System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3T核磁共振射频线圈制造技术_技高网
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一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3T核磁共振射频线圈制造技术

技术编号:40655629 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-13 21:32
本发明专利技术涉及一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3T核磁共振射频线圈。本发明专利技术基于宽边耦合多开口环谐振器的原理,提出了用于3T核磁共振成像系统的发射/接收射频线圈。通过设计新型宽边耦合多开口环谐振器的结构并调谐,使其工作在128,并对具体的设计方法进行了阐述。本发明专利技术相比于传统开口环谐振器射频线圈,具有更低的SAR值,更高的发射效率和灵敏度的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于核磁共振成像,具体涉及一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3t核磁共振射频线圈。


技术介绍

1、磁共振成像(magnetic resonance imaging,mri)是一种高分辨力的非电离成像技术,具有出色的软组织对比度,是临床上重要的非侵入性医学诊断方法之一。核磁共振是物质的原子核与外界磁场在特定条件的相互作用下引发的共振现象。它是利用原子核自旋运动的特点,在外加磁场内,射频脉冲停止后,自旋系统已激化的原子核,不能维持这种状态,将回复到磁场中原来的排列状态,同时释放出微弱的能量,成为射电信号,把这许多信号用射频线圈检出并输入计算机,经过计算机处理转换后在屏幕上显示图像。射频线圈是磁共振成像系统的关键部件之一,被用来激发核磁矩,并以拉莫尔频率接收磁共振信号。

2、为了获得高质量的成像结果,射频线圈必须在整个成像体积内产生均匀的射频磁场,同时限制其辐射损失。传统的微带谐振器具有低辐射损耗的优点,但其缺点是射频磁场不均匀,影响成像质量。沿传输线调制电流可以产生比传统微带谐振器更均匀的磁场,这种新型微带谐振器被称为交替阻抗微带谐振器;但交替阻抗微带谐振器的峰值比吸收率(specificabsorptionrate,sar)高于传统微带谐振器,其发生炙热甚至灼伤的风险较高,不利于临床推广应用。磁场不均匀的解决方案之一是通过分割环形线圈并在间隙中添加集总电容器,但集总电容器中的等效串联电阻随频率增加,因此在高场下射频线圈的品质因数降低,导致传输效率下降。因此,需要提供一种能够提高射频线圈品质因数,并且实现较高的传输效率和灵敏度的射频线圈设计方法。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3t核磁共振射频线圈,使用分布式点容,提高线圈的品质因数,以实现均匀的射频场、更低的峰值sar以及更好的传输效率。

2、开口环谐振器是一种用于射频领域的平面谐振器,可实现特定频率的信号传输功能,开口环谐振器可以通过串联电容-电感谐振电路形式的电感器和电容器来近似。具体而言,环与环之间形成电感器,而环上的裂缝形成电容器。当存储在电容器中的电能与存储在电感器中的磁能平衡时,开口环谐振器产生谐振。

3、本专利技术的技术方案如下:

4、一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3t核磁共振射频线圈,包括下列步骤:

5、1)初步构建电介质基板;

6、2)在电介质基板上设计多层同轴金属铜环;

7、3)在每个金属铜环上切割相应宽度的裂缝;

8、4)在电介质基板最外层金属铜环中的切割第二个裂缝用以馈电;

9、5)电介质基板厚度、材料以及所设计宽边耦合多开口环谐振器的结构尺寸,使其谐振频率为;

10、6)分析射频线圈的端口反射系数随频率的变化;

11、7)设置负载后,分析射频线圈的发射效率和灵敏度;

12、8)设置负载后,分析射频线圈的最大10g平均sar值。

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【技术保护点】

1.一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3T核磁共振射频线圈,具体的实现方法包括以下步骤:

【技术特征摘要】

1.一种基于宽边耦合多开口环谐振器的3t核磁...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖夏孔祥铮刘雨庞彦伟
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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