【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波无源器件领域，特别是涉及一种基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器。
技术介绍
1、压控振荡器是现代通信和雷达系统中的重要组成部分，其性能要求直接影响着系统的稳定性、精确性和可靠性。在5g通信系统中，对压控振荡器的相位噪声和二次谐波抑制提出了更高的要求，以确保频谱的纯净度、最大化频谱利用率和解调的准确性，从而降低误码率，提高系统的灵敏度和动态范围，最终实现通信质量的提升。同时，mimo技术为5g系统带来了显著的性能提升，但其应用需要占据较大设备尺寸，在系统设计中需要平衡性能和设备尺寸之间的关系，以满足用户对高速、高效、小型化的需求。
2、基片集成波导技术作为一种新型高性能传输结构，在近几年得到的迅速的发展，由它制作的谐振腔不仅具有相比传统微带线较高的品质因素和功率容量，而且能够兼容现有的pcb制作工艺，有效降低了高性能微波毫米波频段设备的生产成本和设计复杂度。利用基片集成波导来设计的微波振荡器具有品质因素较高和易于集成的特点；传统使用基片集成波导设计的压控振荡器结构均具有较好的相位噪声，但体积较大，加大了pcb布板的复杂度和生产成本。
3、随着通信技术的迅猛发展，对现有压控振荡器的相位噪声、二次谐波抑制和电路尺寸提出了更高的要求。然而，现有技术尚且无法对压控振荡器的性能和电路尺寸做到完全兼顾。
技术实现思路
1、技术问题：本专利技术目的在于实现压控振荡器的小型化、二次谐波抑制和低相噪需求，提供一种基于八分之一模基片集成波导滤波器
2、技术方案：为达到此目的，本专利技术的一种基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器采用以下技术方案：
3、本专利技术包括八分之一模基片集成波导滤波器、第一环路移相微带线、放大单元、第二环路移相微带线、模拟移相器、振荡器输出微带线；其中八分之一模基片集成波导滤波器的一个输出端连接第一环路移相微带线，第一环路移相微带线的另一端连接放大单元的输入端，放大单元的输出端连接模拟移相器中混合网络的的一个输入端；混合网络的一个输出端连接振荡器输出微带线和第二环路移相微带线，第二环路移相微带线的另一端连接八分之一模基片集成波导滤波器的输入端。
4、所述八分之一模基片集成波导滤波器包括第一八分之一模基片集成波导腔、第二八分之一模基片集成波导腔、耦合微带线、环形开路微带线、环形屏蔽通孔阵列、输入端和输出端；所述第一八分之一模基片集成波导腔与第二八分之一模基片集成波导腔之间设有缝隙，第一八分之一模基片集成波导腔与第二八分之一模基片集成波导腔通过耦合微带线连接；所述环形开路微带线加载在耦合微带线上；环形开路微带线被环形屏蔽通孔阵列所包围；所述输出端与第一八分之一模基片集成波导腔相连，输入端与第二八分之一模基片集成波导腔相连。
5、所述第一八分之一模基片集成波导腔和第二八分之一模基片集成波导腔均由基片集成波导谐振腔沿着两条邻边垂直分割得到的四分之一模基片集成波导腔再沿着对角线对称分割得到。
6、所述第一八分之一模基片集成波导腔和第二八分之一模基片集成波导腔的斜边之间有用于耦合的缝隙和耦合微带线。
7、所述环形开路微带线为一段不闭合的圆环形微带线，一端接在耦合微带线上，另一端开路，不与其他结构连接。
8、所述模拟移相器包括正交90°混合网络、l型匹配枝节、变容二极管；所述l型匹配枝节有两个分别连接正交90°混合网络的两端；所述变容二极管有两个，分别连接两个l型匹配枝节。
9、所述第一环路移相微带线、第二环路移相微带线、振荡器输出微带线均为50欧姆馈电电阻。
10、有益效果：本专利技术公布了一种基于八分之一模基片集成波导地低相噪压控振荡器，相比于传统压控振荡器，具有更好地相位噪声和二次谐波抑制性能。相比于使用传统基片集成波导结构作为滤波稳频单元的压控振荡器，其尺寸得到大幅度减小，同时相位噪声并未明显恶化。因此本专利技术在小型化和低相噪上均有较好的表现。
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1.一种基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，包括八分之一模基片集成波导滤波器(1)、第一环路移相微带线(10)、放大单元(11)、第二环路移相微带线(17)、模拟移相器(12)、振荡器输出微带线(16)；其中八分之一模基片集成波导滤波器(1)的一个输出端(9)连接第一环路移相微带线(10)，第一环路移相微带线(10)的另一端连接放大单元(11)的输入端，放大单元(11)的输出端连接模拟移相器(12)中混合网络(13)的的一个输入端；混合网络(13)的一个输出端连接振荡器输出微带线(16)和第二环路移相微带线(17)，第二环路移相微带线(17)的另一端连接八分之一模基片集成波导滤波器(1)的输入端(8)。
2.根据权利要求1所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述八分之一模基片集成波导滤波器(1)包括第一八分之一模基片集成波导腔(2)、第二八分之一模基片集成波导腔(3)、耦合微带线(4)、环形开路微带线(6)、环形屏蔽通孔阵列(7)、输入端(8)和输出端(9)；所述第一八分之一模基片集成波导腔(2)与第二八分之
3.根据权利要求2所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述第一八分之一模基片集成波导腔(2)和第二八分之一模基片集成波导腔(3)均由基片集成波导谐振腔(18)沿着两条邻边垂直分割得到的四分之一模基片集成波导腔(19)再沿着对角线对称分割得到。
4.根据权利要求2所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述第一八分之一模基片集成波导腔(2)和第二八分之一模基片集成波导腔(3)的斜边之间有用于耦合的缝隙(5)和耦合微带线(4)。
5.根据权利要求1所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述环形开路微带线(6)为一段不闭合的圆环形微带线，一端接在耦合微带线(4)上，另一端开路，不与其他结构连接。
6.根据权利要求5所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述模拟移相器(12)包括正交90°混合网络(13)、L型匹配枝节(14)、变容二极管(15)；所述L型匹配枝节(14)有两个分别连接正交90°混合网络(13)的两端；所述变容二极管(15)有两个，分别连接两个L型匹配枝节(14)。
7.根据权利要求1所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述第一环路移相微带线(10)、第二环路移相微带线(17)、振荡器输出微带线(16)均为50欧姆馈电电阻。
...【技术特征摘要】
1.一种基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，包括八分之一模基片集成波导滤波器(1)、第一环路移相微带线(10)、放大单元(11)、第二环路移相微带线(17)、模拟移相器(12)、振荡器输出微带线(16)；其中八分之一模基片集成波导滤波器(1)的一个输出端(9)连接第一环路移相微带线(10)，第一环路移相微带线(10)的另一端连接放大单元(11)的输入端，放大单元(11)的输出端连接模拟移相器(12)中混合网络(13)的的一个输入端；混合网络(13)的一个输出端连接振荡器输出微带线(16)和第二环路移相微带线(17)，第二环路移相微带线(17)的另一端连接八分之一模基片集成波导滤波器(1)的输入端(8)。
2.根据权利要求1所述基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，其特征在于，所述八分之一模基片集成波导滤波器(1)包括第一八分之一模基片集成波导腔(2)、第二八分之一模基片集成波导腔(3)、耦合微带线(4)、环形开路微带线(6)、环形屏蔽通孔阵列(7)、输入端(8)和输出端(9)；所述第一八分之一模基片集成波导腔(2)与第二八分之一模基片集成波导腔(3)之间设有缝隙(5)，第一八分之一模基片集成波导腔(2)与第二八分之一模基片集成波导腔(3)通过耦合微带线(4)连接；所述环形开路微带线(6)加载在耦合微带线(4)上；环形开路微带线(6)被环形屏蔽通孔阵列(7)所包围；所述输出端(9)与第一八分之一模基片集成波导腔(2)相连，输入端(8)...
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