具有保护结构的神经植入物制造技术

用于大脑区域的神经植入物，包括：至少一个刺激区段，所述至少一个刺激区段用于产生用于大脑区域的电刺激信号，具有至少一个电极的电极区段，所述电极区段经由直流连接联接到至少一个刺激区段并且能够布置在大脑区域中并且被设计成施加电刺激信号到大脑区域，以及至少一个第一保护结构区段，所述至少一个第一保护结构区段被设计为监测所述刺激区段，其中所述至少一个第一保护结构区段由第一能量源供电，并且至少一个刺激区段由第二能量源供电，以及所述第一能量源与所述第二能量源电隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有保护结构的神经植入物。将神经植入物放置到人的大脑中以治疗帕金森病和癫痫等疾病。

技术介绍

1、神经植入物包括用于电刺激大脑神经元区域的区段和用于接触这些大脑区域的电极区段。神经调节器，特别是闭环神经植入物，还包括用于检测大脑区域的神经元活动(即电信号)的区段。

2、用于人体的可植入神经植入物有严格的安全预防措施，因此即使在所谓的第一错误之后，植入物也不会对患者的健康构成风险。

3、例如，第一错误是由于功能故障，特别是刺激区段的功能故障从神经植入物流入到大脑中的永久强电流。为了排除这种第一错误，已知在刺激区段和电极区段之间插入直流阻挡电容器。然而，由于smd电容器的几何尺寸，这些都是不利的，这在多通道神经植入物的情况下尤其成问题。此外，所使用的电容器部件中的磁性材料会导致植入物附近的mrt图像出现阴影，这可能会恶化或妨碍诊断结果。特殊的非磁性mrt电容器不具备所需的电容。

4、由于每个电容器通常需要约10μf的大电容，因此不可能集成在芯片上。

5、还已知的是，为刺激区段提供快速转换开关，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于大脑区域的神经植入物，包括：

2.根据权利要求1所述的神经植入物(1)，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)和所述至少一个刺激区段(220)布置在公共半导体基板上并且特别设计为ASIC模块。

3.根据前述权利要求中任一项所述的神经植入物，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)和所述至少一个刺激区段(220)仅经由所述电极区段(600)彼此电连接并且所述至少一个第一保护结构区段被设计成，在所述电极区段(600)处检测刺激信号。

4.根据前一权利要求所述的神经植入物，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)还被配置成，如果检测...

【技术特征摘要】

1.一种用于大脑区域的神经植入物，包括：

2.根据权利要求1所述的神经植入物(1)，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)和所述至少一个刺激区段(220)布置在公共半导体基板上并且特别设计为asic模块。

3.根据前述权利要求中任一项所述的神经植入物，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)和所述至少一个刺激区段(220)仅经由所述电极区段(600)彼此电连接并且所述至少一个第一保护结构区段被设计成，在所述电极区段(600)处检测刺激信号。

4.根据前一权利要求所述的神经植入物，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)还被配置成，如果检测到的刺激信号中的至少一个在预定电压范围之外，则输出信号(00、01、10、11)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的神经植入物(1)，其中，所述第一能量源(110)表示直流电压源，并且所述第一保护结构区段(100)包括用于从所述第一能量源(110)产生第一参考电压的第一直流转换器和用于将电极装置(600)处存在的刺激信号与第一参考电压进行比较的第一比较装置。

6.根据前一权利要求所述的神经植入物，其中，所述直流转换器包括用于生成参考电压的电荷泵。

7.根据前一权利要求所述的神经植入物，其中，所述至少一个第一保护结构区段(100)包括窗口阈值检测器，以用于检查，在所述电极区段(600)处检测到的刺激信号是否在预定电压范围之外。

8.根据前一权利要求所述的神经植入物，其中，所述窗口阈值检测器具有动态比较器，特别是strongarm锁存器。

9.根据前述权利要求中任一项所述的神经植入物，还包括至少一个第二保护结构区段(500)，所述至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·赖希，莫里斯·奥尔特曼斯，马丁·舒特勒，
申请(专利权)人：柯泰克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：