LDMOS PA半桥空腔封装结构及表面贴装器件制造技术

本技术公开了一种LDMOS PA半桥空腔封装结构及表面贴装器件。LDMOS PA半桥空腔封装结构包括：绝缘管壳、基板和盖板，基板、盖板与绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，封装腔室用于容置芯片，基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，导电部分位于封装腔室内，导电部分具有电路结构，导电部分能够与位于封装腔室内的芯片电连接而形成半桥电路电气连接结构。本技术采用具有绝缘部分和导电部分的覆铜陶瓷基板等作为基板，并在导电部分加工形成半桥结构所需的对应电路，从而实现半桥电路电气连接，基板内部的陶瓷绝缘层能够配合实现半桥电路结构，有效地提高电路的响应速度和效率，同时还能够降低开关管的功耗和热损失。

【技术实现步骤摘要】

本技术特别涉及一种ldmos pa半桥空腔封装结构及表面贴装器件，属于芯片封装。

技术介绍

1、传统的ldmos射频pa器件通常由空腔管壳形式进行封装，空腔管壳由金属热沉、翅片端子和空壳保护盖组装而成，ldmos的source极和金属热沉短接，gate&drain分别和翅片端子用铝线进行焊接，最终组成rf放大器“push-pull”(推挽输出)正弦波电路拓扑结构，其等效电路结构如图1所示。

2、现有的空腔管壳封装的ldmos pa作为一种是采用硅工艺的ldmos(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，横向扩散mos)技术成熟，成本低；但功率密度提升的潜能已经枯竭，无法进一步提高信号输出效率(目前最大能实现85％的输出效率)，以及，现有的空腔管壳封架构的ldmos pa的寄生电容和杂感已无进一步优化的空间，使ldmos在高频下的应用受到挑战，无法进一步提升输出功率、带宽和效率，空腔管壳封架构的ldmospa主要使用打线方式来匹配杂感，打线作业的线弧，波动较大。同时，现有cpc与产品其他组本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS PA半桥空腔封装结构，其特征在于，包括：封装主体和导电翅片端子，所述封装主体包括绝缘管壳、基板和盖板，所述基板、所述盖板与所述绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，所述封装腔室用于容置芯片，所述基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，所述导电部分位于所述封装腔室内，所述导电部分具有电路结构，所述导电部分能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接而形成半桥电路电气连接结构，所述导电翅片端子固定设置在所述封装主体上且能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接。

2.根据权利要求1所述LDMOS PA半桥空腔封装结构，其特征在于：所述绝缘部分包括绝缘基体，所述绝缘基体具有背对...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos pa半桥空腔封装结构，其特征在于，包括：封装主体和导电翅片端子，所述封装主体包括绝缘管壳、基板和盖板，所述基板、所述盖板与所述绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，所述封装腔室用于容置芯片，所述基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，所述导电部分位于所述封装腔室内，所述导电部分具有电路结构，所述导电部分能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接而形成半桥电路电气连接结构，所述导电翅片端子固定设置在所述封装主体上且能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接。

2.根据权利要求1所述ldmos pa半桥空腔封装结构，其特征在于：所述绝缘部分包括绝缘基体，所述绝缘基体具有背对设置的第一面和第二面，所述导电部分包括具有电路结构的导电层，所述导电层结合在所述绝缘基体的第一面。

3.根据权利要求2所述ldmos pa半桥空腔封装结构，其特征在于：所述导电层通过热压或电镀的方式与所述绝缘基体的第一面固定结合。

4.根据权利要求2所述ldmos pa半桥空腔封装结构，其特征在于：所述绝缘基体包括陶瓷基体；和/或，所述导电层包括金属铜层。

5.根据权利要求1所述ldmos pa半桥空腔封装结构，其特征在于：所述绝缘管壳为环形结构，所述绝缘管壳具有相对设置的第一端口和第二端口，所述基板固定设置在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠卫，樊冬冬，李星齐，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：