【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单粒子仿真，尤其涉及一种半导体器件的单粒子效应模拟方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、随着空间技术的不断进步，越来越多金属氧化物半导体(metal oxidesemiconductor，mos)器件出现在各类辐射环境中，常见的辐射环境包括空间辐射、空中辐射以及人为辐射等。宇宙射线、高能粒子和电磁干扰等辐射会对mos器件的功能产生较大影响，严重者甚至会导致mos功能失效。为了保证mos器件在轨运行期间具有高可靠性和正常的使用寿命，需要对mos器件进行辐照试验来验证器件的抗辐照性能。受到辐照试验设备等条件的限制，对mos辐照试验方法的研究还停留在初级阶段，缺少足够的试验经验，没有可依据的试验标准，绝大部分试验时按照用户单位的要求进行，试验所用测试方法试验效率不高，测试参数不够全面，数据精度较低，对失效机理研究不透彻。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种半导体器件的单粒子效应模拟方法、装置、设备及介质。
2、基于上述目的，本申请的第一方面提供了一种半导体器件的单粒子效应模拟方法，包括：
3、根据重离子的生成速率和入射重离子注量进行环境模拟，得到入射时重离子电荷浓度；
4、根据预设的电子空穴对数量，通过脚本语言构建仿真半导体器件；
5、根据所述入射时重离子电荷浓度对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值。
6、本申请的第二方面提供了一种半导体器件的单粒子效应模拟装置，包括：>
7、环境模拟模块，被配置为：根据重离子的生成速率和入射重离子注量进行环境模拟，得到入射时重离子电荷浓度；
8、器件模拟模块，被配置为：根据预设的电子空穴对数量，通过脚本语言构建仿真半导体器件；
9、效应模拟模块，被配置为：根据所述入射时重离子电荷浓度对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值。
10、本申请的第三方面提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如本申请第一方面提供的所述的方法。
11、本申请的第四方面提供了一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行本申请第一方面提供的所述方法。
12、从上面所述可以看出，本申请提供的半导体器件的单粒子效应模拟方法、装置、设备及介质，能够根据重离子的生成速率和入射重离子注量进行环境模拟，得到入射时重离子电荷浓度，实现对带有辐照的空间环境的模拟，避免了对真实辐照环境的构建，且模拟辐照环境的改变是相对容易的，可以轻松实现多种辐照环境的模拟，提高模拟效率。然后，根据预设的电子空穴对数量，通过脚本语言构建仿真半导体器件；可在真实半导体器件上装之前对真实半导体器件进行辐照能力模拟，不会对真实半导体器件的实际应用产生影响，节约成本。最后，根据入射时重离子电荷浓度对仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值。通过模拟仿真的方式得到单粒子效应阈值，通过单粒子效应阈值可以有效对器件的辐照能力进行评估，由于模拟环境和仿真半导体器件的参数改动较为方便，试验效率较高，使得测试参数足够全面，数据精度较高，可以较为透彻的了解半导体器件的失效机理。
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1.一种半导体器件的单粒子效应模拟方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述入射时重离子电荷浓度对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述仿真半导体器件的载流子密度确定进行单粒子效应的位置节点区间，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据模拟参数、所述IGS-time图像和所述ID-time图像进行进行单粒子烧毁效应和单粒子栅穿效应的模拟测试，得到所述单粒子效应阈值，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过脚本语言构建仿真半导体器件，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
8.一种半导体器件的单粒子效应模拟装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运
10.一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，其特征在于，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1至7任一项所述方法。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的单粒子效应模拟方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述入射时重离子电荷浓度对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述仿真半导体器件的载流子密度确定进行单粒子效应的位置节点区间，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述仿真半导体器件进行单粒子效应的模拟，得到单粒子效应阈值，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据模拟参数、所述igs-time图像和所述id-time图像进行进行单粒子烧毁效应和单粒...
【专利技术属性】
技术研发人员：路浩通，刘恒，郑学恒，高祎璠，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：发明
国别省市：
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