System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种单晶硅放肩方法技术_技高网

一种单晶硅放肩方法技术

技术编号:40630468 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-13 21:16
本发明专利技术提供了一种单晶硅放肩方法,根据目标晶棒直径获取放肩长度,在晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时,设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围,同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围;在晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时,将降温速率由第一速率范围提升至第二速率范围,同时提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围;在放肩长度处于目标范围的第三区间时,将降温速率由第二速率范围提升至第三速率范围,同时将提拉速度由第二速度范围提升至第三速度范围,通过上述方法放肩,使得放肩时,肩部顶角可以保持在45°‑70°,减小了放肩过程中{111}小面出现的概率,进一步降低发生位错的概率,提高了放肩成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及光伏,尤其涉及一种单晶硅放肩方法


技术介绍

1、直拉法(czochralski,cz法)是常用的晶体生长方法之一,通过将原料硅在单晶炉中加热融化,再将棒状的籽晶浸入融液中,使得融液中的硅原子沿籽晶上硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶,从而形成单晶体,具体的,直拉法通常包括:调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、加料等工艺步骤。

2、放肩是指在引晶完成后通过降低拉速和降低温度使晶体直径逐渐长大至目标直径,目前在放肩时通常以肩部顶角为钝角且晶棒的提拉速度较慢的方式进行放肩操作。

3、上述方式容易导致晶体出现位错,放肩失败,并且降温量较小,导致晶体头部的氧含量高,影响晶体品质。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种单晶硅放肩方法,旨在减少放肩时发生位错的可能,提高放肩成功率。

2、本专利技术实施例提供了一种单晶硅放肩方法,该方法可以包括:

3、根据目标晶棒直径,对晶棒进行放肩操作;

4、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时,设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围,同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围;

5、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时,将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第一速率范围提升至第二速率范围,同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围;

6、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时,将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第二速率范围提升至第三速率范围,同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第三速度范围;其中,所述第一区间的放肩长度的值小于所述第二区间的放肩长度的值,所述第二区间的放肩长度的值小于所述第三区间的放肩长度的值;

7、在所述晶棒的晶棒直径为所述目标晶棒直径时,结束放肩操作。

8、可选地,所述方法还包括:

9、在放肩操作的过程中,控制肩部顶角的角度为45°-70°。

10、可选地,所述第一区间为所述放肩长度大于或等于1mm且小于或等于60mm,所述第一速率范围为所述降温速率大于或等于2kw/h且小于或等于12kw/h,所述第一速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于25mm/h且小于或等于160mm/h;

11、所述第二区间为所述放肩长度大于60mm且小于或等于150mm,所述第二速率范围为所述降温速率大于或等于3kw/h且小于或等于15kw/h,所述第二速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于45mm/h且小于或等于190mm/h;

12、所述第三区间为所述放肩长度大于150mm,所述第三速率范围为所述降温速率大于或等于1kw/h且小于或等于10kw/h,所述第三速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于60mm/h且小于或等于200mm/h。

13、可选地,所述方法还包括:

14、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时,设置液口距为30-45mm;

15、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时,设置液口距为20-35mm;

16、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时,设置液口距为15-20mm。

17、可选地,在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时,所述单晶炉内热场的降温量为0-6.5kw;

18、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时,所述单晶炉内热场的降温量为6.5-14kw;

19、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时,所述单晶炉内热场的降温量为14-15kw。

20、可选地,所述方法还包括:

21、在所述放肩长度为1-30mm时,设置液口距为35-45mm,同时设置晶棒的提拉速度为25-150mm/h;

22、在所述放肩长度为30-60mm时,设置液口距为30-40mm,同时设置晶棒的提拉速度为35-160mm/h;

23、在所述放肩长度为60-90mm时,设置液口距为28-35mm,同时设置晶棒的提拉速度为45-170mm/h。

24、可选地,所述方法还包括:

25、在所述放肩长度为90-120mm时,设置液口距为25-30mm,同时设置晶棒的提拉速度为55-180mm/h;

26、在所述放肩长度为120-150mm时,设置液口距为20-28mm,同时设置晶棒的提拉速度为60-190mm/h。

27、可选地,所述方法还包括:

28、在所述放肩长度为150-180mm时,设置液口距为15-25mm,同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

29、可选地,所述方法还包括:

30、在所述放肩长度为180mm时,设置液口距为15-20mm,同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

31、可选地,所述方法还包括:

32、在放肩过程中,设定晶转为8-12r/min,埚转5-9r/min,且所述埚转的方向与所述晶转的方向相反。

33、综上,本专利技术提供一种单晶硅放肩方法,根据目标晶棒直径获取放肩长度,当放肩长度处于1-60mm时,设置单晶炉内热场的降温速率为2-12kw/h,晶棒的提拉速度为25-160mm/h。当放肩长度处于60-150mm,设置单晶炉内热场的降温速率为3-15kw/h,晶棒的提拉速度为45-190mm/h,当放肩长度大于150mm时,设置单晶炉内热场的降温速率为1-10kw/h,晶棒的提拉速度为60-200mm/h,通过上述工艺参数进行放肩,使得放肩时,肩部顶角可以保持在45°-70°,减小了放肩过程中小面出现的概率,进一步降低发生位错的概率,提高了放肩成功率。

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【技术保护点】

1.一种单晶硅放肩方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一区间为所述放肩长度大于或等于1mm且小于或等于60mm,所述第一速率范围为所述降温速率大于或等于2kw/h且小于或等于12kw/h,所述第一速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于25mm/h且小于或等于160mm/h;

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时,所述单晶炉内热场的降温量为0-6.5kw;

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

7.据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

8.据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

9.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅放肩方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一区间为所述放肩长度大于或等于1mm且小于或等于60mm,所述第一速率范围为所述降温速率大于或等于2kw/h且小于或等于12kw/h,所述第一速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于25mm/h且小于或等于160mm/h;

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:武刚成路杜婷婷王正远丁彪马少林
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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