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本申请公开了一种氧化层沟槽形成方法及半导体器件，其中，该氧化层沟槽形成方法包括提供一待蚀刻的半导体结构，半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层以及具有预设图案的光刻胶层；将半导体结构置于蚀刻反应腔内；设置蚀刻反应腔的当前工艺...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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