【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于三极管封装,具体涉及一种三极管封装方法。
技术介绍
1、在现有技术中,三极管全称为半导体三极管,也称晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,是电子电路的核心元件,其主要由芯片、铜质引线框架、键合线、环氧塑封料组成,引线框架由基板、引脚及连接引脚的中筋和底筋组成。
2、随着电子技术的发展,三极管的使用越来越广泛,现有技术中针对大功率三极管主要对晶圆进行先减薄后划片,因先减薄再划片易导致在划片过程造成芯片弯折或破碎的现象。对于粘片过程,芯片和基板之间易产生分层及气孔。焊线工艺中,如焊接功率、压力等参数控制不佳,将导致焊线不牢固,造成使用寿命缩短。因此对于企业来说如何提高三极管的导电性、粘片质量、焊线质量、封装质量等综合性能,进而提高产品合格率至关重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种三极管封装方法,通过激光刻蚀对芯片背侧进行减薄,降低内阻,增加导电性;通过采用阶梯式升降温方式进行粘片,同时优化焊线及塑封固化工
...【技术保护点】
1.一种三极管封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种三极管封装方法,其特征在于:所述的步骤2,镀金属层为镀钛-镍-银金属层,其中钛层厚度为0.8-1.2μm,镍层后镀为1-2μm,银层厚度为1-1.2μm。
3.根据权利要求1所述的一种三极管封装方法,其特征在于:所述的步骤3,阶梯式升降温具体为:粘片过程需要经过五个温区,依次为一段温区:预热至280±30℃;二段温区:预热至330±30℃;三段温区:粘片温度为360±20℃;四段温区:粘片后先降温至290±10℃,五段温区:最终降温至150±30℃。
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...【技术特征摘要】
1.一种三极管封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种三极管封装方法,其特征在于:所述的步骤2,镀金属层为镀钛-镍-银金属层,其中钛层厚度为0.8-1.2μm,镍层后镀为1-2μm,银层厚度为1-1.2μm。
3.根据权利要求1所述的一种三极管封装方法,其特征在于:所述的步骤3,阶梯式升降温具体为:粘片过程需要经过五个温区,依次为一段温区:预热至280±30℃;二段温区:预热至330±30℃;三段温区:粘片温度为360...
【专利技术属性】
技术研发人员:李庆嘉,李锋,芮忠强,彭文敏,全容斗,翟庆怀,
申请(专利权)人:辽阳泽华电子产品有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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