【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学器件，更具体地，涉及一种导光器件的制备方法、导光器件以及电子设备。
技术介绍
1、相关技术中，制备大面积倾斜光栅通常采用反应离子束刻蚀技术。在进行制备时，将刻蚀样品旋转一定角度，以实现倾斜刻蚀。为了保证刻蚀形貌的完整性，需要在介质层上设置刻蚀掩膜。然而，一次刻蚀所制备的倾斜光栅只能向x或y单一方向倾斜。
2、因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的是提供一种导光器件的制备方法的新技术方案。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种导光器件的制备方法。该制备方法包括：
3、提供衬底，在所述衬底上设置介质层，刻蚀介质层，以形成沿第一方向延伸的第一光栅；
4、在所述介质层上设置填充层，所述填充层覆盖所述第一光栅，在所述填充层上沉积掩膜；
5、将所述衬底转动设定角度；
6、刻蚀所述掩膜，以形成第一图案，根据所述掩膜的第一图案，刻蚀所述介质层，以形成沿第二方向延伸的第二光栅；
7、将所述掩膜和所述填充层去除。
8、可选地，所述将所述衬底转动设定角度，包括：沿垂直于所述衬底的轴线将所述衬底转动设定角度。
9、可选地，所述刻蚀所述掩膜，以形成第一图案，根据所述掩膜的第一图案，刻蚀所述介质层，以形成沿第二方向延伸的第二光栅，包括：
10、在所述掩膜上设置光刻胶；
11、刻蚀所述光刻胶，以形成第一图案
12、根据所述光刻胶的第一图案刻蚀所述掩膜，以形成所述掩膜的第一图案。
13、可选地，所述光刻胶为正性光刻胶。
14、可选地，还包括：
15、在设定气氛下，采用干法刻蚀工艺去除所述光刻胶和与所述第一图案对应的所述填充层。
16、可选地，采用反应离子束刻蚀工艺在所述介质层上形成所述第一光栅和所述第二光栅中的至少一个。
17、可选地，所述将所述掩膜和所述填充层去除，包括：
18、采用湿法腐蚀工艺去除所述掩膜和所述填充层。
19、可选地，所述填充层为光刻胶。
20、可选地，所述填充层为负性光刻胶。
21、可选地，所述掩膜为金属掩膜。
22、可选地，所述第一光栅和所述第二光栅为倾斜光栅。
23、可选地，在所述介质层形成沿第一方向延伸的第一光栅之前，包括：
24、在所述介质层上形成定位标识。
25、可选地，所述填充层的厚度大于或等于所述第一光栅的高度。
26、可选地，所述刻蚀所述掩膜，以形成第一图案，根据所述掩膜的第一图案，刻蚀所述介质层，以形成沿第二方向延伸的第二光栅，包括：
27、采用干法刻蚀工艺刻蚀所述掩膜和所述介质层中的至少一个。
28、根据本专利技术的第二方面，提供了一种导光器件。该导光器件根据上述的制备方法制备而成。
29、根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括上述的导光器件。
30、在本申请实施例中，该制备方法通过在不同的制备阶段转动衬底能够在介质层上形成沿第一方向延伸的第一光栅和沿第二方向延伸的第二光栅，有效地提高了导光器件的加工效率。通过该制备方法能制备朝至少两个方向倾斜的光栅。通过设置填充层以及掩膜能有效地保护第一光栅，从而使得第一光栅的制备和第二光栅的制备互不干涉，提高了导光器件的良品率。
31、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种导光器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底(3)转动设定角度，包括：沿垂直于所述衬底(3)的轴线将所述衬底(3)转动设定角度。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述掩膜，以形成第一图案(901)，根据所述掩膜的第一图案(901)，刻蚀所述介质层(2)，以形成沿第二方向延伸的第二光栅(10)，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用反应离子束刻蚀工艺在所述介质层(2)上形成所述第一光栅(8)和所述第二光栅(10)中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述掩膜和所述填充层(6)去除，包括：
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充层(6)为光刻胶。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充层(6)为负性
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜为金属掩膜。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光栅(8)和所述第二光栅(10)为倾斜光栅。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述介质层(2)形成沿第一方向延伸的第一光栅(8)之前，包括：
13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充层(6)的厚度大于或等于所述第一光栅(8)的高度。
14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述掩膜，以形成第一图案(901)，根据所述掩膜的第一图案(901)，刻蚀所述介质层(2)，以形成沿第二方向延伸的第二光栅(10)，包括：
15.一种导光器件，其特征在于，根据权利要求1至14中的任意一项所述的制备方法制备而成。
16.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求15所述的导光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种导光器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底(3)转动设定角度，包括：沿垂直于所述衬底(3)的轴线将所述衬底(3)转动设定角度。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述掩膜，以形成第一图案(901)，根据所述掩膜的第一图案(901)，刻蚀所述介质层(2)，以形成沿第二方向延伸的第二光栅(10)，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用反应离子束刻蚀工艺在所述介质层(2)上形成所述第一光栅(8)和所述第二光栅(10)中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述掩膜和所述填充层(6)去除，包括：
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充层(6)为光刻胶。
【专利技术属性】
技术研发人员：胡乐勇，曹雪峰，袁杰，杨海涛，吾晓，
申请(专利权)人：歌尔光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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