本申请实施例提供的太阳能电池中，掺杂半导体层具有边缘区，掺杂半导体层的边缘区具有贯穿掺杂半导体层厚度的第一孔洞，钝化层填充第一孔洞，一是钝化层可以对由于掺杂半导体层所暴露的基底进行钝化从而降低表面缺陷，二是第一孔洞降低掺杂半导体层的结构强度，从而降低边缘处的掺杂半导体层发生破损的几率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层内掺杂有P型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于50μm。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于10μm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层内掺杂有N型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于300μm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于30μm。
6.根据权利要求1、2或4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底内具有凹槽，所述凹槽与所述第一孔洞相贯通，所述凹槽的深度小于4μm。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，部分所述电极位于所述第一孔洞内与所述基底电接触。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的内壁面具有绒面结构。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：介质层，所
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底具有交替排布的P区以及N区，所述P区与所述N区之间具有间隔区，所述掺杂半导体层包括位于所述P区的第一掺杂半导体层以及位于所述N区的第二掺杂半导体层，所述电极包括第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第一掺杂半导体层电接触，所述第二电极与所述第二掺杂半导体层电接触，所述钝化层还覆盖所述间隔区的基底表面；所述第一掺杂半导体层具有第一边缘区，所述第一边缘区具有第一子孔洞，和/或，所述第二掺杂半导体层具有第二边缘区，所述第二边缘区具有第二子孔洞。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一边缘区具有第一子孔洞，所述第二边缘区具有第二子孔洞，所述第一子孔洞的一维尺寸小于所述第二子孔洞的一维尺寸。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿第三方向，所述第一孔洞的个数与所述边缘区的长度的比值小于20%*um-1。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层具有边界，靠近所述边界的第一孔洞的数量大于远离所述边界的所述第一孔洞的数量。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层包括掺杂非晶硅层、掺杂多晶硅层、掺杂微晶硅层、掺杂碳化硅层或者掺杂晶硅层的至少一种。
15.一种光伏组件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层内掺杂有p型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于50μm。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于10μm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体层内掺杂有n型掺杂元素，沿所述第一方向，所述边缘区的宽度小于或等于300μm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一孔洞的一维尺寸范围小于或等于30μm。
6.根据权利要求1、2或4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底内具有凹槽，所述凹槽与所述第一孔洞相贯通，所述凹槽的深度小于4μm。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，部分所述电极位于所述第一孔洞内与所述基底电接触。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的内壁面具有绒面结构。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：介质层，所述介质层位于所述基底与所述掺杂半导体层之间，所述介质层内具有与所述第一孔洞对应的第二孔洞，所述第二孔洞的底部暴露所述基底的表面。
10.根据权利要求1所述的太阳...
【专利技术属性】
技术研发人员：李慧敏，徐孟雷，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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