【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及填料的，特别是填料清洗工艺的。
技术介绍
0、
技术介绍
1、填料是一种应用较为广泛的物料，其主要是为了将气、液两相物质进行充分接触。在多晶硅生产过程中也有一些设备中会使用到填料。由于多晶硅生产过程中需要保证较高的纯净度，因此这些设备中的填料需要特别定制，以保证填料具有很高的清洁度，避免经过填料的物料与多晶硅接触后污染多晶硅。
技术实现思路
0、
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是解决现有技术中的问题，提出多晶硅生产用填料清洗工艺，能够使填料成品具有很高的清洁度。
2、为实现上述目的，本专利技术提出了多晶硅生产用填料清洗工艺，包括以下步骤：
3、s1风淋：将填料送入风淋室进行风淋；
4、s2第一次清洗：将经过风淋的填料放到超声波清洗箱中进行第一次清洗；
5、s3第一次清洗：将经过第一次清洗的填料放到超声波清洗箱中进行第二次清洗；
6、s4第一次漂洗：将经过第二次清洗的填料放到漂洗机中进行第一次漂洗；
7、s5第二次漂洗：将经过第一次漂洗的填料放到漂洗机中进行第二次漂洗：
8、s6超纯水漂洗：将经过第二次漂洗的填料放到漂洗机中使用超纯水进行第三次漂洗；
9、s7烘干：将经过第三次漂洗的填料依次放入到编有数字序号的若干个烘干箱中进行烘干，填料按照数字序号从大大小的顺序在每个烘干箱中烘干一次；
10、s8冷却：将完成所有烘干的填料进
11、s9检测：将填料放到暗室内进行荧光灯检测；
12、s10包装：将检测合格的填料使用电子级pe膜进行包装，每个填料单独进行包装。
13、作为优选，所述步骤s2-s10均在万级无尘车间内进行，万级无尘车间通有正压新风，万级无尘车间的新风风量为4000立方米/小时，制冷功率为164kw，余压为700帕。
14、作为优选，所述万级无无尘车间内的工作人员均穿戴抗静电防护服。
15、作为优选，所述步骤s1-s10中所有设备上与填料相接触的面均为不锈钢材质。
16、作为优选，所述步骤s1-s10之间的填料周转均采用全封闭容器进行转移。
17、作为优选，所述步骤s2和s3中的清洗用水的水温为45℃，步骤s2和s3中的清洗时间均为200s。
18、作为优选，所述步骤s4-s6中的漂洗时间均为200s。
19、作为优选，所述步骤s7中的烘干箱数量为13个，烘干箱的烘干温度为150℃，填料在每个烘干箱内烘干200s。
20、本专利技术的有益效果：本专利技术通过将填料进行多次清洗、漂洗和烘干，使得填料可得到充分的清洁，使得填料具有很好的清洁度；暗室内进行荧光灯检测使得清洗不够干净的填料可被挑选出来，保证了产品的可靠性和稳定性；每个填料单独使用电子级pe膜进行包装，使得清洗后的填料与外界环境相隔离，不易受到污染。
21、本专利技术的特征及优点将通过实施例进行详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤S2-S10均在万级无尘车间内进行，万级无尘车间通有正压新风，万级无尘车间的新风风量为4000立方米/小时，制冷功率为164KW，余压为700帕。
3.如权利要求2所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述万级无无尘车间内的工作人员均穿戴抗静电防护服。
4.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤S1-S10中所有设备上与填料相接触的面均为不锈钢材质。
5.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤S1-S10之间的填料周转均采用全封闭容器进行转移。
6.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤S2和S3中的清洗用水的水温为45℃，步骤S2和S3中的清洗时间均为200s。
7.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤S4-S6中的漂洗时间均为200s。
8.如权利要求1所述的
...【技术特征摘要】
1.多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤s2-s10均在万级无尘车间内进行，万级无尘车间通有正压新风，万级无尘车间的新风风量为4000立方米/小时，制冷功率为164kw，余压为700帕。
3.如权利要求2所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述万级无无尘车间内的工作人员均穿戴抗静电防护服。
4.如权利要求1所述的多晶硅生产用填料清洗工艺，其特征在于：所述步骤s1-s10中所有设备上与填料相接触的面均为不锈钢材质。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：孔苏林，
申请(专利权)人：海盐得胜化工设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。