【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，具体涉及一种氧化层沟槽形成方法及半导体器件。
技术介绍
1、在现有的高压mos器件中，为了避免氧化层沟槽底部边角(corner)处出现尖端放电效应，要求蚀刻后的沟槽侧壁具有一定倾斜度，避免出现沟槽侧壁与沟槽底面夹角过大；另一方面，夹角过小沟槽底部易出现桥接现象(bridge)，不利于器件电性、可靠性以及良率的提升。
2、目前，很难通过一步蚀刻形成具有特定轮廓的氧化层沟槽。一般情况下，先通过第一次蚀刻来蚀刻形成第一蚀刻沟槽，再通过第二次蚀刻来形成底角具有一定倾斜度的氧化层沟槽，即通过两次蚀刻形成具有特定轮廓的氧化层沟槽，蚀刻步骤相对繁琐，蚀刻效率低。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请实施例提供一种氧化层沟槽形成方法及半导体器件，可以通过一次蚀刻形成具有特定轮廓的氧化层沟槽。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种氧化层沟槽形成方法，包括：
3、提供一待蚀刻的半导体结构，所述半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层以及具有预设图案的光刻胶层；
4、将所述半导体结构置于蚀刻反应腔内；
5、设置所述蚀刻反应腔的当前工艺参数；
6、以所述光刻胶层为掩膜，并基于所述当前工艺参数对所述氧化层进行蚀刻；
7、实时检测通过所述蚀刻形成的氧化层沟槽侧壁与氧化层沟槽底面的当前夹角，并根据所述当前夹角确定是否对所述当前工艺参数进行调整，以通过一次蚀刻形成具有特定轮廓的氧化层沟槽。
...【技术保护点】
1.一种氧化层沟槽形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述当前工艺参数包括反应腔压力、射频功率、反应气体和所述反应气体的流量。
3.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述反应腔压力为20mT～40mT。
4.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述射频功率包括高频射频功率和低频射频功率；
5.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述反应气体包括第一反应气体和第二反应气体；
6.如权利要求5所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述第一反应气体的流量为30sccm～50sccm；
7.如权利要求1所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述根据所述当前夹角确定是否对所述当前工艺参数进行调整，以通过一次蚀刻形成具有特定轮廓的氧化层沟槽，所述氧化层沟槽侧壁与所述氧化层沟槽底面的夹角为特定角度，包括：
8.如权利要求7所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述特定角度为45°～60°。
9.如权利要求1所
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1～9任一项所述的氧化层沟槽形成方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种氧化层沟槽形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述当前工艺参数包括反应腔压力、射频功率、反应气体和所述反应气体的流量。
3.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述反应腔压力为20mt～40mt。
4.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述射频功率包括高频射频功率和低频射频功率；
5.如权利要求2所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述反应气体包括第一反应气体和第二反应气体；
6.如权利要求5所述的氧化层沟槽形成方法，其特征在于，所述第一反应气体的流...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，陈勇树，王宇，郭少辉，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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