一种新型光敏二极管芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种新型光敏二极管芯片结构及其制备方法，涉及光敏二极管技术领域。制备方法包括步骤S1：形成P型掺杂区；步骤S2：形成N型掺杂区，同时形成氧化环结构；步骤S3：蚀刻掉前述步骤中形成的氧化环结构；步骤S4：形成减反射层；步骤S5：制作N电极与P电极。结构包括硅片，硅片的下端设有P型掺杂区，硅片的上端设有N型掺杂区；N型掺杂区上方设有减反射层，减反射层和N型掺杂区之间不存在氧化环结构；在减反射层的表面形成有N电极，N电极透过减反层中间的孔直接与N掺杂区相接触，在P型掺杂区的背面形成有P电极。通过以上方案，解决了市场上现有的光敏二极管随着产品尺寸的减小，其响应稳定性和响应强度等会受到负面影响的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光敏二极管，具体为一种新型光敏二极管芯片结构及其制备方法。

技术介绍

1、光敏二极管是一种光电器件，也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上相类似，其管芯是一个具有光敏特性的pn结，具有单向导电性，在工作时需要加上反向电压。无光照时，光敏二极管中有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止；当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，光电流的大小随入射光强度的变化而变化。当光线照射光敏二极管中的pn结时，可以使pn结中产生电子-空穴对，以使少数载流子的密度增加；这些载流子在反向电压下漂移，可使反向电流增加，因此能够利用光照强弱来改变电路中的电流。

2、随着科技进步和市场发展趋势，电子元器件的尺寸需求朝着越来越小的方向发展。然而，在实际应用中，小尺寸的光敏二极管却会更频繁地收到来自下游使用厂家的异常反馈，其中大多数为响应不稳定、响应不强烈等问题。对此开展了详细研究之后，发现主要原因如下：

3、目前，业界中大多数的光敏二极管结构都是在光接收面中间掺入杂质作为光敏区，光敏区外侧是一圈由氧化硅形成的氧化环本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，使用氟化铵溶液或者氟化铵与氢氟酸混合溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：当使用所述氟化铵溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻时，蚀刻时间为5～6min；当使用所述氟化铵与氢氟酸混合溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻时，蚀刻时间为2～3min。

4.根据权利要求2所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：所述氟化铵与氢氟酸混合溶液中，...

【技术特征摘要】

1.一种新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤s3中，使用氟化铵溶液或者氟化铵与氢氟酸混合溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：当使用所述氟化铵溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻时，蚀刻时间为5～6min；当使用所述氟化铵与氢氟酸混合溶液对氧化环结构(6)进行蚀刻时，蚀刻时间为2～3min。

4.根据权利要求2所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：所述氟化铵与氢氟酸混合溶液中，氟化铵与氢氟酸的体积比为9：1。

5.根据权利要求1所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：

7.根据权利要求5所述的新型光敏二极管芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤s1-2中，氧化硅的厚度为5000±200a，折射率为1.45；所述步骤s...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱帅，朱合意，
申请(专利权)人：湖南蓝芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：