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本发明提供一种新型光敏二极管芯片结构及其制备方法，涉及光敏二极管技术领域。制备方法包括步骤S1：形成P型掺杂区；步骤S2：形成N型掺杂区，同时形成氧化环结构；步骤S3：蚀刻掉前述步骤中形成的氧化环结构；步骤S4：形成减反射层；步骤S5：制作...
该专利属于湖南蓝芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南蓝芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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