【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶圆加热盘性能检测工装及检测方法。
技术介绍
1、晶圆加热在半导体器件制造中也是不可缺少的环节之一，通常要将晶圆加热至高温状态进行相关工艺。
2、加热盘为晶圆加热的常用设备，晶圆放置在加热盘上表面，通过加热盘对晶圆进行加热。加热盘表面温度均匀性、稳定性、加热速率、冷却速率等性能参数将直接决定半导体器件在此工艺制程的质量和良率。
3、目前晶圆加热盘基本上没有标准件，都是定制加工件，成本昂贵。在实际使用过程中，也只是仅仅检测加热盘的表面平面度，而对其实际性能例如表面温度均匀性、加热速率，冷却速率等参数并未进行检验，就直接集成整机，大大增加了后续工艺的不确定性。
4、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆加热盘性能检测工装及检测方法，用于对现有加热盘的性能进行检测，以提高半导体器件在后续工艺制程的质量和良率，消除由于加热盘性能不佳导致的不确定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆加热盘性能检测工装及检...
【技术保护点】
1.一种晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，包括：供电单元、多路温度采集单元和控制单元；
2.如权利要求1所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，所述控制单元用于检测所述加热盘的温控开度，若所述温控开度为最大开度，则所述加热盘处于最大功率加热阶段，标定此时的升温速率为最大升温速率。
3.如权利要求2所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，若所述温控开度小于最大开度，则所述加热盘处于温控阶段，标定此时的升温速率为温控升温速率。
4.如权利要求1所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，所述温度均匀性数据通过以下方式获得：
<...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，包括：供电单元、多路温度采集单元和控制单元；
2.如权利要求1所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，所述控制单元用于检测所述加热盘的温控开度，若所述温控开度为最大开度，则所述加热盘处于最大功率加热阶段，标定此时的升温速率为最大升温速率。
3.如权利要求2所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，若所述温控开度小于最大开度，则所述加热盘处于温控阶段，标定此时的升温速率为温控升温速率。
4.如权利要求1所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，所述温度均匀性数据通过以下方式获得：
5.如权利要求4所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，各温度采集探头通过以下方式采集实时温度，
6.如权利要求1所述的晶圆加热盘性能检测工装，其特征在于，所述晶圆加热盘...
【专利技术属性】
技术研发人员：张成，张承勇，
申请(专利权)人：上海光键半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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