一种碳化硅功率器件及其制作方法技术

本申请公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法。该碳化硅功率器件包括：N型衬底；外延层，设置于N型衬底上，在外延层内形成有P型沟道区，及在P型沟道区内形成有N+型源区，以及设置于外延层的源极沟槽，源极沟槽穿过N+型源区及P型沟道区，且该源极沟槽的侧壁形成有P+体区；栅极，设置于外延层背离N型衬底的一侧，且横跨P型沟道区显露于外延层表面的区域；P型多晶硅，与栅极相邻设置且与外延层层叠接触；源极，填充于源极沟槽以及覆盖P+体区、N+型源区、栅极及P型多晶硅；漏极，设置于N型衬底背离外延层的一侧。通过上述器件，能够实现对碳化硅功率器件低成本和低占用的反向续流，提升器件的开关导通效率和降低续流开启电压及其损耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种碳化硅功率器件及其制作方法。

技术介绍

1、在传统硅（si）基功率器件性能方面难以获得大幅优化的背景下，碳化硅（sic）材料以其宽禁带宽度、高临界击穿电压、高导热率以及高饱和电子漂移速度等优异的电学性能，奠定了以其为体材料制作的碳化硅功率器件在高温、高压、高速以及强辐射等应用领域的优势。

2、其中，碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管) 器件凭借其开关速度快，开关损耗低、导通电阻小和工作温度范围广等特点，已成为当前碳化硅功率器件领域的研究热点。在众多的碳化硅mosfet器件结构中，双沟槽mosfet器件（double-trench mosfet，dt-mos）相比传统垂直mosfet器件，通过在器件中引入了两种类型的沟槽，表现出高耐压、低导通电阻和高可靠性等优势，成为了碳化硅 mosfet设计的主流结构之一。

3、然而，碳化硅mosfet器件的实际应用电路中常具有电感元件，会形成较大的反向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述P型多晶硅的宽度为0.1至0.4μm。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述P型多晶硅的掺杂浓度在1×1019cm-3以上。

4.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述源极沟槽包括呈台阶设置的第一级沟槽和第二级沟槽，所述第二级沟槽设置于所述第一级沟槽的底部，所述第一级沟槽穿过所述N+型源区及所述P型沟道区。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述第一级沟槽和所述第二级沟槽的总深度为1.5...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述p型多晶硅的宽度为0.1至0.4μm。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述p型多晶硅的掺杂浓度在1×1019cm-3以上。

4.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述源极沟槽包括呈台阶设置的第一级沟槽和第二级沟槽，所述第二级沟槽设置于所述第一级沟槽的底部，所述第一级沟槽穿过所述n+型源区及所述p型沟道区。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述第一级沟槽和所述第二级沟槽的总深度为1.5至4.0μm。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：