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本申请公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法。该碳化硅功率器件包括：N型衬底；外延层，设置于N型衬底上，在外延层内形成有P型沟道区，及在P型沟道区内形成有N+型源区，以及设置于外延层的源极沟槽，源极沟槽穿过N+型源区及P型沟道区，且该源极沟槽...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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